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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1644页 > MBR4040PT
LITE -ON
半导体
MBR4030PT通4060PT
反向电压
- 30
to
60
正向电流
- 40
安培
肖特基势垒整流器器
特点
硅整流器的金属,多数载流子conducton
保护环的瞬态保护
低功耗,高效率
高电流能力,低VF
高浪涌能力
塑料包装已UL可燃性分类94V- 0
适用于低电压,高频率逆变器,免费使用
whelling ,和极性保护应用
A
P
G
Q
O
1
2
3
TO-3P
F
E
TO-3P
分钟。
马克斯。
15.75
16.25
21.25
21.75
20.10
19.60
3.78
4.38
1.88
2.08
4.87
5.13
4.4TYP.
1.90
2.16
2.93
3.22
1.12
1.22
2.90
3.20
5.20
5.70
2.10
2.40
0.76
0.51
2.18
1.93
B
K
D
H
C
N
机械数据
案例: TO- 3P模压塑料
极性:标明阀体上
重量:0.2盎司, 5.6克
安装位置:任意
J
I
L
销1
3脚
L
M
销2
20 (典型值)
10 TYP
在毫米波所有尺寸
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
MBR
4030PT
30
21
30
MBR
4035PT
35
24.5
35
MBR
4040PT
40
28
40
40
400
10000
0.70
0.60
0.80
0.75
1.0
100
1.4
700
-55到+150
-55到+175
0.80
0.70
-
-
MBR
4045PT
45
31.5
45
MBR
4050PT
50
35
50
MBR
4060PT
60
42
60
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流(参见图1 )
符号
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
@T
C
=
125 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
变化的电压率(额定VR )
最大正向
电压(注1 )
I
FSM
dv / dt的
A
V /美
V
I
F
= 20A @ T
J
=25 C
I
F
= 20A @ T
J
=125 C
I
F
= 40A @ T
J
=25 C
I
F
= 40A @ T
J
=125 C
反向电流最大DC
@T
J
=25 C
在额定阻断电压DC
@T
J
=125 C
典型热阻(注2 )
典型结电容
每个元素(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
V
F
I
R
R
0JC
mA
C / W
pF
C
J
T
J
T
英镑
注: 1。 300US脉宽, 2 %的占空比。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
C
C
REV 。 2 , 01日-12月2000 KTH11
额定值和特性曲线
MBR4030PT通MBR4060PT
峰值正向浪涌电流,
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
40
图2 - 最大非重复浪涌电流
400
30
300
20
200
10
电阻或
感性负载
100
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
25
50
75
100
125
150
175
1
2
5
10
20
50
100
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
10
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流( A)
瞬时
反向电流(毫安)
T
J
= 125 C
1.0
10
MBR4030PT MBR4045PT
0.1
T
J
= 75 C
MBR4050PT MBR4060PT
1.0
0.01
T
J
= 25 C
T
J
= 25 C
脉冲宽度300ua
300us
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
百分之额定峰值反向电压( % )
正向电压,伏
图5 - 典型结电容
10000
电容(PF )
1000
T
J
= 25°C , F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压,伏
REV 。 2 , 01日-12月2000 KTH11
MBR4030PT - MBR4060PT
40A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护应用
塑料材质:防火
分类额定值94V- 0
TO-3P
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
3.20
4.59
20.80
19.70
2.10
0.51
15.90
1.70
3.10
3.50
5.20
1.12
1.93
2.97
11.70
最大
3.50
5.16
21.30
20.20
2.40
0.76
16.40
2.70
3.30
4.51
5.70
1.22
2.18
3.22
12.80
H
S
R
P*
* 2地方
N
Q
L
G
A
B
J
K
C
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:对人体标示
标记:型号数量
重量: 5.6克(约)
安装位置:任意
L
D
M
N
P
Q
R
S
E
M
M
4.30典型
尺寸:mm
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
@ T
C
= 125°C
(注1 )
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容
典型热阻结到外壳
变化的电压率(额定V
R
)
工作和存储温度范围
注意事项:
@ I
F
= 20A ,T
C
= 25°C
@ I
F
= 20A ,T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
(注2 )
(注1 )
平均整流输出电流
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
MBR
4030PT
30
21
MBR
4035PT
35
24.5
MBR
4040PT
40
28
40
MBR
4045PT
45
31.5
MBR
4O50PT
50
35
MBR
4060PT
60
42
单位
V
V
A
A
400
0.70
0.60
1.0
100
1100
1.4
10,000
-65到+150
0.80
0.70
V
mA
pF
K / W
V / ms的
°C
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
DS23019修订版E-2
1 2
MBR4030PT - MBR4060PT
40
