BL
特点
银河电子
MBR2530CT---MBR25100CT
电压范围： 30 -
100
V
当前位置：
30
A
肖特基势垒整流器
高S恳请能力。
对我们来说， E在低电压，高频率逆变器，免费
111wheeling,
和极性保护应用。
金属源ilicon结，男ajority载流子导电。
高电流能力，低正向压降。
保护环，过电压保护。
TO-220AB
机械数据
CAS E： JEDEC TO - 220AB ，男olded PLAS抽动身体
长期inals ：信息，S olderable每MIL -STD- 750 ，
1 1
方法2026
极性：米arked
POS银行足球比赛：任何
重量：
0.08盎司， 2.24克
mm
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单相半波，60赫兹，电阻或电感load.For容性负载，减免电流20 ％ 。
MBR
MBR
MBR膜生物反应器MBR膜生物反应器MBR膜生物反应器
单位
2530CT 2535CT 2540CT 2545CT 2550CT 2560CT 2580CT 25100CT
最大的经常峰值反向电压
最大RMS V oltage
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD总装置
m
整流电流@T
C
= 130°C
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
b
正弦-W AVE叠加在额定负荷
最大正向
电压
（注1 ）
(I
F
=15A,T
C
=25
(I
F
=15A,T
C
=125
(I
F
= 30A ，T
C
=25
(I
F
=30A,T
C
=125
最大反向电流
在额定阻断电压DC
)
)
)
)
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
30
21
30
35
25
35
40
28
40
45
32
45
30
150
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
-
0.75
0.65
-
-
1.0
0.85
-
-
-
mA
V
V
F
-
0.82
0.73
0.2
40
1.5
@T
C
=25
@T
C
=125
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
50
/W
最大热阻
(Note2)
工作结温范围
存储温度范围
注： 1.脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的关税CY CLE 。
结2.热电阻的情况下。
-
55
---- + 150
-
55
---- + 150
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文档编号0267007
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1.
收视率和特性曲线
图1 - 峰值正向浪涌电流
平均正向输出电流，
安培
峰值正向浪涌电流，
MBR2530CT---MBR25100CT
图2 - 前降额曲线
150
25
120
安培
8.3ms单半正弦波
T
J
=125
20
90
15
60
10
30
5.0
0
1
0
25
50
75
100
125
150
10
100
循环次数的AT 60H的
Z
例
温度，
图3 - 典型正向特性
图4 - 典型的反向特性
瞬时正向电流，
100 T
J
=125
脉冲宽度= 300
s
1 ％占空比
瞬时反向电流，
毫安
500
10
MBR2530CT-MBR2560CT
T
J
=25
安培
10
1.0
MBR2580CT-MBR25100CT
.1
MBR2530CT-MBR2560CT
1
MBR2530CT-MBR2545CT
MBR2550CT-MBR2560CT
MBR2580CT-MBR25100CT
MBR2580CT-MBR25100CT
.01
T
C
=125℃
T
C
=25℃
0
20
40
60
80
100
120
140
.1
.3
.4
.5 .6
.7
.8
.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
正向电压，伏
百分比额定峰值反向电压
,%
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银河电子
2.
MBR2540CT~MBR25200CT
肖特基势垒整流器器
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
40至200伏特
当前
25安培
初步
低功耗，高效率。
低forwrd voltge ，高电流能力
高浪涌能力。
适用于低电压，高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
.058(1.47)
.042(1.07)
MECHANCEAL数据
案例： TO- 220AB模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：作为标记。
标准包装：任何
重量： 0.0655盎司， 1.859克。
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币（S eefig 1 ）
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE -
WA已经s提高erimposedonratedload （ JEDEC浩会见四）
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A吨1 2 。 5 A ， P·E R L例如
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
J
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G （E T）
J
= 1 2 5
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究（E S）我S T A N权证
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
S YM B○升
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F（ A V ）
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J·C
T
J
, T
s TG
MB R2 5 4 0 CT MB R2 5 4 5 CT MB R2 5 5 0 CT MB R2 5 6 0 CT MB R2 5 8 0 CT MB R2 5 9 0 CT MB R2 5 1 0 0 CT MB R2 5 1 5 0 CT MB R2 5 2 0 0 CT
加利它s
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
20
200
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7
0.75
0 .0 5
20
2
0 .8
0 .9
V
mA
O
C /
W
C
-5 0到+ 1 5 0
-65到+175
O
注意事项：
这两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-APR.30.2009
PAGE 。 1
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