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MBR40H100WT
SWITCHMODE
电力整流器
100 V, 40 A
特点和优点
低正向电压: 0.67 V @ 125°C
低功耗/高效率
高浪涌能力
175 ° C工作结温
40 A总( 20每二极管腿)
保护环应力保护
这是一个Pb - Free设备
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肖特基势垒
整流器器
40安培
100伏
1
2, 4
3
应用
电源 - 输出整流
电源管理
仪器仪表
机械特性:
记号
案例:环氧树脂,模压
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
重量: 4.3克(约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
运30个单位的塑料管
最大额定值
请参阅表上的下页
YYWW
B40H100
AKA
TO247AC
CASE 340L
塑料
YY
WW
B40H100
AKA
=年
=工作周
=器件代码
=极性代号
订购信息
设备
MBR40H100WTG
TO247
(无铅)
航运
30单位/铁
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年9月 - 修订版0
出版订单号:
MBR40H100WT/D
MBR40H100WT
最大额定值
(每二极管腿)
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
) T
C
= 150°C
重复峰值正向电流
(额定V
R
,方波, 20千赫)T
C
= 145°C
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下半波,单相, 60赫兹)
工作结温(注1 )
储存温度
变化的电压率(额定V
R
)
控制雪崩能量(参见图9和图10的试验条件)
ESD额定值:机器型号= C
人体模型= 3B
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FRM
I
FSM
T
J
T
英镑
dv / dt的
W
AVAL
价值
100
单位
V
20
40
200
+175
*65
到+175
10,000
400
& GT ; 400
> 8000
A
A
A
°C
°C
V / ms的
mJ
V
热特性
最大热阻 - 结到外壳
- 结到环境
R
QJC
R
qJA
2.0
60
° C / W
电气特性
(每二极管腿)
最大正向电压(注2 )
(I
F
= 20 A,T
C
= 25°C)
(I
F
= 20 A,T
C
= 125°C)
(I
F
= 40 A,T
C
= 25°C)
(I
F
= 40 A,T
C
= 125°C)
最大瞬时反向电流(注2 )
(额定直流电压,T
C
= 125°C)
(额定直流电压,T
C
= 25°C)
v
F
0.80
0.67
0.90
0.76
i
R
10
0.01
mA
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.生成必须小于从结到环境的热传导热: DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
2.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比
2.0%.
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2
MBR40H100WT
I
F
,正向电流(安培)
I
F
,正向电流(安培)
1000
1000
100
T
J
= 150°C
10
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
100
T
J
= 125°C
10
T
J
= 150°C
1
T
J
= 25°C
1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
,正向电压(伏)
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
,正向电压(伏)
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
1.0E01
I
R
,反向电流( AMPS )
1.0E02
T
J
= 150°C
I
R
,最大反向电流(安培)
1.0E01
1.0E02
1.0E03
1.0E04
1.0E05
T
J
= 150°C
1.0E03
T
J
= 125°C
1.0E04
1.0E05
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
1.0E06
1.0E07
1.0E06
1.0E07
1.0E08
0
20
40
60
80
100
1.0E08
0
20
40
60
80
100
V
R
,反向电压(伏)
V
R
,反向电压(伏)
图3.典型的反向电流
图4.最大反向电流
I
F
,平均正向电流(安培)
P
FO
,平均功耗
(瓦特)
35
30
25
20
15
10
5
0
100
方波
dc
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I
O
,平均正向电流(安培)
DC
110
120
130
140
150
160
170
180
T
C
,外壳温度( ° C)
图5.电流降额
图6.前向功率耗散
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3
MBR40H100WT
10000
T
J
= 25°C
C,电容(pF )
1000
100
10
0
20
40
60
80
100
V
R
,反向电压(伏)
图7.电容
R(T ) ,瞬态热阻
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
P
( PK)
t
1
单脉冲
t
2
0.1
0.01
占空比D = T
1
/t
2
0.0001
0.001
0.01
t
1
,时间(秒)
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.000001
0.00001
图8.热响应结到外壳
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4
MBR40H100WT
+V
DD
I
L
10 mH的线圈
V
D
MERCURY
开关
I
D
I
L
I
D
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
BV
DUT
S
1
DUT
图9.测试电路
图10.电流电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图9是用于演示控制雪崩
此设备的能力。水银开关代替
一个电子开关,以模拟在嘈杂的环境
当正在打开开关。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起,由于di / dt的影响,当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时,它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减,并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
故障(从T
1
给T
2
)减去因任何损失有限
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式(1)近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程,如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的,能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的,
等式(2) 。
公式( 1 ) :
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
方程(2):
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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