I
F
,正向电流(A)
50
100
I
(AV)
,平均正向电流(A)
MBR 4030PT - MBR4045PT
10
30
MBR4050PT - MBR4060PT
20
1.0
10
0
0
50
100
150
0.1
0.2
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 1正向电流降额曲线
0.9
0.8
0.3
0.4
0.6
0.7
0.5
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性(每件)
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
400
I
FSM
峰值正向浪涌电流( A)
8.3毫秒单半
正弦波( JEDEC的方法)
4000
300
C
j
,电容(pF )
1000
200
100
1
100
100
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
I
R
,瞬时反向电流( μA )
10
T
C
= 125°C
0.1
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
1.0
0.1
T
C
= 75°C
0.01
T
C
= 25°C
0.001
0
20
40
60
80
100
T
j
= 25°C
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
DS23019修订版E-2
2 2
MBR4030PT - MBR4060PT
MBR4040PT系列
肖特基势垒整流器器
电压
40至200伏特
当前
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
金属硅交界处,多数载流子传导
低功耗,高效率。
高电流能力
Guardring过电压保护
适用于低电压,高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
0.087(2.20)
0.070(1.80)
0.126(3.20)
0.110(2.80)
0.050(1.25)
0.045(1.15)
0.142(3.60)
0.125(3.20)
0.640(16.25)
0.620(15.75)
0.199(5.05)
0.175(4.45)
40安培
0.600(15.25)
0.580(14.75)
0.839(21.30)
0.819(20.80)
0.095(2.40)
0.170(4.30)
0.145(3.70)
0.798(20.25)
0.777(19.75)
机械数据
案例: TO- 247AD / TO- 3P模压塑料
码头:焊接镀,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:作为标记。
安装位置:任意
0.225(5.70)
0.204(5.20)
0.225(5.70)
0.204(5.20)
0.030(0.75)
0.017(0.45)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
霸岭我忒
马克西妈妈重新电流P EAK重新诗武LTA GE
马克西妈妈RMS电压
马克西妈妈D C B locki吴电压
马克西妈妈一个已经风靡F orward urre新台币
P EAK F orwa RD S冲动,光凭目前 : 8.3ms的SI ngle
半s INE波superi MP osed对RA TE旦负荷
( JE D E 我的ThOD )
马克西妈妈F orward电压,每站20 A
马克西妈妈D C反C光凭目前在
额定D C B locki吴武LTA GE
Typi CA升热RESI站NCE
OPE慧慧吴 uncti在次S torage
温度范围
T
J
=25
O
C
T
J
=125
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV)
I
F S M
V
F
I
R
R
θJC
T
J
,T
s TG
-5 5 + 15 0
MB R4 04 0P牛逼MB R4 04 5P牛逼MB R40 50 PT MB R4 06 0P牛逼MB R4 08 0P牛逼MB R40 90 PT MB R40 10 0P牛逼MB R40 15 0P牛逼MB R40 20 0P牛逼
单位
V
V
V
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
40
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
1 40
200
3 50
A
0.7
0.79
0.1
20
1 .2
0.8
0.9
0.05
20
O
V
mA
C / W
O
-65到+175
C
注意:
这两个粘接和芯片结构可供选择。
2,2010年九月, REV.02
PAGE 。 1
MBR4040PT系列
额定值和特性曲线
385
平均WARD电流,
安培
50
40V
45-200V
峰值正向浪涌电流,
安培
350
315
280
245
210
175
140
105
70
35
0
1
2
5
10
20
50
100
40
30
20
10
0
RESISTIVEORINDUCTIVE LOAD
0
25
50
75
100
125
150
175
200
外壳温度,C
O
NO 。周期在60Hz
图1 -FORWARD电流降额曲线
图2-最大完全不重复浪涌
当前
瞬时反向电流,毫安
10
T
J
=125
O
C
1.0
瞬时正向电流,
安培
40
10
8
6
4
2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
0.4
0.1
T
J
=75 C
O
0.01
T
J
=25 C
O
40-45V
50-100V
150-200V
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0.001
0
20
40
60
80
100
百分之瞬时反向电压, %
正向电压
,伏
图3 - 典型的反向特性
FIG.4-典型正向
特征
2,2010年九月, REV.02
PAGE 。 2
MBR4030PT通MBR4045PT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
尺寸TO- 247AD
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。
马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR4030PT
MBR4035PT
MBR4040PT
MBR4045PT
符号
I
(AV)
I
FSM
dv / dt的
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
40
400
10000
I
F
=20A
I
F
=20A
I
F
=40A
I
F
=40A
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.70
0.60
0.80
0.75
1.0
100
1.4
700
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
