MBR350 ， MBR360
MBR360是首选设备
轴向引线整流器
这些装置采用了肖特基原理在大面积
金属与硅功率二极管。国家的最先进的几何特征
外延建设与氧化物钝化和金属重叠
接触。非常适合于用作低电压整流器，
高频逆变器，续流二极管和极性
保护二极管。
特点
http://onsemi.com
超低V
F
低功耗/高效率
高度稳定的氧化钝化结
低存储电荷，多数载流子导电
无铅包可用*
肖特基势垒
整流器
3.0安培
50 ， 60伏
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量：1.8克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：负极由带极性指示
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FSM
最大
单位
V
50
60
3.0
80
A
A
A
MBR
3x0G
G
轴向引线
CASE 267-05
(DO201AD)
风格1
标记图
MBR350
MBR360
正向平均整流电流T
A
= 65°C
(R
qJA
= 28 ° C / W ， P.C。电路板安装）
非重复峰值浪涌电流（注1 ）
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹，T
L
= 75°C)
工作和存储结温
范围内（反向电压应用）
T
J
, T
英镑
-65
+150
°C
A
x
G
（注意：
=大会地点
= 5或6个
= Pb-Free包装
微球可在任一位置）
热特性
热阻，结到环境
（见注4 - 安装数据，安装方法3 ）
R
qJA
28
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.焊接温度基准是正极引线1/32英寸的情况下。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年6月 - 修订版6
出版订单号：
MBR350/D
MBR350 ， MBR360
P
，平均功耗（瓦）
F（ AV）
5.0
300
T
J
= 150°C
C，电容（pF ）
200
T
J
= 25°C
4.0
3.0
方
WAVE
dc
100
70
50
40
2.0
1.0
0
0
2.0
3.0
4.0
I
F（ AV）
，平均正向电流（安培）
1.0
5.0
30
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
图4.功耗
图5.典型电容
注4 - 安装数据
所示的热阻数据，结到环境（R
qJA
）为示出的安装件是被用作
对于初步工程典型标准值，或者在壳体的连接点的温度不能被测量。
典型值的R
qJA
在静止空气中
MOUNTING
法
1
2
3
导线长度L（中）
1/8
50
58
1/4
51
59
28
1/2
53
61
3/4
55
63
R
qJA
° C / W
° C / W
° C / W
安装方法1
P.C。董事会在那里提供
铜表面上是小的。
L
L
安装方法2
矢量推式端子T- 28
L
L
安装方法3
P.C。董事会与X 2-1 / 2 2-1 / 2
铜表面上。
L = 1/2’’
订购信息
设备
MBR350RL
MBR350RLG
MBR360
MBR360G
MBR360RL
MBR360RLG
包
轴向引线
轴向引线
（无铅）
轴向引线
轴向引线
（无铅）
轴向引线
轴向引线
（无铅）
地平面
航运
1500单位/带卷&
1500单位/带卷&
500单位/袋
500单位/袋
1500单位/带卷&
1500单位/带卷&
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
3
MBR350 ， MBR360
包装尺寸
轴向引线
CASE 267-05
(DO201AD)
ISSUE摹
K
D
1
A
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
D
K
英寸
民
最大
0.287
0.374
0.189
0.209
0.047
0.051
1.000
MILLIMETERS
民
最大
7.30
9.50
4.80
5.30
1.20
1.30
25.40
B
K
风格1 ：
PIN 1阴极（极性带）
2.阳极
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
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为了文学：
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有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
MBR350/D
公告PD- 20594转。 B 03/03
MBR350
MBR360
肖特基整流器器
3.0安培
主要额定值及特点
特征
I
F（ AV ）
矩形
波形
V
RRM
I
FSM
@ TP = 5 μs的正弦
V
F
T
J
@ 3 APK ，T
J
= 25°C
描述/功能
单位
A
V
A
V
°C
该MBR350 ， MBR360轴向引线肖特基整流器
被优化的非常低的正向电压降，以
中度泄漏。典型的应用是在开关
电源，转换器，续流二极管和
电池反接保护。
低调，轴向引线外形
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
极低的正向电压降
高频率运行
保护环，增强耐用性和长期
可靠性
MBR350
MBR360
3.0
50/60
460
0.73
- 40150
封装类型和尺寸
概要C - 16
尺寸在毫米和英寸
www.irf.com
1
MBR350 ， MBR360
公告PD- 20594转。 B 03/03
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
MBR350
50
MBR360
60
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
*请参阅图。 4
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流*请参阅图。 6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
