新产品
膜生物反应器（F ， B） 30H90CT & MBR （F ， B） 30H100CT
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
高阻隔技术改进高温性能
TO-220AB
ITO-220AB
MBR30H90CT
MBR30H100CT
销1
3脚
销2
例
2
1
3
1
MBRF30H90CT
MBRF30H100CT
销1
3脚
销2
2
3
TO-263AB
K
特点
Guardring过电压保护
更低的功率损耗，效率高
低正向压降
低漏电流
高正向浪涌能力
??高频工作
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB和
ITO - 220AB封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
在切换高频整流用
式电源，续流二极管，直流 - 直流
转换器或极性保护应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
2
1
MBRB30H90CT
MBRB30H100CT
销1
销2
K
散热器
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
J
马克斯。
15 A ×2
90 V, 100 V
275 A
0.67 V
5.0 A
175 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流（图1）
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR30H90CT
90
90
90
30
15
275
1.0
10 000
- 65 + 175
1500
MBR30H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加
每个二极管的额定载荷
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AB只） ，从终端到散热片T = 1分
文档编号： 88791
修订： 19 08年5月
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膜生物反应器（F ， B） 30H90CT & MBR （F ， B） 30H100CT
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向
每个二极管电压
(1)
额定V最大反向电流
R
每二极管
(2)
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
测试条件
I
F
= 15 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
I
F
= 30 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
价值
0.82
0.67
0.93
0.80
5.0
6.0
单位
V
F
V
I
R
A
mA
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
MBR
1.9
MBRF
4.6
MBRB
1.9
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
MBR30H100CT-E3/45
MBRF30H100CT-E3/45
MBRB30H100CT-E3/45
MBRB30H100CT-E3/81
MBR30H100CTHE3/45
(1)
单位重量（g ）
1.85
1.99
1.35
1.35
1.85
1.99
1.35
1.35
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
管
管
磁带和卷轴
MBRF30H100CTHE3/45
(1)
MBRB30H100CTHE3/45
(1)
MBRB30H100CTHE3/81
(1)
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
35
300
平均正向电流（ A）
30
25
20
MBRF30H90CT - MBRF30H100CT
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
MBR30H90CT - MBR30H100CT
MBRB30H90CT - MBRB30H100CT
峰值正向浪涌电流（ A）
250
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
200
150
100
50
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向降额曲线每二极管
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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威世通用半导体
100
10 000
正向电流（A ）
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
结电容（pF ）
T
J
= 175 °C
1000
100
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10 000
T
J
= 175 °C
1000
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
10
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
100
10
1
T
J
= 25 °C
1
0.1
0.01
20
40
60
80
100
0.1
0.01
0.1
1
10
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
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威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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日前，Vishay
放弃
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日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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文档或任何Vishay的行为。
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT
最大额定值
（每二极管腿）
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(T
C
= 156°C)
每二极管
每个器件
重复峰值正向电流
（方波， 20千赫，T
C
= 151°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结温（注1 ）
储存温度
变化的电压率（额定V
R
)
控制雪崩能量（参见图13和14的测试条件下）
ESD额定值：机器型号= C
人体模型= 3B
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
价值
100
单位
V
A
15
30
30
250
+175
*65
到+175
10,000
200
＆ GT ; 400
> 8000
A
A
°C
°C
V / ms的
mJ
V
I
FM
I
FSM
T
J
T
英镑
dv / dt的
W
AVAL
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.生成必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
热特性
特征
最大热阻
(MBR30H100CT)
(MBRF30H100CT)
结到外壳
结到环境
结到外壳
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
R
QJC
R
qJA
价值
2.0
60
4.2
75
单位
° C / W
电气特性
（每二极管腿）
特征
最大正向电压（注2 ）
(i
F
= 15 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 15 A，T
J
= 125°C)
(i
F
= 30 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 30 A，T
J
= 125°C)
最大瞬时反向电流（注2 ）
（额定直流电压，T
J
= 125°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
符号
v
F
民
典型值
0.76
0.64
0.88
0.76
1.1
0.0008
最大
0.80
0.67
0.93
0.80
mA
6.0
0.0045
单位
V
i
R
设备订货信息
设备订单号
MBR30H100CT
MBR30H100CTG
MBRF30H100CTG
套餐类型
TO220
TO220
（无铅）
TO220FP