变化的电压率(额定V
R
)
最大正向
电压(注1 )
V
F
V
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻(注2 )
mA
o
C / W
pF
o
o
典型结电容每元(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
C
C
注: 1。 300US脉冲宽度,占空比2 % 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 247AD模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量:0.2盎司, 5.6克
*安装位置:任意
MBR4030PT通MBR4045PT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
MBR4030PT通MBR4045PT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
尺寸TO- 247AD
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。
马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR4030PT
MBR4035PT
MBR4040PT
MBR4045PT
符号
I
(AV)
I
FSM
dv / dt的
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
40
400
10000
I
F
=20A
I
F
=20A
I
F
=40A
I
F
=40A
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.70
0.60
0.80
0.75
1.0
100
1.4
700
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
变化的电压率(额定V
R
)
最大正向
电压(注1 )
V
F
V
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻(注2 )
mA
o
C / W
pF
o
o
典型结电容每元(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
C
C
注: 1。 300US脉冲宽度,占空比2 % 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 247AD模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量:0.2盎司, 5.6克
*安装位置:任意
MBR4030PT通MBR4045PT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
LITE -ON
半导体
MBR4030PT通4060PT
反向电压
- 30
to
60
正向电流
- 40
安培
肖特基势垒整流器器
特点
硅整流器的金属,多数载流子conducton
保护环的瞬态保护
低功耗,高效率
高电流能力,低VF
高浪涌能力
塑料包装已UL可燃性分类94V- 0
适用于低电压,高频率逆变器,免费使用
whelling ,和极性保护应用
A
P
G
Q
O
1
2
3
TO-3P
F
E
TO-3P
分钟。
马克斯。
15.75
16.25
21.25
21.75
20.10
19.60
3.78
4.38
1.88
2.08
4.87
5.13
4.4TYP.
1.90
2.16
2.93
3.22
1.12
1.22
2.90
3.20
5.20
5.70
2.10
2.40
0.76
0.51
2.18
1.93
B
K
D
H
C
N
机械数据
案例: TO- 3P模压塑料
极性:标明阀体上
重量:0.2盎司, 5.6克
安装位置:任意
J
I
L
销1
3脚
L
M
销2
20 (典型值)
10 TYP
在毫米波所有尺寸
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
MBR
4030PT
30
21
30
MBR
4035PT
35
24.5
35
MBR
4040PT
40
28
40
40
400
10000
0.70
0.60
0.80
0.75
1.0
100
1.4
700
-55到+150
-55到+175
0.80
0.70
-
-
MBR
4045PT
45
31.5
45
MBR
4050PT
50
35
50
MBR
4060PT
60
42
60
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流(参见图1 )
符号
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
@T
C
=
125 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
变化的电压率(额定VR )
最大正向
电压(注1 )
I
FSM
dv / dt的
A
V /美
V
I
F
= 20A @ T
J
=25 C
I
F
= 20A @ T
J
=125 C
I
F
= 40A @ T
J
=25 C
I
F
= 40A @ T
J
=125 C
反向电流最大DC
@T
J
=25 C
在额定阻断电压DC
@T
J
=125 C
典型热阻(注2 )
典型结电容
每个元素(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
V
F
I
R
R
0JC
mA
C / W
pF
C
J
T
J
T
英镑
注: 1。 300US脉宽, 2 %的占空比。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
C
C
REV 。 2 , 01日-12月2000 KTH11
额定值和特性曲线
MBR4030PT通MBR4060PT
峰值正向浪涌电流,
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
40
图2 - 最大非重复浪涌电流
400
30
300
20
200
10
电阻或
感性负载
100
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
25
50
75
100
125
150
175
1
2
5
10
20
50
100
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
10
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流( A)
瞬时
反向电流(毫安)
T
J
= 125 C
1.0
10
MBR4030PT MBR4045PT
0.1
T
J
= 75 C
MBR4050PT MBR4060PT
1.0
0.01
T
J
= 25 C
T
J
= 25 C
脉冲宽度300ua
300us
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
百分之额定峰值反向电压( % )
正向电压,伏
图5 - 典型结电容
10000
电容(PF )
1000
T
J