460
80
5.0
1.0
A
mJ
A
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲额定V
RRM
应用的
价值
3.0
单位
A
条件
占空比为50％ @ T
L
= 50℃，矩形波形式的
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1安培， L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
*请参阅图。 1
(1)
价值
0.58
0.73
1.06
0.49
0.64
0.89
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
pF
nH
V / μs的
@ 1.0A
@ 3.0A
@ 9.4A
@ 1.0A
@ 3.0A
@ 9.4A
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
RM
马克斯。反向漏电流
*请参阅图。 2
(1)
0.6
8
15
190
9.0
10000
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
（额定V
R
)
V
R
=额定V
R
C
T
L
S
典型结电容
典型的串联电感
dv / dt的最大值。变化的电压率
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围（ * ）
马克斯。储存温度范围
价值
-40至150
-40至150
30
单位
°C
°C
条件
R
thJL
典型热阻结
铅
(**)
wt
大约重量
机箱样式
（ * ） dPtot
＆ LT ;
1
° C / W DC操作（ *请参阅图4）
1.2 （ 0.042 ）， G（盎司）。
C - 16
热失控条件对自己的散热器二极管
DTJ
Rth的第（j-一）
（ ** ）安装1平方英寸的PCB ，连接从包装引线2mm热探针
2
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MBR350 ， MBR360
公告PD- 20594转。 B 03/03
160
含铅允许温度（ ℃）
平均功耗（瓦）
3
2.5
2
RMS限制
140
120
100
80
60
40
方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定Vr的应用
DC
1.5
1
0.5
0
20
见说明（ 2 ）
0
0
1
2
3
4
F（ AV ）
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
DC
5
(A)
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
平均正向电流 - I
F（ AV ）
平均正向电流 - I
(A)
图。 4 - 最大。允许焊接温度
与平均正向电流
图。 5正向功率损耗
特征
不重复浪涌电流 - 我
FSM
(A)
1000
100
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
10
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
（微秒）
图。 6 - 马克斯。不重复浪涌电流
(2)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
= 80 ％额定V
R
4
www.irf.com
MBR350 ， MR360
公告PD- 20594转。 B 03/03
订购信息表
器件代码
MBR
1
3
2
60
3
TR
4
1
2
3
4
-
-
-
-
肖特基MBR系列
额定电流： 3
额定电压
-
=包装盒（ 500片装）
= 3A
40 = 40V
60 = 60V
TR =带&卷轴包（1200个）
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
该产品的设计和工业级合格。
资质标准可在IR的网站上找到。
IR全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ， USA电话： （ 310 ） 252-7105
TAC传真： （ 310 ） 252-7309
请访问我们的www.irf.com销售联系人信息。 03/03
www.irf.com
5
公告PD- 20594转。一个03/02
MBR350
MBR360
肖特基整流器器
3.0安培
主要额定值及特点
特征
I
F（ AV ）
矩形
波形
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
@ TP = 5 μs的正弦
@ 3 APK ，T
J
= 25°C
描述/功能
单位
A
V
A
V
°C
该MBR350 ， MBR360轴向引线肖特基整流器
被优化的非常低的正向电压降，以
中度泄漏。典型的应用是在开关
电源，转换器，续流二极管和
电池反接保护。
低调，轴向引线外形
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
极低的正向电压降
高频率运行
保护环，增强耐用性和长期
可靠性
MBR350
MBR360
3.0
50/60
460
0.73
- 40150
封装类型和尺寸
概要C - 16
尺寸在毫米和英寸
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1
MBR350 ， MBR360
公告PD- 20594转。一个03/02
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
MBR350
50
MBR360
60
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
*请参阅图。 4
I
FSM
E
AS
I
AR
Max.PeakOneCycleNon重复性
浪涌电流*请参阅图。 6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
