MBR30H150CT ， MBRF30H150CT & MBRB30H150CT - 1系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
反向电压
150V
正向电流
30A
最大。结温
175°C
双高压肖特基整流器
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低漏电流，低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于高频逆变器的使用，
极性保护应用
TO- 220AB （ MBR30H150CT ）
0.398 (10.10)
0.382 (8.70)
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.343 （ 8.70 ）典型值。
0.150 (3.80)
0.139 (3.54)
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
DIA 。
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
0.067
（ 1.70 ）典型值。
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 262AA
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，由案（ TO- 220AB ，
ITO - 220AB ）在终端（ TO- 236AB ）
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
0.331 （ 8.40 ）典型值。
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
1
0.118
（ 3.00 ）典型值。
针
2
3
1.161 (29.48)
1.105 (28.08)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
销1
销2
例
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
3脚
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.064 (1.62)
0.056 (1.42)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
尺寸以英寸
（毫米）
ITO - 220AB （ MBRF30H150CT ）
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
1.29 (3.28)
1.21 (3.08)
DIA 。
0.108 (2.74)
0.092 (2.34)
TO- 262AA （ MBRB30H150CT -1）
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.138 (3.50)
0.122 (3.10)
0.141 (3.58)
0.125 (3.18)
0.633 (16.07)
0.601 (15.67)
0.370 (9.39)
0.354 (8.99)
0.055 (1.40)
0.039 (1.00)
K
0.630 (16.00)
0.614 (15.60)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
0.425 (10.80)
0.393 (10.00)
1
针
2
3
1
针
2
0.488 (12.4)
0.472 (12.00)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
3
1.164 (29.55)
1.108 (28.15)
0.117 (2.96)
0.101 (2.56)
销1
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.396 (10.05)
0.372 (9.45)
0.039 (1.00)
0.024 (0.60)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
销2
例
3脚
0.531 (13.48)
0.507 (12.88)
0.058 （ 1.47 ）典型值。
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.062 (1.57)
0.054 (1.37)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
销1
3脚
销2
例
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
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威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
设备总
每腿
I
F（ AV ）
MBR30H150CT
150
150
150
30
15
260
1.0
10
20
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
每腿峰值非重复性反向浪涌能量
（ 8 / 20μS波形）
每腿非重复性雪崩能量
在25℃下，我
AS
= 2.0A ，L = 10MH
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
E
RSM
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
mJ
mJ
V / μs的
°C
V
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
:
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
15A,
15A,
30A,
30A,
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
T
C
=
T
C
=
T
C
=
T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.90
0.75
0.99
0.86
5.0
1.0
单位
V
F
V
A
mA
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
1.7
MBRF
4.0
MBRB
1.7
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
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威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向降额曲线
（总）
40
35
280
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
240
200
160
120
80
40
0
T
J
= T
JMAX
8.3ms单半波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
MBR ， MBRB
30
MBRF
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
F
- 正向电流（A ）
100
10,000
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
T
J
= 175°C
T
J
= 175°C
1,000
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
10
100
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
1
T
J
= 75°C
T
J
= 25°C
10
T
J
= 75°C
1
0.1
T
J
= 25°C
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0.01
0.8 0.9 1.0 1.1
1.2
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
每腿
10000
100
图。 6 - 典型瞬态
每腿热阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
1000
10
MBRF
100
1
MBR ， MBRB
10
0.1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
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MBR30H150CT ， MBRF30H150CT & MBRB30H150CT - 1系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
反向电压
150V
正向电流
30A
最大。结温
175°C
双高压肖特基整流器
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低漏电流，低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于高频逆变器的使用，
极性保护应用
TO- 220AB （ MBR30H150CT ）
0.398 (10.10)
0.382 (8.70)
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.343 （ 8.70 ）典型值。
0.150 (3.80)
0.139 (3.54)
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
DIA 。
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
0.067
（ 1.70 ）典型值。
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 262AA
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，由案（ TO- 220AB ，
ITO - 220AB ）在终端（ TO- 236AB ）
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
0.331 （ 8.40 ）典型值。
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
1
0.118
（ 3.00 ）典型值。
针
2
3
1.161 (29.48)
1.105 (28.08)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
销1
销2
例
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
3脚
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.064 (1.62)
0.056 (1.42)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
尺寸以英寸
（毫米）
ITO - 220AB （ MBRF30H150CT ）
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
1.29 (3.28)
1.21 (3.08)
DIA 。
0.108 (2.74)
0.092 (2.34)
TO- 262AA （ MBRB30H150CT -1）
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.138 (3.50)
0.122 (3.10)
0.141 (3.58)
0.125 (3.18)
0.633 (16.07)
0.601 (15.67)
0.370 (9.39)
0.354 (8.99)
0.055 (1.40)
0.039 (1.00)
K
0.630 (16.00)
0.614 (15.60)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
0.425 (10.80)
0.393 (10.00)
1
针
2
3
1
针
2
0.488 (12.4)
0.472 (12.00)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
3
1.164 (29.55)
1.108 (28.15)
0.117 (2.96)
0.101 (2.56)
销1
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.396 (10.05)
0.372 (9.45)
0.039 (1.00)
0.024 (0.60)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
销2
例
3脚
0.531 (13.48)
0.507 (12.88)
0.058 （ 1.47 ）典型值。
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.062 (1.57)
0.054 (1.37)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
销1
3脚
销2
例
