MBR3035PT - MBR3060PT
MBR3035PT - MBR3060PT
特点
低功耗，高效率。
高浪涌能力。
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用。
金属硅交界处，多数载流子
传导。
高电流能力，低正向
电压降。
保护环，过电压保护。
0.245(6.2)
0.225(5.7)
0.645(16.4)
0.625(15.9)
0.323(8.2)
0.313(7.9)
0.078(1.98)
10°
30°
0.203(5.16)
0.193(4.90)
TO-3P/
TO-247AD
.17(4.3)
0.84(21.3)
0.82(20.8)
0.134(3.4)
0.114(2.9)
10°
典型值
两旁
1
销1
+
3脚
例
销2
0.16(4.1)
0.14(3.5)
0.795(20.2)
0.775(19.7)
2
3
0.086(2.18)
0.076(1.93)
0.127(3.22)
0.117(2.97)
0.118(3.0)
0.108(2.7)
30安培肖特基势垒整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（重复）
i
F（浪涌）
平均整流电流
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） @ T
A
= 130°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结领导
存储温度范围
工作结温
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.048(1.22)
0.044(1.12)
0.225(5.7)
0.205(5.2)
0.030(0.76)
0.020(0.51)
外型尺寸是：英寸（毫米）
参数
价值
30
30
200
3.0
25
1.4
-65到+175
-65到+150
单位
A
A
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
P
D
R
θJL
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
3035PT
3045PT
45
31
45
10,000
1.0
60
-
0.60
0.76
0.72
1.0
5.0
100
0.75
0.65
-
-
0.5
3050PT
50
35
50
3060PT
60
42
60
35
24
35
单位
V
V
V
V /美
mA
mA
V
V
V
V
A
反向重复峰值电压
最大RMS电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
变化的电压率（额定V
R
)
最大反向电流
T
A
= 25°C
@额定V
R
T
A
= 125°C
最大正向电压
I
F =
20 A，T
C
= 25°C
I
F =
20 A，T
C
= 125°C
I
F =
30 A，T
C
= 25°C
I
F =
30 A，T
C
= 125°C
峰值重复反向浪涌
当前
2.0我们Pulsu宽度， F = 1.0千赫
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR3035PT - MBR3060PT ，版本A
MBR3035PT - MBR3060PT
肖特基势垒整流器
（续）
典型特征
正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流（ A）
30
正向电流（ A）
MBR3035PT-MBR3045PT
非重复浪涌电流
300
250
200
150
100
50
0
24
MBR3050PT-MBR3060PT
18
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.00毫米） LOAD
长度
12
6
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ C）
175
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
正向特性
50
10
MBR3050PT-MBR3060PT
反向特性
50
反向电流（mA ）
MBR3035PT-MBR3045PT
正向电流（ A）
T
A
= 150
C
T
A
= 25
C
10
T
A
= 125
C
MBR3050PT-MBR3060PT
1
1
MBR3035PT-MBR3045PT
T
A
= 75
C
0.1
MBR3035PT-MBR3045PT
0.1
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.01
T
A
= 25
C
MBR3050PT-MBR3060PT
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压（ V）
1
1.2
0.001
0
20
40
60
80
100 120 140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
瞬态热阻抗（ C / W ）
典型结电容
5000
结电容（pF ）
瞬态热阻抗
100
2000
MBR3035PT-MBR3045PT
10
1000
MBR3050PT-MBR3060PT
500
1
200
100
0.1
1
10
反向电压（ V）
100
0.1
0.01
0.1
1
10
T.脉冲持续时间（秒）
100
MBR3035PT - MBR3060PT ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
MBR3035PT - MBR3060PT
MBR3035PT - MBR3060PT
特点
低功耗，高效率。
高浪涌能力。
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用。
金属硅交界处，多数载流子
传导。
高电流能力，低正向
电压降。
保护环，过电压保护。
0.245(6.2)
0.225(5.7)
0.645(16.4)
0.625(15.9)
0.323(8.2)
0.313(7.9)
0.078(1.98)
10°
30°
0.203(5.16)
0.193(4.90)
TO-3P/
TO-247AD
.17(4.3)
0.84(21.3)
0.82(20.8)
0.134(3.4)
0.114(2.9)
10°
典型值
两旁
1
销1
+
3脚
例
销2
0.16(4.1)
0.14(3.5)
0.795(20.2)
0.775(19.7)
2
3
0.086(2.18)
0.076(1.93)
0.127(3.22)
0.117(2.97)
0.118(3.0)
0.108(2.7)
30安培肖特基势垒整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（重复）
i
F（浪涌）
平均整流电流
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） @ T
A
= 130°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结领导
存储温度范围
工作结温
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.048(1.22)
0.044(1.12)
0.225(5.7)
0.205(5.2)
0.030(0.76)
0.020(0.51)
外型尺寸是：英寸（毫米）
参数
价值
30
30
200
3.0
25
1.4
-65到+175
-65到+150
单位
A
A
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
P
D
R
θJL
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
3035PT
3045PT
45
31
45
10,000
1.0
60
-
0.60
0.76
0.72
1.0
5.0
100
0.75
0.65
-
-
0.5
3050PT
50
35
50
3060PT
60
42
60
35
24
35
单位
V
V
V
V /美
mA
mA
V
V
V
V
A
反向重复峰值电压
最大RMS电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
变化的电压率（额定V
R
)
最大反向电流
T
A
= 25°C
@额定V
R
T
A
= 125°C
最大正向电压
I
F =
20 A，T
C
= 25°C
I
F =
20 A，T
C
= 125°C
I
F =
30 A，T
C
= 25°C
I
F =
30 A，T
C
= 125°C
峰值重复反向浪涌
当前
2.0我们Pulsu宽度， F = 1.0千赫
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR3035PT - MBR3060PT ，版本A
MBR3035PT - MBR3060PT
肖特基势垒整流器
（续）
典型特征
正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流（ A）
30
正向电流（ A）
MBR3035PT-MBR3045PT
非重复浪涌电流
300
250
200
150
100
50
0
24
MBR3050PT-MBR3060PT
18
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.00毫米） LOAD
长度
12
6
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ C）
175
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
正向特性
50
10
MBR3050PT-MBR3060PT
反向特性
50
反向电流（mA ）
MBR3035PT-MBR3045PT
正向电流（ A）
T
A
= 150
C
T
A
= 25
C
10
T
A
= 125
C
MBR3050PT-MBR3060PT
1
1
MBR3035PT-MBR3045PT
T
A
= 75
C
0.1
MBR3035PT-MBR3045PT
0.1
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.01
T
A
= 25
C
MBR3050PT-MBR3060PT
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压（ V）
1
1.2
0.001
0
20
40
60
80
100 120 140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
瞬态热阻抗（ C / W ）
典型结电容
5000
结电容（pF ）
瞬态热阻抗
100
2000
MBR3035PT-MBR3045PT
10
1000
MBR3050PT-MBR3060PT
500
1
200
100
0.1
1
10
反向电压（ V）
100
0.1
0.01
0.1
1
10
T.脉冲持续时间（秒）
100
MBR3035PT - MBR3060PT ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
QQ：2880707522 复制