460
80
6.0
0.4
A
mJ
A
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
价值
3.0
单位
A
条件
占空比为50％ @ T
L
= 50℃，矩形波形式的
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1安培， L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
*请参阅图。 1
(1)
价值
0.58
0.73
1.06
0.49
0.64
0.89
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
pF
nH
V / μs的
@ 1.0A
@ 3.0A
@ 9.4A
@ 1.0A
@ 3.0A
@ 9.4A
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
RM
马克斯。反向漏电流
*请参阅图。 2
(1)
0.6
8
15
190
9.0
10000
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
C
T
L
S
典型结电容
典型的串联电感
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
（额定V
R
)
dv / dt的最大值。变化的电压率
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围（ * ）
马克斯。储存温度范围
价值
-40至150
-40至150
30
单位
°C
°C
条件
R
thJL
典型热阻结
铅
(**)
wt
大约重量
机箱样式
（ * ） dPtot
＆ LT ;
1
° C / W DC操作（ *请参阅图4）
1.2 （ 0.042 ）， G（盎司）。
C - 16
热失控条件对自己的散热器二极管
DTJ
Rth的第（j-一）
（ ** ）安装1平方英寸的PCB ，连接从包装引线2mm热探针
2
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MBR350 ， MBR360
公告PD- 20594转。一个03/02
160
含铅允许温度（ ℃）
平均功耗（瓦）
3
2.5
2
RMS限制
140
120
100
80
60
40
方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定Vr的应用
DC
1.5
1
0.5
0
20
见说明（ 2 ）
0
0
1
2
3
4
5
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 4 - 最大。允许焊接温度
与平均正向电流
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
DC
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5正向功率损耗特性
不重复浪涌电流 - 我
FSM
(A)
1000
100
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
10
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
（微秒）
图。 6 - 马克斯。不重复浪涌电流
(2)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
= 80 ％额定V
R
4
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MBR350 ， MR360
公告PD- 20594转。一个03/02
订购信息表
器件代码
MBR
1
3
2
60
3
TR
4
1
2
3
4
-
-
-
-
肖特基MBR系列
额定电流： 3
额定电压
-
=包装盒（ 500片装）
= 3A
40 = 40V
60 = 60V
TR =带&卷轴包（1200个）
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
该产品的设计和工业级合格。
资质标准可在IR的网站上找到。
IR全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ， USA电话： （ 310 ） 252-7105
TAC传真： （ 310 ） 252-7309
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MBR320 / D
轴向引线整流器
。 。 。采用肖特基原理在一个大面积的金属到硅
功率二极管。国家的最先进的几何特征的外延与建设
氧化物钝化和金属重叠接触。非常适合用作整流器
在低电压，高频率逆变器，续流二极管和极性
保护二极管。
特低VF
低功耗/高效率
高度稳定的氧化钝化结
低存储电荷，多数载流子导电
MBR320
MBR330
MBR340
MBR350
MBR360
MBR340和MBR360是
摩托罗拉的首选设备
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量：1.8克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端信息是
随手可焊
铅和安装表面焊接温度的目的： 220℃
马克斯。 10秒， 1/16“的情况下，
运塑料袋， 5000元包
可用的磁带和缠绕， 1500每卷中，加入了“ RL '为后缀的
产品型号
极性：负极由带极性指示
标记： B320 ， B330 ， B340 ， B350 ， B360
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流， TA = 65℃
(R
θJA
= 28 ° C / W ， P.C。电路板安装，见注3 ）
非重复性峰值浪涌电流（ 2 ）
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，
单相60赫兹， TL = 75 ° C）
工作和存储结
温度范围（反向电压应用）
峰值工作结温
（正向电流应用）
符号
VRRM
VRWM
VR
IO
