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MBR20S100CT肖特基势垒整流器
MBR20S100CT
肖特基势垒整流器
特点
低正向压降
高频性能和切换速度
保护环，过电压保护
应用
开关模式电源
续流二极管
TO-220
1 2 3
标记： YM20S100CT
1.阳极2.Cathode 3.阳极
绝对最大额定值
符号
V
RRM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
最大直流反向电压
平均正向电流整流
@T
C
= 135°C
价值
100
100
20
200
-65到+150
单位
V
V
A
A
°C
非重复性峰值浪涌电流（每二极管）
60Hz单半正弦波
工作结温和存储温度
热特性
符号
R
θJC
参数
最大热阻，结到外壳（每二极管）
T
C
= 25 ° C除非另有说明
价值
1.54
单位
° C / W
电气特性
符号
V
FM *
参数
最大正向电压
I
F
= 10A
I
F
= 10A
I
F
= 20A
I
F
= 20A
最大瞬时反向电流
@额定V
R
T
C
T
C
T
C
T
C
= 25°C
= 125°C
= 25°C
= 125°C
价值
-
0.70
0.95
0.85
0.1
20
单位
V
V
V
V
mA
mA
I
RM *
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
*脉冲测试：宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
MBR20S100CT版本A
MBR20S100CT肖特基势垒整流器
典型性能特性
图1.典型正向电压
特性（每二极管）
图2.典型的反向电流 -
反向电压（每二极管）
10
-2
10
正向电流I
F
[A]
1
T
J
=125
°
C
T
J
=100
°
C
反向电流，I
R
[A]
10
-3
T
J
=125
°
C
T
J
=100
°
C
10
-4
T
J
=75
°
C
10
-5
0.1
T
J
=75
°
C
T
J
=25
°
C
0.01
0.0
10
-6
T
J
=25
°
C
0
20
40
60
80
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
正向电压降，V
F
[V]
反向电压， V
R
[V]
图3.典型结电容
（每二极管）
800
700
600
500
400
300
200
图4.正向电流降额曲线
25
[A]
T
J
=25
°
C
DC
20
Juntion电容，C
J
[ pF的]
平均正向电流，I
F（ AV ）
15
10
100
90
80
70
60
50
0
20
40
60
80
100
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
反向电压， V
R
[V]
外壳温度，T
C
[
°
C]
图5.不重复浪涌电流（每二极管）
250
马克斯。正向浪涌电流，I
FSM
[A]
200
150
100
50
0
1
10
100
周期数@ 60Hz的
2
MBR20S100CT版本A
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MBR20S100CT肖特基势垒整流器
机械尺寸
TO-220
单位：毫米
3
MBR20S100CT版本A
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MBR20S100CT肖特基势垒整流器
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持
或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用
按照提供的标签的使用说明，
可以合理预期造成显著伤害
用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统，其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障，或以
影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I16
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
4
MBR20S100CT版本A
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M38022M6D384SS
M38192EC-XXXFP
MF14S-WRB01-0200
MI-P7T-MYV
MOC8112-X006
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11531
TO-220
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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