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
http://onsemi.com
2
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT
我，正向电流（安培
F
100
我，正向电流（安培
F
100
10
175°C
10
175°C
T
J
= 150°C
1.0
125°C
1.0
T
J
= 150°C
125°C
0.1
0.0
25°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
v
F,
正向电压（伏）
0.1
0.0
25°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
v
F,
正向电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
1E01
I
R
，反向电流（ AMPS ）
1E02
1E03
1E04
1E05
1E06
1E07
1E08
0
20
40
60
80
100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 150°C
I
R
，最大反向电流（安培）
1E01
1E02
1E03
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
1E04
1E05
1E06
T
J
= 25°C
1E07
1E08
0
20
40
60
80
100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图3.典型的反向电流
图4.最大反向电流
dc
，平均正向电流（安培）
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
130
方波
135
140
145
150
155
160
165
170
175
180
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
，平均正向电流（安培）
施加额定电压
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无需散热器）
dc
方波
dc
F（ AV）
I
F（ AV）
I
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ C° ）
T
A
，环境温度（ ° C）
图5.电流降额，每腿案例
图6.电流降额，每腿环境
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3
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT
P
，正向平均功耗（瓦
F（ AV）
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
10000
T
J
= 175°C
方波
C，电容（pF ）
1000
T
J
= 25°C
dc
100
10
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
0
20
40
60
80
100
V
R
，反向电压（伏）
图7.前向功率耗散
图8.电容
R（T ） ，瞬态热阻
100
D = 0.5
10
0.2
0.1
1
0.05
0.01
0.1
单脉冲
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
1000
图9.热响应结到环境的MBR30H100CT
R（T ） ，瞬态热阻
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.01
单脉冲
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
1000
图10.热响应结到外壳的MBR30H100CT
http://onsemi.com
4
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT
R（T ） ，瞬态热阻
10
D = 0.5
1.0
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1.0
0.1
P
（ PK）
Z
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.6 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
Z
QJC
(t)
10
100
1000
0.001
0.000001
0.00001
图11.热响应结到外壳的MBRF30H100CT
100
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
1.0
P
（ PK）
Z
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.6 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
Z
QJC
(t)
10
100
1000
0.1
0.01
0.001
0.000001
单脉冲
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1.0
0.00001
图12.热响应结到环境的MBRF30H100CT
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5
CREAT的艺术
MBR30H100CT
30.0AMPS 。肖特基势垒整流器
TO-220AB
Pb
特点
RoHS指令
合规
UL认证文件＃ E- 326243
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
高浪涌电流能力
保护环的过压保护
适用于低电压应用 - 高频发明者，
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
260 ℃ / 10秒/ 0.375" ，设计（9.5mm ）导线长度
在5 lbs 。 ， （ 2.3千克）张力
资格按照AEC- Q101
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G"
机械数据
案例： TO- 220AB
终端：纯锡电镀引线，焊
每MIL -STD- 202方法208保证
极性：标示
重量： 1.92克
安装扭矩： 5 IN-磅，最大
安装位置：任意
尺寸以英寸（毫米）
标记图
MBR30HXXXCT =具体设备守则
G
Y
WW
=绿色复合
=年
=工作周
最大额定值和电气特性
等级25
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
类型编号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
明珠重复正向电流（额定VR ，
方波，为20KHz ）
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半
叠加在额定负荷
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压
IF = 15A ，T
A
=25℃
IF = 15A ，T
A
=125℃
IF = 30A ，T
A
=25℃
IF = 30A ，T
A
=125℃
最大反向电流@额定V
R
（注2 ）
电压变动率（额定V
R
)
典型结电容（注3 ）
典型热阻（注4 ）
工作温度范围
存储温度范围
注1 ： 2.0uS脉冲宽度， F = 1.0KHz
注2 ：脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
T
A
=25
℃
T =125
℃
A
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
FSM
I
RRM
MBR30H100CT
100
70
100
30
30
150
1
0.85
单位
V
V
V
A
A
A
A
V
F
0.75
0.98
0.85
10
2
10000
400
2
- 65 + 175
- 65 + 175
O
V
I
R
dv / dt的
Cj
R
θJC
T
J
T
英镑
uA
mA
V /美
pF
C / W
O
O
C
C
注3 ：测量在1 MHz和4.0V DC应用反向电压
注4 ：散热片尺寸（ 4" X 6" X 0.25" ）铝板材
版本： E11
额定值和特性曲线（ MBR30H100CT ）
图1正向电流降额曲线
35
平均正向
A
电流（A ）
30
25
20
15
10
5
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
焊接温度（
o
C)
电阻或
INDUCTIVELOA
峰值正向浪涌
A
电流（A ）
150
125
100
75
50
25
0
1
图。 2最大正向浪涌
当前
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
10
循环次数在60赫兹
100
图。 3典型正向CHARACTERISRICS
10000
100
反向漏电流（ UA）
正向电流（ A）
TA=150℃
1000
100
图。 4典型的反向特性
TA=150℃
TA=125℃
10
TA=125℃
1
TA=25℃
10
1
0.1
TA=25℃