IFSM
MBR320
20
MBR330
30
MBR340
40
肖特基势垒
整流器
3.0安培
20 ，30，40 ，50， 60伏
案例267-03
塑料
MBR350
50
MBR360
60
单位
V
3.0
80
A
A
TJ ， TSTG
TJ （ PK）
*
65 150℃下
150
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到环境（见注3 ，安装方法3 ）
符号
R
θJA
最大
28
单位
° C / W
电气特性
（ TL = 25℃，除非另有说明） （2）
特征
最大正向电压（ 1 ）
（ IF = 1.0安培）
（ IF = 3.0安培）
（ IF = 9.4安培）
最大瞬时反向电流@额定直流
电压（1）
TL = 25°C
TL = 100℃
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2.0 ％ 。
（ 2 ）焊接温度基准是正极引线1/32 “的情况。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
符号
vF
MBR320
MBR330
0.500
0.600
0.850
MBR340
MBR350
MBR360
单位
V
0.600
0.740
1.080
mA
0.60
20
iR
整流器器
公司1996年
数据
摩托罗拉，
设备
1
MBR320 MBR330 MBR340 MBR350 MBR360
MBR320 ， 330和340
20
我，反向电流（毫安）
R
100
40
20
10
4.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
0.004
0.002
0.001
0
10
25°C
10
20
30
VR反向电压（伏）
40
150°C
10
7.0
5.0
我，正向电流（安培）
F
3.0
2.0
TJ = 150℃
25°C
100°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
100°C
75°C
1000
100
10
图2.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压selec-
令可以估算这些相同的曲线，如果VR足够
低于额定VR 。
，平均正向电流（安培）
10
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
8.0
6.0
4.0
方
WAVE
2.0
dc
0.01
0.1
0.6 0.7
0.8
0.2
0.3 0.4 0.5
VF ，瞬时电压（伏）
0.9
F（ AV）
I
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TA ，环境温度（ C° ）
180
200
图1.典型正向电压
P
，平均功耗（瓦）
F（ AV）
2.5
方
WAVE
阻性负载
I
PK
p
（容性负载）I
AV
dc
400
300
C，电容（pF ）
200
500
图3.电流降额
（安装方法＃ 3每注1 ）
2.0
+
TJ = 25°C
1.5
我PK
I
AV
+
5.0
1.0
20
0.5
10
TJ = 150℃
0
2.0
3.0
4.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
1.0
5.0
100
90
80
70
60
50
0
100
10
20
30
40
VR反向电压（伏）
50
图4.功耗
图5.典型电容
2
整流设备数据
MBR320 MBR330 MBR340 MBR350 MBR360
MBR350和360
20
我，反向电流（毫安）
R
TJ = 100℃
10
7.0
5.0
我，正向电流（安培）
F
75°C
25°C
20
10
5.0
2.0
1.0
0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
TJ = 150℃
100°C
75°C
*所示的曲线是典型的最高电压
装置中的电压分组。典型的反向电流
用于较低电压的选择可以从估计
这些相同的曲线，如果VR充分低于额定VR 。
3.0
2.0
25°C
0
10
50
20
30
40
VR反向电压（伏）
60
80
1.0
0.7
0.5
，平均正向电流（安培）
5.0
0.3
0.2
图7.典型的反向电流*
4.0
额定Vr的
R
q
JA = 28 ° C / W
dc
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0
0.2
1.0
0.4
0.6
0.8
VF ，瞬时电压（伏）
1.2
1.4
3.0
方
WAVE
2.0
1.0
F（ AV）
TJ = 150℃
0
0
20
120
40
60
80
100
TA ，环境温度（ C° ）
140
160
图6.典型正向电压
I
图8.电流降额使用环境
（安装方法＃ 3每注1 ）
300
P
，平均功耗（瓦）
F（ AV）
5.0
4.0
TJ = 150℃
C，电容（pF ）
200
TJ = 25°C
3.0
方
WAVE
dc
100
70
50
40
2.0
1.0
0
0
2.0
3.0
4.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
1.0
5.0
30
0
10
20
30
40
VR ，反向电压（伏）
50
图9.功耗
图10.典型电容
整流设备数据
3
MBR320 MBR330 MBR340 MBR350 MBR360
注1 - 安装数据
所示的热阻结到环境数据（R
θJA
)
对于所示的座架是可以用作典型的标准值
进行初步的工程，或在该连接点的温度
不能测量。
典型值的R
θJA
在静止空气中
MOUNTING
法
1
2
3
导线长度L（中）
1/8
50
58
1/4
51
59
28
1/2
53
61
3/4
55
63
R
θJA
° C / W
° C / W
° C / W
安装方法1
P.C。董事会在那里提供
铜表面上是小的。
L
L
4
L
L
安装方法2
VECTOR PUSH -IN
端T - 28
安装方法3
P.C。董事会
2–1/2″ X 2–1/2″
铜表面上。
L = 1/2’’
地平面
整流设备数据