= 25°C , F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压,伏
REV 。 2 , 01日-12月2000 KTH11
MBR4020PT~MBR40100PT
40安培肖特基二极管
电压
20至100伏特
当前
40安培
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
金属硅交界处,多数载流子传导
低功耗,高效率。
高电流能力
Guardring为overvlotage保护
适用于低电压,高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
无铅产品可供选择: 99 %以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
.126(3.2)
.110(2.8)
.050(1.25)
.045(1.15)
.142(3.6)
.125(3.2)
TO-3P
单位:英寸(毫米)
.640(16.25)
.620(15.75)
.199(5.05)
.175(4.45)
.087(2.2)
.070(1.8)
.600(15.25)
.580(14.75)
.839(21.3)
.819(20.8)
.095(2.4)
.798(20.25)
.777(19.75)
.170(4.3)
.145(3.7)
.030(0.75)
.017(0.45)
.225(5.7)
.204(5.2)
.225(5.7)
.204(5.2)
MECHANICALDATA
案例: TO- 3P模压塑料
码头:焊接镀,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:标示。
安装位置:任意
重量:0.2盎司, 5.6克。
AC
CT阳性
AC
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币(S eefig 1 )
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北: 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE -
WA已经s提高erimposedonratedload ( JEDEC浩会见四)
米喜米庵F orward V oltageat 2 0 , perleg
M A X I M ü米 C R é ; V。E R 5式C ü R R简吨
Tc
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G (E T)
c
= 1 2 5
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究(E S)我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 法兰
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM BOLMBR 4 0 2 0 PTMBR 4 0 3 0 PTMBR 4 0 4 0 PTMBR 4 0 4 5 PTMBR 4 0 5 0 PTMBR 4 0 6 0 PTMBR 4 0 8 0 PTMBR 4 0 1 0 0 PTUNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
0 .7
0 .1
20
1 .2
- 5 0到+ 1 5 0
- 5 0到+ 1 7 5
O
20
14
20
30
21
30
40
28
40
45
3 1 .5
45
40
400
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
0 .8
V
I
R
mA
RθJ
T
J
T
英镑
C / W
O
C
C
O
注意事项:
这两个粘接和芯片结构可供选择。
REV.0-MAR.30.2005
PAGE 。 1
MBR4020PT~MBR40100PT
额定值和特性曲线
正向电流
40
20,30,40,45V
平均正向电流
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
0
0
MBR4020CT~MBR4045CT
MBR4050CT~MBR40100CT
10
8
6
4
2
1.0
.8
.6
.4
.2
.1
50,60,80,100V
50
100
O
150
外壳温度,C
.4
.5
.6
.7
.8
.9
1.0
1.1
正向电压,伏
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-典型瞬时无FORWARD
特征
瞬时反向电流,毫安
峰值正向浪涌电流
100
10
440
400
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
1
2
5
10
20
50
100
TC=125
O
C
1.0
0.1
TC = 75℃
O
0.01
TC=25
O
C
0 .001
20
40
60
80
百分之瞬时反向电压, %
NO 。周期在60Hz
FIG.3-典型的反向特性
Fig.4-最大非重复浪涌
当前
REV.0-MAR.30.2005
PAGE 。 2
MBR4030PT - MBR4060PT
40A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压,高频率逆变器,免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品,符合RoHS (注3 )
暗淡
A
B
TO-3P
1.88
4.68
20.63
18.5
2.1
0.51
15.38
1.90
2.9
3.78
5.2
0.89
1.82
2.92
11.70
最大
2.08
5.36
22.38
21.5
2.4
0.76
16.25
2.70
3.65
4.50
5.7
1.53
2.46
3.23
12.84
6.10
H
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
S
J
C
K
L
G
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例: TO- 3P
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:完成 - 亮锡。每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:对人体标示
订购信息:见最后一页
标记:型号数量
重量: 5.6克(近似值)
R
P
N
Q
D
M
N
P
Q
R
S
E
M
M
尺寸:mm
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
C
= 125°C
(注1 )
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型的总电容
典型热阻结到外壳
变化的电压率(额定V
R
)
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
T
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
MBR
4030PT
30
21
MBR