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
正向电压（ V）
0.8
0.9
1
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5典型结电容
1000
结电容（pF ）
A
100
图。 6典型的瞬态热阻抗
每腿
瞬态热
阻抗（
℃
/W)
0.1
1
10
100
10
100
1
10
反向电压（ V）
0.1
0.01
0.1
1
T-脉冲持续时间（S ）
10
100
版本： E11
MBR30H100CT
最大额定值
（每二极管腿）
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(T
C
= 156°C)
每二极管
每个器件
重复峰值正向电流
（方波， 20千赫，T
C
= 151°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结温（注1 ）
储存温度
变化的电压率（额定V
R
)
控制雪崩能量（参见图11和图12的试验条件）
ESD额定值：机器型号= C
人体模型= 3B
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
15
30
I
FM
I
FSM
T
J
T
英镑
dv / dt的
W
AVAL
30
250
+175
*65
到+175
10,000
200
＆ GT ; 400
> 8000
A
A
°C
°C
V / ms的
mJ
V
价值
100
单位
V
A
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.生成必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
热特性
特征
最大热阻 - 结到外壳（最少PAD）
- 结到环境（最少PAD）
符号
R
QJC
R
qJA
价值
2.0
60
单位
° C / W
电气特性
（每二极管腿）
特征
最大正向电压（注2 ）
(i
F
= 15 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 15 A，T
J
= 125°C)
(i
F
= 30 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 30 A，T
J
= 125°C)
最大瞬时反向电流（注2 ）
（额定直流电压，T
J
= 125°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
符号
v
F
i
R
1.1
0.0008
6.0
0.0045
0.76
0.64
0.88
0.76
0.80
0.67
0.93
0.80
mA
民
典型值
最大
单位
V
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2
MBR30H100CT
P
，正向平均功耗（瓦
F（ AV）
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
10000
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
方波
C，电容（pF ）
1000
dc
100
10
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
0
20
40
60
80
100
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
V
R
，反向电压（伏）
图7.前向功率耗散
图8.电容
R（T ） ，瞬态热阻
100
D = 0.5
10
0.2
0.1
0.05
0.01
P
（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
图9.热响应结点到环境
R（T ） ，瞬态热阻
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.01
单脉冲
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
1000
图10.热响应结到外壳
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4
MBR30H100CT
+V
DD
I
L
10 mH的线圈
V
D
MERCURY
开关
I
D
I
D
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
BV
DUT
DUT
S
1
I
L
图11.测试电路
图12.电流电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图11是用来展示控制雪崩
此设备的能力。水银开关代替
一个电子开关，以模拟在嘈杂的环境
当正在打开开关。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
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5
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT & MBRB30H100CT系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
高电压双肖特基整流器
反向电压
90 100V
正向电流
30A
最大的T
J
175°C
ITO - 220AB （ MBRF30H90CT ， MBRF30H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO-220AB
（ MBR30H90CT ， MBR30H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.060 (1.52)
销1
销2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
3脚
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB30H90CT ， MBRB30H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.624 (15.85)
1
K
2
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.360 (9.14)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
0.320 (8.13)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.105 (2.67)
0.12
(3.05)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于使用低电压，高频率逆变器，免费
续流和极性保护应用
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
www.vishay.com
1
文档编号88791
11-Jul-03
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT & MBRB30H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR30H90CT
90
90
90
30
15
275
1.0
MBR30H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
（参见图1）
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
at
at
at
at
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
15A ，T
J
=
15A ，T
J
=
30A ，T
J
=
30A ，T
J
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.82
0.67
0.93
0.80
5.0
6.0
单位
V
F
V
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
(4)
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
A
mA
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
1.9
MBRF
4.6
MBRB
1.9
单位
O
C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR30H90CT - MBR30H100CT
MBRF30H90CT - MBRF30H100CT
MBRB30H90CT - MBRB30H100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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文档编号88791
11-Jul-03
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT & MBRB30H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向降额曲线
每腿
35