MBR320 MBR330 MBR340 MBR350 MBR360
包装尺寸
B
D
1
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
D
K
英寸
民
最大
0.370
0.380
0.190
0.210
0.048
0.052
1.000
–––
MILLIMETERS
民
最大
9.40
9.65
4.83
5.33
1.22
1.32
25.40
–––
K
A
风格1 ：
PIN 1阴极
2.阳极
K
2
案例267-03
版本C
整流设备数据
5
MBR350 ， MBR360
MBR360是首选设备
轴向引线整流器
这些装置采用了肖特基原理在大面积
金属与硅功率二极管。国家的最先进的几何特征
外延建设与氧化物钝化和金属重叠
接触。非常适合于用作低电压整流器，
高频逆变器，续流二极管和极性
保护二极管。
特点
http://onsemi.com
超低V
F
低功耗/高效率
高度稳定的氧化钝化结
低存储电荷，多数载流子导电
运塑料袋， 500元一袋
可用的磁带和缠绕， 1500每卷中，加入了“ RL ''后缀
零件号
这些器件具有无铅外部引线制造
只有完成*
机械特性：
肖特基势垒
整流器
3.0安培
50 ， 60伏
案例：环氧树脂，模压
重量：1.8克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
220 °C最大。 10秒，从个案1/16
极性：负极由带极性指示
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
MBR350
MBR360
平均正向电流整流
T
A
= 65 ° C（R
qJA
= 28 ° C / W ，
P.C。电路板安装）
非重复性峰值浪涌电流
（注1 ） （浪涌应用在额定负载
条件下半，单相，
60赫兹，T
L
= 75°C)
工作和存储结
温度范围
（反向电压应用）
峰值工作结温
（正向电流应用）
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
最大
单位
V
50
60
3.0
A
轴向引线
CASE 267-05
(DO201AD)
风格1
标记图
MBR
3x0
MBR3x0 =器件代码
x
= 5或6个
I
FSM
80
A
订购信息
设备
包
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
500单位/袋
1500 /磁带&卷轴
500单位/袋
1500 /磁带&卷轴
T
J
, T
英镑
-65到+150
°C
MBR350
MBR350RL
T
J（下PK）
150
°C
MBR360
MBR360RL
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.焊接温度基准是正极引线1/32英寸的情况下。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2004年12月 - 第4版
出版订单号：
MBR350/D
MBR350 ， MBR360
包装尺寸
轴向引线
CASE 267-05
(DO201AD)
ISSUE摹
K
D
1
A
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
D
K
英寸
民
最大
0.287
0.374
0.189
0.209
0.047
0.051
1.000
MILLIMETERS
民
最大
7.30
9.50
4.80
5.30
1.20
1.30
25.40
B
K
风格1 ：
PIN 1阴极（极性带）
2.阳极
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81357733850
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
MBR350/D
公告PD- 20594转。 B 03/03
MBR350
MBR360
肖特基整流器器
3.0安培
主要额定值及特点
特征
I
F（ AV ）
矩形
波形
V
RRM
I
FSM
@ TP = 5 μs的正弦
V
F
T
J
@ 3 APK ，T
J
= 25°C
描述/功能
单位
A
V
A
V
°C
该MBR350 ， MBR360轴向引线肖特基整流器
被优化的非常低的正向电压降，以
中度泄漏。典型的应用是在开关
电源，转换器，续流二极管和
电池反接保护。
低调，轴向引线外形
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
极低的正向电压降
高频率运行
保护环，增强耐用性和长期
可靠性
MBR350
MBR360
3.0
50/60
460
0.73
- 40150
封装类型和尺寸
概要C - 16
尺寸在毫米和英寸
www.irf.com
1
MBR350 ， MBR360
公告PD- 20594转。 B 03/03
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
MBR350
50
MBR360
60
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
*请参阅图。 4
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流*请参阅图。 6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
460
80
5.0
1.0
A
mJ
A
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲额定V
RRM
应用的
价值
3.0
单位
A
条件
占空比为50％ @ T
L
= 50℃，矩形波形式的
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1安培， L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
*请参阅图。 1
(1)
价值
0.58
0.73
1.06
0.49
0.64
0.89
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
pF
nH
V / μs的