4035PT
35
24.5
MBR
4040PT
40
28
40
MBR
4045PT
45
31.5
MBR
4050PT
50
35
MBR
4060PT
60
42
单位
V
V
A
A
400
0.70
0.60
1.0
100
1100
1.4
10,000
-65到+150
0.80
0.70
@ I
F
= 20A ,T
C
= 25°C
@ I
F
= 20A ,T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
(注2 )
(注1 )
V
mA
pF
° C / W
V / ms的
°C
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用,看
欧盟指令附件注5和7 。
DS23019牧师8 - 2
1第3
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MBR4030PT - MBR4060PT
Diodes公司
40
I
F
,正向电流(A)
50
100
I
(AV)
,平均正向电流( A)
MBR 4030PT - MBR4045PT
10
MBR4050PT - MBR4060PT
30
20
1.0
10
0
0
50
100
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0.2
0.9
0.8
0.3
0.4
0.6
0.7
0.5
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性(每件)
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
400
8.3毫秒单半
正弦波( JEDEC的方法)
4000
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
300
C
T
,电容(pF )
1000
200
100
1
100
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
10
100
0.1
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型的总电容
T
C
= 125°C
1.0
0.1
T
C
= 75°C
0.01
T
C
= 25°C
0.001
0
20
40
60
80
100
T
j
= 25°C
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
DS23019牧师8 - 2
2 3
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MBR4030PT - MBR4060PT
订购信息
设备
MBR4030PT
MBR4035PT
MBR4040PT
MBR4045PT
MBR4050PT
MBR4060PT
注意事项:
(注4 )
包装
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
航运
30/Tube
30/Tube
30/Tube
30/Tube
30/Tube
30/Tube
4.包装信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdf 。
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3 3
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MBR4030PT-MBR40100PT
肖特基势垒整流器器
特点
高S恳请能力。
111
对我们来说, E在低电压,高频率逆变器,免费
续流和极性保护应用。
金属源ilicon结,男ajority载流子导电。
高电流能力,低正向压降。
保护环,过电压保护。
电压范围: 30 -
100
V
当前位置:
40
A
TO-3P(TO-247AD)
6.5± 0.3
15.8± 0.2
8.0± 0.2
4.9± 0.25
5.0± 0.15
2.0± 0.15
21± 0.5
φ3
.6± 0.15
机械数据
CAS E: JEDEC TO-3P ,男olded PLAS抽动身体
20.4± 0.4
1
2
3
2.4± 0.2
2.2± 0.15
3.0± 0.1
长期inals :每MIL -STD- 750焊接的,
1
1
方法2026
极性:米arked
POS银行足球比赛:任何
重量:
0.223盎司, 6.3克
1.2± 0.15
0.6± 0.1
5.4± 0.15
单位:毫米
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单相半波,60赫兹,电阻或电感load.For容性负载,减免电流20 % 。
MBR膜生物反应器
MBR膜生物反应器MBR膜生物反应器MBR膜生物反应器
单位
4030PT 4035PT 4040PT 4045PT 4050PT 4060PT 4080PT 40100PT
最大的经常峰值反向电压
最大RMS V oltage
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD总装置
m
整流电流@T
C
= 105°C
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
b
正弦-W AVE叠加在额定负荷
最大正向
电压
(I
F
=20A,T
C
=25℃ )
(I
F
=20A,T
C
=125℃
)
(I
F
=40A,T
C
=25℃ )
(I
F
= 40A ,T
C
=125℃
)
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
A
=25
@T
A
=125
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
30
21
30
35
25
35
40
28
40
45
32
45
40
400
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
-
0.80
V
F
0.57
0.84
0.72
1.0
0.70
0.95
0.85
V
I
R
R
θJC
mA
100
1.4
-
55
---- + 150
-
55
---- + 150
/W
最大热电阻(注2 )
工作结温范围
存储温度范围
注意:
结1.热电阻的情况下。
T
J
T
英镑
http://www.luguang.cn
邮箱: lge@luguang.cn
MBR4030PT-MBR40100PT
肖特基势垒整流器器
评级和Charactieristic曲线
图1 - 峰值正向浪涌电流
平均正向输出电流,
安培
峰值正向浪涌电流,
图2 - 前降额曲线
400
320
安培
8.3ms单半正弦波
T
J
=125
240
160
80
0
1
10
100
25
50
75
100
125
150
循环次数的AT 60H的
Z
温度,
图3 - 典型正向特性
图4 - 典型的反向特性
瞬时正向电流,
100
瞬时反向电流,
毫安
10000
40
T
J
=125℃
T
J
=25℃
1000
20
100
T
A
=125°C
10
T
A
=25°C
1.0
安培
10
MBR4030PT-MBR4045PT