30
25
20
MBRF30H90CT - MBRF30H100CT
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
MBR30H90CT - MBR30H100CT
MBRB30H90CT - MBRB30H100CT
300
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
T
j
= T
j max的情况
8.3ms单半波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
250
200
150
100
50
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
F
- 正向电流（A ）
100
10000
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
T
J
= 175°C
10
150°C
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
T
J
= 175°C
1000
100
150°C
125°C
100°C
125°C
1.0
100°C
25°C
10
1
0.1
25°C
0.1
0.01
0.0
0.01
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
20
40
60
80
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
每腿
10000
图。 6 - 典型瞬态
热阻抗
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
1000
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
反向电压（ V）
文档编号88791
11-Jul-03
1
0.1
T，脉冲持续时间（秒）。
10
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3
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT & MBRB30H100CT系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
高电压双肖特基整流器
反向电压
90 100V
正向电流
30A
最大的T
J
175°C
ITO - 220AB （ MBRF30H90CT ， MBRF30H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO-220AB
（ MBR30H90CT ， MBR30H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.060 (1.52)
销1
销2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
3脚
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB30H90CT ， MBRB30H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.624 (15.85)
1
K
2
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.360 (9.14)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
0.320 (8.13)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.105 (2.67)
0.12
(3.05)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于使用低电压，高频率逆变器，免费
续流和极性保护应用
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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文档编号88791
11-Jul-03
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT & MBRB30H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR30H90CT
90
90
90
30
15
275
1.0
MBR30H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
（参见图1）
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
at
at
at
at
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
15A ，T
J
=
15A ，T
J
=
30A ，T
J
=
30A ，T
J
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.82
0.67
0.93
0.80
5.0
6.0
单位
V
F
V
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
(4)
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
A
mA
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
1.9
MBRF
4.6
MBRB
1.9
单位
O
C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR30H90CT - MBR30H100CT
MBRF30H90CT - MBRF30H100CT
MBRB30H90CT - MBRB30H100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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11-Jul-03
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT & MBRB30H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向降额曲线
每腿
35
30
25
20
MBRF30H90CT - MBRF30H100CT
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
MBR30H90CT - MBR30H100CT
MBRB30H90CT - MBRB30H100CT
300
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
T
j
= T
j max的情况
8.3ms单半波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
250
200
150
100
50
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
F
- 正向电流（A ）
100
10000
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
T
J
= 175°C
10
150°C
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
T
J
= 175°C
1000
100
150°C
125°C
100°C
125°C
1.0
100°C
25°C
10
1
0.1
25°C
0.1
0.01
0.0
0.01
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
20
40
60
80
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
每腿
10000
图。 6 - 典型瞬态
热阻抗
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
1000
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
反向电压（ V）
文档编号88791
11-Jul-03
1
0.1
T，脉冲持续时间（秒）。
10
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3
CREAT的艺术
MBR30H100CT
30.0AMPS 。肖特基势垒整流器
TO-220AB
特点
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
高浪涌电流能力
保护环的过压保护
适用于低电压应用 - 高频逆变器，
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
260 ℃ / 10秒
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G"
机械数据
案例： TO- 220AB
终端：纯锡电镀引线，焊
每MIL -STD- 202方法208保证
极性：标示
重量： 1.92克
安装扭矩： 5 IN-磅，最大