@ 1.0A
@ 3.0A
@ 9.4A
@ 1.0A
@ 3.0A
@ 9.4A
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
RM
马克斯。反向漏电流
*请参阅图。 2
(1)
0.6
8
15
190
9.0
10000
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
（额定V
R
)
V
R
=额定V
R
C
T
L
S
典型结电容
典型的串联电感
dv / dt的最大值。变化的电压率
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围（ * ）
马克斯。储存温度范围
价值
-40至150
-40至150
30
单位
°C
°C
条件
R
thJL
典型热阻结
铅
(**)
wt
大约重量
机箱样式
（ * ） dPtot
＆ LT ;
1
° C / W DC操作（ *请参阅图4）
1.2 （ 0.042 ）， G（盎司）。
C - 16
热失控条件对自己的散热器二极管
DTJ
Rth的第（j-一）
（ ** ）安装1平方英寸的PCB ，连接从包装引线2mm热探针
2
www.irf.com
MBR350 ， MBR360
公告PD- 20594转。 B 03/03
160
含铅允许温度（ ℃）
平均功耗（瓦）
3
2.5
2
RMS限制
140
120
100
80
60
40
方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定Vr的应用
DC
1.5
1
0.5
0
20
见说明（ 2 ）
0
0
1
2
3
4
F（ AV ）
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
DC
5
(A)
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
平均正向电流 - I
F（ AV ）
平均正向电流 - I
(A)
图。 4 - 最大。允许焊接温度
与平均正向电流
图。 5正向功率损耗
特征
不重复浪涌电流 - 我
FSM
(A)
1000
100
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
10
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
（微秒）
图。 6 - 马克斯。不重复浪涌电流
(2)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
= 80 ％额定V
R
4
www.irf.com
MBR350 ， MR360
公告PD- 20594转。 B 03/03
订购信息表
器件代码
MBR
1
3
2
60
3
TR
4
1
2
3
4
-
-
-
-
肖特基MBR系列
额定电流： 3
额定电压
-
=包装盒（ 500片装）
= 3A
40 = 40V
60 = 60V
TR =带&卷轴包（1200个）
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
该产品的设计和工业级合格。
资质标准可在IR的网站上找到。
IR全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ， USA电话： （ 310 ） 252-7105
TAC传真： （ 310 ） 252-7309
请访问我们的www.irf.com销售联系人信息。 03/03
www.irf.com
5
VS- MBR350 ， VS- MBR350 -M3 ， VS- MBR360 ， VS- MBR360 -M3
www.vishay.com
威世半导体
肖特基整流器，3A
特点
薄型，轴向引线外形
极低的正向电压降
阴极
阳极
??高频工作
高纯度，耐高温环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
保护环，增强耐用性和长期
长期可靠性
符合RoHS指令2002/95 / EC
C-16
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
DO - 201AD （ C- 16 ）
3A
50 V, 60 V
0.64 V
为15 mA 125°C
150 °C
单芯片
5.0兆焦耳
设计和合格的商用水平
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
（ -M3只）
描述
在VS- MBR350 ... ， VS- MBR350轴向引线肖特基
整流进行了优化非常低正向电压
下降，中度泄漏。典型的应用是在
开关电源，转换器，续流二极管，
和反向电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3 APK ，T
J
= 25 °C
特征
方波
值
3.0
50/60
460
0.73
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值
反向电压
符号
V
R
V
RWM
50
50
60
60
V
VS-MBR350
VS-MBR350-M3
VS-MBR360
VS-MBR360-M3
单位
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
L
= 50℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率受限，T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
3.0
460
80
5.0
1.0
mJ
A
A
单位
修订： 13 - OCT- 11
文档编号： 93450
1
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威世半导体
电气规格
参数
符号
1.0 A
3.0 A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
9.4 A
1.0 A
3.0 A
9.4 A
T
J
= 25 °C
最大反向漏电流
SEE图。 2
典型结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
