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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2740页 > MBR30040CT
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MBR30020CT
THRU
MBR300100CT
300
AMP
肖特基势垒
整流器器
20
100伏
FULL PACK
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
最大额定值
工作温度： -65 ° C至+ 150°C
存储温度： -65 ° C至+ 150°C
最大
复发
反向峰值
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
最大直流
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
MCC
产品型号
MBR30020CT
MBR30030CT
MBR30035CT
MBR30040CT
MBR30045CT
MBR30060CT
MBR30080CT
MBR300100CT
最大
RMS电压
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
56V
70V
A
B
K
C
M
J
F
D
H
E
L
G
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
30020-30045CT
30060CT
30080-300100CT
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
I
F（ AV ）
I
FSM
300
A
2500A
T
L
=
140°C
8.3ms的，半正弦
I
FM
=
150
A;
T
A
= 25°C
暗淡
A
B
C
E
F
G
H
J
K
L
L
尺寸
寸
ES
民
最大
3.150
喃
1.565
1.585
.700
.800
.119
.132
1.375 REF
3.55
3.65
.590
.620
1/4 - UNF
.380
.410
.185
.195
.275
.295
MM
民
最大
80.01
喃
39.75
40.26
17.78
20.32
3.02
3.35
34.92 REF
90.17
92.71
14.99
15.75
满
9.65
10.41
4.70
4.95
6.99
7.49
记
V
F
.63 V
.75 V
.84 V
I
R
8
mA
T
A
= 25°C
C
J
300pF
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
*脉冲测试：脉冲宽度300μsec ，占空比1 ％
www.mccsemi.com
MBR30020CT
THRU
MBR300100CT
图1
典型的正向特性
200
100
60
40
250
20
25°C
AMPS 10
6
4
2
1
.6
.4
.2
.1
0.6
0.8
1. 0
1.4
伏
瞬时正向电流 - 安培
与
正向电压 - 伏特
1.8
2.0
0
50
安培
100
200
300
MCC
图2
远期降额曲线
150
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
50
70
90
°C
110
130
150
平均正向整流电流 - 安培
与
环境温度 -
°C
科幻gure 3
结电容
1000
600
400
200
pF
T
J
=25°C
100
60
40
20
10
.1
.2
.4
1
伏
2
4
10
20
40
100
200
400
1000
结电容 - pF的
与
反向电压 - 伏特
www.mccsemi.com
MBR30020CT
THRU
MBR300100CT
图4
典型的反向特性
1000
600
400
2200
200
100
60
40
20
毫安8.0
4.0
3.0
2.0
1.0
.6
.4
.2
.1
10
20
T
A
=25°C
40
60
伏
瞬时反向漏电流 - 微安
与
％的额定峰值反向电压 - 伏特
80
100
120
T
A
=125°C
0
1
2
4
安培
1900
1600
1000
500
2500
MCC
科幻gure
5
峰值正向浪涌电流
6
8 10 20
周期
40
60 80 100
峰值正向浪涌电流 - 安培
与
周期在60Hz数 - 周期
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奈纳半导体有限公司
特点
保护环保护
低正向压降
高浪涌电流能力
高达100V的电压V
RRM
MBR30020CT通
MBR30040CTR
硅肖特基二极管， 300A
双塔套餐
最大额定值
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
参数
重复峰值
反向电压
RMS反向电压
阻断电压DC
平均正向
当前
不重复
正向浪涌
目前，半正弦
WAVE
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
T
C
≤ 140
o
C
T
C
= 25
o
C
t
p
= 8.3毫秒
条件
MBR30020CT
(R)
20
14
20
300
MBR30030CT MBR30035CT
(R)
(R)
30
21
30
300
35
25
35
300
MBR30040CT
(R)
40
28
40
300
单位
V
V
V
A
I
FSM
2500
2500
2500
2500
A
电气特性
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
参数
DC正向电压
符号
V
F
条件
I
F
= 150 A
T
J
= 25
o
C
V
R
= 20 V
T
J
= 25
o
C
V
R
= 20 V
T
J
= 125
o
C
MBR30020CT
(R)
0.68
8
200
MBR30030CT
(R)
0.68
8
200
MBR30035CT
(R)
0.68
8
200
MBR30040CT
(R)
0.68
8
mA
200
单位
V
DC反向电流
I
R
热特性
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
参数
热阻
结到外壳
经营，储存
温度范围
符号
R
THJ -C
T
J
,
T
英镑
MBR30020CT
(R)
0.4
- 40 +175
MBR30030CT
(R)
0.4
- 40 +175
MBR30035CT
(R)
0.4
- 40 +175
MBR30040CT
(R)
0.4
- 40 +175
单位
o
C / W
o
C
1
D- 95 ，扇区63 ，诺伊达 - 201301 ，印度电话： 0120-4205450 传真： 0120-4273653
sales@nainasemi.comwww.nainasemi.com
奈纳半导体有限公司
包装外形
MBR30020CT通
MBR30040CTR
尺寸：mm
订购表
MBRP
1
300
2
20
3
CT
4
1 - 设备类型
＆ GT ;
MBR =肖特基二极管模块
2 - 额定电流= I
F（ AV ）
3 - 电压= V
RRM
4 - 极性
＆ GT ;
CT =正常（阴极基地）
＆ GT ;
CTR =反向（阳极基地）
2
D- 95 ，扇区63 ，诺伊达 - 201301 ，印度电话： 0120-4205450 传真： 0120-4273653
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MAX6318LHUK38AZ-T
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MA2C029Q
MP4411_07
MC33201DR2
MAX875BCSA
MAX1144ACAP
MTA320SDM
MB82DP02183C-65L
MAL203658478E3
MMBZ6V2ALT3
MI-QC2NX-MVY
MLL5522TR-1
M27V102-100N6TR
供货商
型号
厂家
批号
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单价/备注
操作
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