安装位置：任意
订购信息（例如）
产品型号
MBR30H100CT
包
填料
包装CODE
C0
包装CODE
（绿色）
C0G
TO- 220AB 50 / TUBE
最大额定值和电气特性
等级25
℃
环境温度，除非另有规定。
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
明珠重复正向电流
（额定VR ，方波，为20KHz ）
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压（注2 ）
IF = 15A ，T
A
=25℃
IF = 15A ，T
A
=125℃
IF = 30A ，T
A
=25℃
IF = 30A ，T
A
=125℃
最大反向电流@额定V
R
电压变动率（额定V
R
)
典型结电容（注3 ）
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
注1 ： 2.0uS脉冲宽度， F = 1.0KHz
注2 ：脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
T
A
=25
℃
T
A
=125
℃
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
FSM
I
RRM
MBR30H100CT
100
70
100
30
30
150
1
0.85
单位
V
V
V
A
A
A
A
V
F
0.75
0.98
0.85
10
2
10000
400
2
- 65 + 175
- 65 + 175
O
V
I
R
dv / dt的
Cj
R
θJC
T
J
T
英镑
uA
mA
V /美
pF
C / W
O
O
C
C
注3 ：测量在1 MHz和4.0V DC应用反向电压
版本： G12
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT & MBRB30H100CT系列
反向电压
90 100V
正向电流
30A
最大的T
J
175°C
ITO - 220AB （ MBRF30H90CT ， MBRF30H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO-220AB
（ MBR30H90CT ， MBR30H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.060 (1.52)
销1
销2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
3脚
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB30H90CT ， MBRB30H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.624 (15.85)
1
K
2
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.360 (9.14)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
0.320 (8.13)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.105 (2.67)
0.12
(3.05)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于使用低电压，高频率逆变器，免费
续流和极性保护应用
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT & MBRB30H100CT系列
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR30H90CT
90
90
90
30
15
275
1.0
MBR30H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
（参见图1）
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
at
at
at
at
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
15A ，T
J
=
15A ，T
J
=
30A ，T
J
=
30A ，T
J
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.82
0.67
0.93
0.80
5.0
6.0
单位
V
F
V
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
(4)
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
A
mA
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
1.9
MBRF
4.6
MBRB
1.9
单位
O
C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR30H90CT - MBR30H100CT
MBRF30H90CT - MBRF30H100CT
MBRB30H90CT - MBRB30H100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT & MBRB30H100CT系列
图。 1 - 正向降额曲线
每腿
35
30
25
20
MBRF30H90CT - MBRF30H100CT
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
MBR30H90CT - MBR30H100CT
MBRB30H90CT - MBRB30H100CT
300
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
T
j
= T
j max的情况
8.3ms单半波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
250
200
150
100
50
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
F
- 正向电流（A ）
100
10000
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
T
J
= 175°C
10
150°C
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
T
J
= 175°C
1000
100
150°C
125°C
100°C
125°C
1.0
100°C
25°C
10
1
0.1
25°C
0.1
0.01
0.0
0.01
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
20
40
60
80
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
每腿
10000
图。 6 - 典型瞬态
热阻抗
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
1000
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
反向电压（ V）
1
0.1
T，脉冲持续时间（秒）。
10
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3
E
L
E
C
T
R
O
N
I
C
MBR30H100CT
功率肖特基整流器 - 30Amp 100Volt
□
特点
- 塑料包装有保险商实验室可燃性分类94V- 0
- 高结温能力
- 低正向电压，高电流能力
- 高浪涌能力
- 低功耗，高效率
- ESD性能的人体模式> 8 KV
TO-220AB
L
B
C
D
K
A
E
M
□
应用
-AC / DC适配器开关和TFT- LCD电源
-SMPS
□
绝对最大额定值
符号
评级
30
100
350
0.67
-50到+175
-50至+150
单位
A
V
A
V
C
C
条件
平均正向电流
反向重复峰值
电压
峰值正向浪涌电流
正向电压降
工作温度
储存温度
H
A1
F
O
I
J
G
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F（ MAX）的
T
j
T
英镑
H
N
K
A2
□
电气特性
参数
最大瞬时
正向电压
最大反向漏
当前
最大电压率
变化
典型热阻，
结到外壳
符号
评级
0.83V
0.67V
0.01mA
10mA
万V / μs的
条件
TC = 25℃
TC = 125°C
TC = 25℃
TC = 125°C
为V
R
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
V
F
I
R
dv / dt的
R
θ
（J -C ）
2.2
摄氏度/ W
每二极管
尺寸
英寸
MM
最大
民
最大
民
.579
.606
14.70 15.40
.392
.411
9.95
10.45
.104
.116
2.65
2.95
.248
.272
6.30
6.90
.325
.350
8.25
8.90
.126
.157
3.20
4.00
.492
.551
12.50 14.00
.096
.108
2.45
2.75
.028