V
R
=额定V
R
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
值
0.58
0.73
1.06
0.49
0.64
0.89
0.6
8
15
190
9.0
10 000
pF
nH
V / μs的
mA
V
单位
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
交界处领导
大约重量
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJL （2）
直流操作
见图。 4
测试条件
值
- 40150
30
1.2
0.042
案例式的C- 16
MBR350
MBR360
单位
°C
° C / W
g
盎司
打标设备
笔记
(1)
(2)
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装1"方形PCB ，热探头连接到铅包2毫米
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2
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威世半导体
含铅允许温度（ ℃）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
93450_04
I
F
- 正向电流（A ）
100
DC
10
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
方
波（ D = 0.50 ）
80 ％额定V
R
应用的
SEE
注（1）
1
2
3
4
5
93450_01
V
FM
- 正向压降（ V）
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 1 - 最大正向压降特性
图。 4 - 最大允许焊接温度与
平均正向电流
3
100
I
R
- 反向电流（mA ）
10
平均功耗（ W）
T
J
= 150 °C
2.5
2
RMS限制
1.5
1
0.5
0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
DC
1
T
J
= 125 °C
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
93450_02
20
40
60
93450_05
0
0.5 1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
R
- 反向电压（ V）
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5 - 正向功率损耗特性
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
1000
C
T
- 结电容（pF ）
吨= 25°C
J
100
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下
浪涌
10
0
93450_03
10
10
100
1000
10 000
40
80
120
160
V
R
- 反向电压（ V）
93450_06
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
修订： 13 - OCT- 11
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3
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订购信息表
威世半导体
器件代码
VS- MBR
1
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
2
3
3
60
4
TR
5
-M3
6
威世半导体产品
肖特基MBR系列
额定电流： 3 = 3] A
额定电压
50 = 50 V
60 = 60 V
TR =磁带和卷轴包装
无=散包
环境位数
无=铅（ Pb），并且符合RoHS标准
-M3 =无卤素，符合RoHS标准，并终止铅（Pb ） - 免费
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-MBR350
VS-MBR350TR
VS-MBR350-M3
VS-MBR350TR-M3
VS-MBR360
VS-MBR360TR
VS-MBR360-M3
VS-MBR360TR-M3
QUANTITY PER T / R
500
1200
500
1200
500
1200
500
1200
最小起订量
500
1200
500
1200
500
1200
500
1200
包装说明
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
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尺寸
最热资讯
包装信息
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外形尺寸
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威世半导体
轴向DO - 201AD （ C- 16 ）
尺寸
毫米（英寸）
5.8 (0.23)
马克斯。
阴极带
21.0 （ 0.83 ）最低。
（ 2处）
21.0 （ 0.83 ）最低。
（ 2处）
10.0 (0.39)
马克斯。
10.0 (0.39)
马克斯。
2.54（ 0.100 ）最大。
闪存（ 2处）
1.40 (0.055)
1.20 (0.047)
（ 2处）
1.40 (0.055)
1.20 (0.047)
（ 2处）
5.8 (0.23)
马克斯。
修订： 8月29日11
文档编号： 95242
1
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MBR340系列
肖特基势垒整流器器
电压
特点
低功耗，高效率
高浪涌能力
·高电流能力和低正向压降
浪涌过载额定值为80A峰值
0.375(9.5)
1.0(25.4)MIN.