1.0
0.4
MBR4050PT-MBR40100PT
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
0.5
0.6
0.7
0.8 0.9
1.0
1.1
1.2
正向电压,伏
百分比额定峰值反向电压
,%
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邮箱: lge@luguang.cn
MBR4020PT
THRU
MBR4060PT
特点
l
l
l
高浪涌能力
低功耗,高效率
高电流能力
整流硅金属,多数载流子导电
保护环的瞬态保护
40安培肖特基
垒整流器器
20至60伏
l
l
最大额定值
l
l
工作温度: -55 ℃ + 150℃
存储温度: -55℃至+175
最大
最大
经常峰值
RMS电压
反向电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
最大直流
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
A
o
o
o
o
TO-3P
F
E
P
G
Q
O
1
2
3
产品型号
MBR4020PT
MBR4030PT
MBR4035PT
MBR4040PT
MBR4045PT
MBR4060PT
B
K
D
H
I
J
L
L
销1
M
销2
C
N
除非另有说明电气特性@ 25℃
o
平均正向电流
峰值正向浪涌
当前
最大瞬时
正向电压
MBR4020PT-4045PT
MBR4060PT
MBR4020PT-4045PT
MBR4060PT
最大直流反接
电流在额定DC
阻断电压
典型结
电容
I
F( AV )
I
FSM
40.0A
400A
T
C
=125 C
8.3ms的正弦半
3脚
o
V
F
.70V
.80V
.60V
.70V
I
FM
=20.0A
T
C
= 2 5
o
C
o
T
C
=125 C


A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q


I
R
1.0mA
100mA
700pF
T
C
= 2 5 C
T
C
= 1 2 5
o
C
在测
1.0MHz,
V
R
=4.0V
o
C
j
脉冲测试:脉冲宽度300微秒,占空比2 % 。
英寸
MM






.620
.640
15.75
16.25
.837
.856
21.25
21.75
.772
.791
19.60
20.10
.149
.172
3.78
4.38
.074
.082
1.88
2.08
.192
.202
4.87
5.13
0.173 TYP
4.4 TYP
.075
.085
1.90
2.16
.115
.127
2.93
3.22
.044
.048
1.12
1.22
.114
.126
2.90
3.20
.205
.224
5.20
5.70
.083
.095
2.10
2.40
.020
.030
0.51
0.76
.076
.086
1.93
2.18
20°
典型值
10 TYP
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MBR4020PT通MBR4060PT
峰值正向浪涌电流,
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
40
图2 - 最大非重复浪涌电流
400
30
300
20
200
10
电阻或
感性负载
100
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
25
50
75
100
125
150
175
1
2
5
10
20
50
100
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
10
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流( A)
瞬时
反向电流(毫安)
T
J
= 125 C
1.0
10
MBR4020PT MBR4045PT
0.1
T
J
= 75 C
MBR4060PT
1.0
0.01
T
J
= 25 C
T
J
= 25 C
脉冲宽度300ua
300us
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
百分之额定峰值反向电压( % )
正向电压,伏
图5 - 典型结电容
10000
电容(PF )
1000
T
J
= 25°C , F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压,伏
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MBR4040PT
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:许小姐
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MBR4040PT
ON
24+
11531
TO-3P
全新原装正品现货特价
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MBR4040PT
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10000
TO-3P
原厂一级代理,原装现货
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MBR4040PT
ON/安森美
2443+
23000
TO-3P
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MBR4040PT
Diodes Incorporated
24+
10000
TO-3P
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
MBR4040PT
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
MBR4040PT
VISHAY/威世
24+
21000
TO-3P
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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MBR4040PT
ON/安森美
22+
95729
TO-3P
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联系人:李经理
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MBR4040PT
VISHAY/LT
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有挂就有货 支持订货.备货
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联系人:李林
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MBR4040PT
DIODES
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