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
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MBR30H150CT ， MBRF30H150CT & MBRB30H150CT - 1系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
设备总
每腿
I
F（ AV ）
MBR30H150CT
150
150
150
30
15
260
1.0
10
20
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
每腿峰值非重复性反向浪涌能量
（ 8 / 20μS波形）
每腿非重复性雪崩能量
在25℃下，我
AS
= 2.0A ，L = 10MH
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
E
RSM
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
mJ
mJ
V / μs的
°C
V
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
:
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
15A,
15A,
30A,
30A,
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
T
C
=
T
C
=
T
C
=
T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.90
0.75
0.99
0.86
5.0
1.0
单位
V
F
V
A
mA
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
1.7
MBRF
4.0
MBRB
1.7
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
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MBR30H150CT ， MBRF30H150CT & MBRB30H150CT - 1系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向降额曲线
（总）
40
35
280
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
240
200
160
120
80
40
0
T
J
= T
JMAX
8.3ms单半波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
MBR ， MBRB
30
MBRF
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
F
- 正向电流（A ）
100
10,000
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
T
J
= 175°C
T
J
= 175°C
1,000
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
10
100
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
1
T
J
= 75°C
T
J
= 25°C
10
T
J
= 75°C
1
0.1
T
J
= 25°C
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0.01
0.8 0.9 1.0 1.1
1.2
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
每腿
10000
100
图。 6 - 典型瞬态
每腿热阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
1000
10
MBRF
100
1
MBR ， MBRB
10
0.1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
文档编号88865
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MBR30H150CT ， MBRF30H150CT & SB30H150CT - 1
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
低漏电流5.0 μA
TO-220AB
ITO-220AB
特点
Guardring过电压保护
低功耗，高效率
低正向压降
??高频工作
1
2
3
1
2
3
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，续流和
极性保护应用。
MBR30H150CT
TO-262AA
MBRF30H150CT
1
2
3
SB30H150CT-1
销1
3脚
销2
例
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
2× 15 A
150 V
260 A
0.75 V
175 °C
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
安装扭矩：
最大10磅
极性：
由于标
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
E
RSM
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR30H150CT
150
150
150
30
15
260
1.0
10
20
10 000
- 65 + 175
1500
单位
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / μs的
°C
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加
每个二极管的额定载荷
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
每个二极管的峰值非重复性反向浪涌能量（ 8/20微秒波形）
每个二极管非重复性雪崩能量在25 ° C，I
AS
= 2.0 A，L = 10毫亨
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压端子（ ITO - 220AB只）到散热片T = 1分
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修订： 18 -APR- 08
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1
MBR30H150CT ， MBRF30H150CT & SB30H150CT - 1
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向
每个二极管电压
(1)
最大反向电流每二极管
在工作峰值反向电压
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
测试条件
I
F
= 15 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
I
F
= 30 A
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
价值
0.90
0.75
0.99
0.86
5.0
1.0
单位
V
F
V
I
R
A
mA
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
MBR
1.7
MBRF
4.0
MBRB
1.7
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-262AA
首选的P / N
MBR30H150CT-E3/45
MBRF30H150CT-E3/45
SB30H150CT-1E3/45
单位重量（g ）
2.06
2.20
1.58
封装代码
45
45
45
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
配送方式
管
管
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
40
35
MBR ， MBRB
30
MBRF
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
280
峰值正向浪涌电流（ A）
平均正向电流（ A）
240
200
160
120
80
40
0
1
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向降额曲线（总）
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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MBR30H150CT ， MBRF30H150CT & SB30H150CT - 1
威世通用半导体
100
10 000
正向电流（A ）
10
T
J
= 125 °C
结电容（pF ）
T
J
= 175 °C
1000
T
J
= 75 °C
T
J
= 25 °C
1
100
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
10
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10 000
T
J
= 175 °C
1000
T
J
= 125 °C
100
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
10
MBRF
10
T
J
= 75 °C
1
1
MBR ， MBRB
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
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MBR30H150CT ， MBRF30H150CT & SB30H150CT - 1
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.343 (8.70)
典型值。
0.150 (3.80)
0.139 (3.54)
DIA 。
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.331 (8.40)
典型值。
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
1.161 (29.48)
1.106 (28.08)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
ITO-220AB
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
1.29 (3.28)
DIA 。
1.21 (3.08)
0.138 (3.50)
0.122 (3.10)
0.270 (6.88)
0.255 (6.48)
0.193 (4.90)
0.177 (4.50)
0.108 (2.74)
0.092 (2.34)
0.067 (1.70)
典型值。
针
1 2 3
0.118 (3.00)
典型值。
0.630 (16.00)
0.614 (15.60)
1
针
2
0.264 (6.70)
0.248 (6.50)
0.320 (8.12)
0.304 (7.72)
0.633 (16.07)
0.601 (15.67)
3
0.117 (2.96)
0.101 (2.56)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.100 (2.54)
典型值。
0.064 (1.62)
0.056 (1.42)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.396 (10.05)
0.372 (9.45)
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.039 (1.00)
0.024 (0.60)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.058 （ 1.47 ）最大。
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
TO-262AA
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.055 (1.40)
0.039 (1.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
K
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
1
针
2
0.425 (10.80)
0.393 (10.00)
3
0.488 (12.4)
0.472 (12.00)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.062 (1.57)
0.054 (1.37)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
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