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MBR4015LWT
SWITCHMODEt
肖特基功率整流器
TO247功率封装
本装置采用的肖特基原理在大面积
金属与硅功率整流器。特点外延与建设
氧化物钝化和金属覆盖层接触。适用于低
电压,高频开关电源;续流
二极管和极性保护二极管。
特点
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高度稳定的氧化钝化结
Guardring过电压保护
低正向压降
双二极管施工;端子1和3可连接的
并联运行在满负荷。
无需额外的硬件全部电气隔离
无铅包装是可用*
机械特性
肖特基势垒
整流器器
40安培, 15伏
1
2
3
案例:模压环氧树脂
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
重量: 4.3克(约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
, T
C
= 120°C)
每腿
每包
峰值重复正向电流,
(额定V
R
,方波,
20千赫,T
C
= 95°C)
每腿
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载
条件下半,单相,
60赫兹),每包
存储/工作温度
工作结温(注1 )
电压变动率,
(额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
价值
15
单位
V
1
2
3
TO247
CASE 340L
方式2
标记图
A
20
40
40
A
MBR4015LWT
AYWWG
I
FRM
I
FSM
120
A
T
英镑
, T
C
T
J
dv / dt的
55
+150
55
+150
10,000
°C
°C
V / ms的
MBR4015LWT
A
Y
WW
G
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
MBR4015LWT
MBR4015LWTG
TO247
TO247
(无铅)
航运
30单位/铁
30单位/铁
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年3月
9牧师
1
出版订单号:
MBR4015LWT/D
MBR4015LWT
热特性
等级
热阻,结到外壳
结到环境
每腿
每腿
符号
R
QJC
R
qJA
价值
0.57
55
单位
° C / W
电气特性
等级
最大正向电压(注2 ) ,参见图2每腿
(I
F
= 20 A)
(I
F
= 40 A)
最大瞬时反向电流(注2 ) ,参见图4每腿
(V
R
= 15 V)
(V
R
= 7.5 V)
I
R
符号
V
F
价值
T
J
= 25°C
0.42
0.50
T
J
= 25°C
5.0
2.7
T
J
= 100°C
0.36
0.48
T
J
= 100°C
530
370
mA
单位
V
1.生成必须小于从结到环境的热传导热: DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
2.脉冲测试:脉冲宽度
250
女士,
占空比
2%.
IF ,正向电流(安培)
1000
IF ,正向电流(安培)
100
1000
100
T
J
= 100°C
10
T
J
= 25°C
1.0
T
J
= -40°C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
,正向电压( V)
100
10
T
J
= 25°C
1.0
T
J
= 100°C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
,最大正向电压( V)
图1.典型正向电压每支架
图2.最大正向电压每支架
1.0E+0
I R ,最大反向电流(安培)
10E+0
I R ,反向电流( AMPS )
10E+0
1.0E+0
T
J
= 100°C
100E-3
T
J
= 100°C
100E-3
10E-3
10E-3
T
J
= 25°C
1.0E-3
1.0E-3
T
J
= 25°C
0
5.0
10
15
100E-6
V
R
,反向电压(V)的
100E-6
0
5.0
10
15
V
R
,
,
反向电压(伏)
V
R
反向电压( V)
图3.典型的反向电流每支架
图4.最大反向电流每支架
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2
MBR4015LWT
I
F
,平均正向电流( A)
PFO ,平均功耗(瓦)
40
DC
30
方波
20
14
I
pk
/I
o
=
p
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
I
O
,平均正向电流( A)
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
I
pk
/I
o
= 5
WAVE
dc
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
T
C
,外壳温度( ° C)
图5.电流降额每支架
图6.正向功耗每支架
T
J
,降额工作温度
(°C)
10,000
T
J
= 25°C
C,电容(pF )
125
115
R
TJA
= 21 ° C / W
105
95
42°C/W
85
60°C/W
75
75°C/W
65
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
V
R
,采用直流反接电压( V)
1000
100
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
V
R
,反向电压(V)的
图7.电容每支架
图8.典型工作温度
降额每支架*
*反向功耗和热失控的可能性,必须在任何重新操作此设备时,应考虑
诗句电压条件下。的T计算
J
因此,必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
T
J
可以由下式计算:T已
J
= T
JMAX
R(T) ( Pf的+ Pr的),其中
R(T )=在给定条件下的热阻抗,
PF =正向功耗,
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许的牛逼
J
由于仅直流条件下反向偏压并且被计算为T
J
= T
JMAX
R(T)镨,其中r (t)的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
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3
MBR4015LWT
R( T) ,瞬态热阻(标准化)
1.0
50%
20%
10%
0.1
5.0%
2.0%
1.0%
Rtjl ( T) = Rtjl * R(T )
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T,时间(S )
0.1
1.0
10
图9.热响应结到铅(每腿)
R( T) ,瞬态热阻(标准化)
1.0
50%
0.1
20%
10%
5.0%
0.01
2.0%
1.0%
0.001
Rtjl ( T) = Rtjl * R(T )
0.0001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T,时间(S )
1.0
10
100
1,000
图10.热响应结到环境(每腿)
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4
MBR4015LWT
包装尺寸
TO247
CASE 340L -02
问题E
T
B
U
L
4
C
E
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
N
P
Q
U
W
MILLIMETERS
最大
20.32
21.08
15.75
16.26
4.70
5.30
1.00
1.40
1.90
2.60
1.65
2.13
5.45 BSC
1.50
2.49
0.40
0.80
19.81
20.83
5.40
6.20
4.32
5.49
---
4.50
3.55
3.65
6.15 BSC
2.87
3.12
英寸
最大
0.800
8.30
0.620
0.640
0.185
0.209
0.040
0.055
0.075
0.102
0.065
0.084
0.215 BSC
0.059
0.098
0.016
0.031
0.780
0.820
0.212
0.244
0.170
0.216
---
0.177
0.140
0.144
0.242 BSC
0.113
0.123
N
A
1
2
3
Q
0.63 (0.025)
P
Y
M
T B
M
K
F
2 PL
W
D
3 PL
0.25 (0.010)
G
J
H
M
Q
S
方式2 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
阳极
阴极(S)
阳极2
阴极( S)
SWITCHMODE是半导体元件工业, LLC的商标。
安森美半导体
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MBR4015LWTG
ON
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