VS- MBR350 ， VS- MBR350 -M3 ， VS- MBR360 ， VS- MBR360 -M3
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威世半导体
肖特基整流器，3A
特点
薄型，轴向引线外形
极低的正向电压降
阴极
阳极
??高频工作
高纯度，耐高温环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
保护环，增强耐用性和长期
长期可靠性
符合RoHS指令2002/95 / EC
C-16
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
DO - 201AD （ C- 16 ）
3A
50 V, 60 V
0.64 V
为15 mA 125°C
150 °C
单芯片
5.0兆焦耳
设计和合格的商用水平
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
（ -M3只）
描述
在VS- MBR350 ... ， VS- MBR350轴向引线肖特基
整流进行了优化非常低正向电压
下降，中度泄漏。典型的应用是在
开关电源，转换器，续流二极管，
和反向电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3 APK ，T
J
= 25 °C
特征
方波
值
3.0
50/60
460
0.73
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值
反向电压
符号
V
R
V
RWM
50
50
60
60
V
VS-MBR350
VS-MBR350-M3
VS-MBR360
VS-MBR360-M3
单位
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
L
= 50℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率受限，T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
3.0
460
80
5.0
1.0
mJ
A
A
单位
修订： 13 - OCT- 11
文档编号： 93450
1
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威世半导体
电气规格
参数
符号
1.0 A
3.0 A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
9.4 A
1.0 A
3.0 A
9.4 A
T
J
= 25 °C
最大反向漏电流
SEE图。 2
典型结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
V
R
=额定V
R
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
值
0.58
0.73
1.06
0.49
0.64
0.89
0.6
8
15
190
9.0
10 000
pF
nH
V / μs的
mA
V
单位
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
交界处领导
大约重量
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJL （2）
直流操作
见图。 4
测试条件
值
- 40150
30
1.2
0.042
案例式的C- 16
MBR350
MBR360
单位
°C
° C / W
g
盎司
打标设备
笔记
(1)
(2)
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装1"方形PCB ，热探头连接到铅包2毫米
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2
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威世半导体
含铅允许温度（ ℃）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
93450_04
I
F
- 正向电流（A ）
100
DC
10
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
方
波（ D = 0.50 ）
80 ％额定V
R
应用的
SEE
注（1）
1
2
3
4
5
93450_01
V
FM
- 正向压降（ V）
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 1 - 最大正向压降特性
图。 4 - 最大允许焊接温度与
平均正向电流
3
100
I
R
- 反向电流（mA ）
10
平均功耗（ W）
T
J
= 150 °C
2.5
2
RMS限制
1.5
1
0.5
0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
DC
1
T
J
= 125 °C
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
93450_02
20
40
60
93450_05
0
0.5 1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
R
- 反向电压（ V）
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5 - 正向功率损耗特性
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
1000
C
T
- 结电容（pF ）
吨= 25°C
J
100
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下
浪涌
10
0
93450_03
10
10
100
1000
10 000
40
80
120
160
V
R
- 反向电压（ V）
93450_06
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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3
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订购信息表
威世半导体
器件代码
VS- MBR
1
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
2
3
3
60
4
TR
5
-M3
6
威世半导体产品
肖特基MBR系列
额定电流： 3 = 3] A
额定电压
50 = 50 V
60 = 60 V
TR =磁带和卷轴包装
无=散包
环境位数
无=铅（ Pb），并且符合RoHS标准
-M3 =无卤素，符合RoHS标准，并终止铅（Pb ） - 免费
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-MBR350
VS-MBR350TR
VS-MBR350-M3
VS-MBR350TR-M3
VS-MBR360
VS-MBR360TR
VS-MBR360-M3
VS-MBR360TR-M3
QUANTITY PER T / R
500
1200
500
1200
500
1200
500
1200
最小起订量
500
1200
500
1200
500
1200
500
1200
包装说明
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
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外形尺寸
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威世半导体
轴向DO - 201AD （ C- 16 ）
尺寸
毫米（英寸）
5.8 (0.23)
马克斯。
阴极带
21.0 （ 0.83 ）最低。
（ 2处）
21.0 （ 0.83 ）最低。
（ 2处）
10.0 (0.39)
马克斯。
10.0 (0.39)
马克斯。
2.54（ 0.100 ）最大。
闪存（ 2处）
1.40 (0.055)
1.20 (0.047)
（ 2处）
1.40 (0.055)
1.20 (0.047)
（ 2处）
5.8 (0.23)
马克斯。
修订： 8月29日11
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1
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