40至200伏特
当前
3.0安培
·保护环片施工瞬态保护
0.052(1.3)
0.048(1.2)
和极性保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
0.285(7.2)
适用于低电压，高频率逆变器，续流，
案例： DO - 201AD模压塑料
终端：轴向引线，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：颜色频带为负极
安装位置：任意
重量： 0.0395盎司， 1.122克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
霸岭我忒
马曦妈妈再 urre NT P EAK回复已经RS电子武LTA GE
马曦妈妈RMS武LTA克é
马曦妈妈D C B罗 K I NG武LTA克é
一个已经RA克e重新 TI网络E D OUTP UT urre新台币
（S E E的F i克URE 1 ）
没有正重新PE钛Ti已经P EAK F RWA RD S URG式C urre NT ： 8 0.3毫秒
SI吴乐哈哈LF SI NE -Wa已经s提高ê里MP osedon RA TE LO广告
F RWA RD武LTA克E A T第3 0.0 A（无德3 ）
P·E A K回复已经RS式C urre新台币一吨镭TE D D C
B LO C k的我，吴武LTA克é
典型I C A L的RMA升重的I的TA NC E（无德2 ）
（无德1 ）
（无德1 ）
欧普ê RA TI NG UNC TI奥纳次S到岭GE特MP ê RA TURE吴镭ê
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
F S M
V
F
I
R
R
θJ
A
R
θJ
C
R
θJ
L
T
J
,T
s TG
1.0(25.4)MIN.
机械数据
0.210(5.3)
0.188(4.8)
MB R3 4 0
MB R3 4 5 MB R3 5 0 MB R3 6 0 MB R3 8 0 MB R3 9 0 MB R3 1 0 0 MB R3 1 5 0 MB R3 2 0 0
单位
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
3 .0
80
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7 0
0 .7 4
0 .0 5
10
50
12
15
0 .8 0
0.9
V
mA
O
C / W
-5 5 + 1 5 0
-6 5 1 5 0
O
C
注意事项：
1.测得的环境温度，从所述壳体的距离9.5毫米
2.最小焊盘面积
3.脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
八月18,2010 - REV.01
PAGE 。 1
MBR340系列
80
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
3.0
2.5
2.0
1.5
0.375" 9.5mmLEADLENGHTS
RESISTIVEORINDUCTIVELOAD
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）T
J
= T
J（下最大）
64
48
32
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
O
16
140
160
180
0
1
10
100
焊接温度，C
循环次数在60Hz
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-最大非REPETITIVEPEAKFORWARD
浪涌电流
I
R
，瞬时反向电流（mA）
10
T
J
= 125 C
1
T
J
= 75 C
0.1
o
o
I
F
， INSTAN TANEOU的前行CURR ENT （ A）
10
1.0
0.01
T
J
= 25
o
C
0.001
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0
20
40
60
80
100
V
F
，正向电压（ V）
1999额定峰值反向百分比（％ ）
图3 - 典型的反向特性
1000
C
T
，总CAPA CITANC E（ pF）的
T
J
= 25 C
F = 1.0MHz的
VSIG = 50mVp -P
O
FIG.4-典型正向
特征
100
10
0.1
1
10
V
R
，反向电压（V）的
100
Fig.5-典型的总特征
八月18,2010 - REV.01
PAGE 。 2
QQ：2881677436 复制