.039
0.70
1.00
.010
.022
0.25
0.55
.146
.157
3.70
4.00
.167
.187
4.25
4.75
.045
.057
1.15
1.45
.089
.114
2.25
2.90
.047
.055
1.20
1.40
记
注意：脉冲测试： 380μs脉冲宽度， 2 ％占空比
2008年9月/ Rev.6.2
HTTP ： // www.sirectsemi.com
1
MBR30H100CT
1000
100
T
J
=175℃
反向电流，I
R
（MA ）
10
T
J
=150℃
T
J
=125℃
T
J
=100℃
T
J
=75℃
1
T
J
=75C
0.1
瞬时正向电流，I
F
(A)
T
J
=125C
100
0.01
T
J
=25C
T
J
=50℃
0.001
T
J
=25℃
0.0001
0
20
40
60
80
100
反向电压， V
R
(V)
图2.典型值反向电流
与反向电压（ PerLeg ）
1000
结电容，C
T
（PF ）
10
T
J
=25℃
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
100
0
20
40
60
80
100
正向电压降，V
FM
(V)
反向电压， V
R
(V)
图1.最大。正向电压降
特性（ PerLeg ）
图3.典型结电容比。
反向电压（ PerLeg ）
10
D = 0.75
D = 0.50
热阻抗Z
thJC
（ C / W ）
D = 0.33
1
D = 0.25
D = 0.20
0.1
P
DM
t1
t2
0.01
单脉冲
（热电阻）
注意事项：
1.Duty因子D = T1 / T2
2.Peak牛逼
j
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.0000
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图4.最大。热抗Z
thJC
特性（ PerLeg ）
HTTP ： // www.sirectsemi.com
2
MBR30H100CT
7
D = 0.20
平均功耗，功率
6
5
4
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
40
平均正向电流
安培
30
RMS限制
DC
3
2
1
0
20
10
电阻或
感性负载
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
12
平均正向电流，I
F
（AV）
外壳温度（ ° C）
图5.正向电流降额曲线
图6.正向功率损耗特性
（ PerLeg ）
1000
非重复浪涌电流，
I
FSM
(A)
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间，T
P
（微秒）
图7.最大。不重复浪涌电流
（每站）
Sirectifier全球公司，特拉华州， U.S.A.
U.S.A ：
sgc@sirectsemi.com
法国：
ss@sirectsemi.com
台湾：
se@sirectsemi.com
香港：
hk@sirectsemi.com
中国：
st@sirectsemi.com
...泰国：
th@sirectsemi.com
菲律宾：
aiac@sirectsemi.com
伯利兹：
belize@sirectsemi.com
HTTP ： // www.sirectsemi.com
3
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT & MBRB30H100CT系列
反向电压
90 100V
正向电流
30A
最大的T
J
175°C
ITO - 220AB （ MBRF30H90CT ， MBRF30H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO-220AB
（ MBR30H90CT ， MBR30H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.060 (1.52)
销1
销2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
3脚
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB30H90CT ， MBRB30H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.624 (15.85)
1
K
2
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.360 (9.14)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
0.320 (8.13)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.105 (2.67)
0.12
(3.05)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于使用低电压，高频率逆变器，免费
续流和极性保护应用
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
www.kersemi.com
1
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT & MBRB30H100CT系列
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR30H90CT
90
90
90
30
15
275
1.0
MBR30H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
（参见图1）
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
at
at
at
at
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
15A ，T
J
=
15A ，T
J
=
30A ，T
J
=
30A ，T
J
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.82
0.67
0.93
0.80
5.0
6.0
单位
V
F
V
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
(4)
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
A
mA
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
1.9
MBRF
4.6
MBRB
1.9
单位
O
C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR30H90CT - MBR30H100CT
MBRF30H90CT - MBRF30H100CT
MBRB30H90CT - MBRB30H100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
MBR30H100CT ， MBRF30H100CT & MBRB30H100CT系列
图。 1 - 正向降额曲线
每腿
35
30
25
20
MBRF30H90CT - MBRF30H100CT
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
MBR30H90CT - MBR30H100CT
MBRB30H90CT - MBRB30H100CT
300
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
T
j
= T
j max的情况
8.3ms单半波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
250
200
150
100
50
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
F
- 正向电流（A ）
100
10000
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
T
J
= 175°C
10
150°C
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
T
J
= 175°C
1000
100
150°C
125°C
100°C
125°C
1.0
100°C
25°C
10
1
0.1
25°C
0.1
0.01
0.0
0.01
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
20
40
60
80
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
每腿
10000
图。 6 - 典型瞬态
热阻抗
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
1000
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
反向电压（ V）
1
0.1
T，脉冲持续时间（秒）。
10
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