MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & SB20H200CT - 1
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
低漏电流5.0 μA
TO-220AB
ITO-220AB
特点
护过电压保护
低功耗，高效率
低正向压降
??高频工作
1
2
3
1
2
3
浸焊260℃ 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器，续流和使用
极性保护应用。
MBR20H200CT
TO-262AA
MBRF20H200CT
1
2
3
SB20H200CT-1
销1
3脚
销2
例
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
j
2 ×10
200 V
290 A
0.75 V
175 °C
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
安装扭矩：
最大10磅
极性：
由于标
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
E
RSM
E
AS
V
C
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR20H200CT
200
200
200
20
10
290
1.0
20
20
25
10000
- 65 + 175
1500
单位
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
KV
V / μs的
°C
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加
每个二极管的额定载荷
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
每个二极管的峰值非重复性反向浪涌能量（ 8/20微秒波形）
每个二极管非重复性雪崩能量在25 ° C，I
AS
= 2.0 A，L = 10毫亨
静电放电电容电压
人体模型空气排出： C = 100 pF的， R 0 1.5千欧
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片t为1分钟
文档编号： 88786
修订： 7月27日07
www.vishay.com
1
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & SB20H200CT - 1
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每个二极管的正向电压
(1)
测试条件
在我
F
= 10 A，T
C
= 25 °C
在我
F
= 10 A，T
C
= 125 °C
在我
F
= 20 A，T
C
= 25 °C
在我
F
= 20 A，T
C
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
在4.0伏，1兆赫
符号
典型值。
0.81
0.65
0.87
0.74
5.0
1.0
250
马克斯。
0.88
0.75
0.97
0.85
单位
V
F
V
最大反向电流每
在工作峰值反向二极管
电压
(1)
典型结电容
注意：
I
R
C
J
A
mA
pF
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.0
MBRF
4.0
SB
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-262AA
首选的P / N
MBR20H200CT-E3/45
MBRF20H200CT-E3/45
SB20H200CT-1E3/45
单位重量（g ）
2.06
2.20
1.58
封装代码
45
45
45
基地数量
50/Tube
50/Tube
50/Tube
配送方式
管
管
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
25
MBR ， MBRB
350
325
300
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
平均正向电流（ A）
20
MBRF
15
10
5
0
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
数
环，在60赫兹的
图1.正向降额曲线（总）
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
www.vishay.com
2
文档编号： 88786
修订： 7月27日07
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & SB20H200CT - 1
威世通用半导体
100
10000
正向电流（A ）
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 75 °C
1
T
J
= 25 °C
结电容（pF ）
1.1
T
J
= 175 °C
1000
100
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
10
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10000
T
J
= 175 °C
100
1000
100
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 75 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
10
MBRF
1
0.1
T
J
= 25 °C
1
MBR ， MBRB
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
文档编号： 88786
修订： 7月27日07
www.vishay.com
3
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & SB20H200CT - 1
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
T O服务-220AB
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.343 (8.70)
典型值。
ITO-220AB
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
1.29 (3.28)
DIA 。
1.21 (3.08)
0.138 (3.50)
0.122 (3.10)
0.270 (6.88)
0.255 (6.48)
0.150 （ 3.80 ）直径。
0.139 (3.54)
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.193 (4.90)
0.177 (4.50)
0.108 (2.74)
0.092 (2.34)
0.067
（ 1.70 ）典型值。
0.331 (8.40)
典型值。
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
1
0.118
（ 3.00 ）典型值。
针
2
3
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
1.161 (29.48)
1.106 (28.08)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
0.630 (16.00)
0.614 (15.60)
0.264 (6.70)
0.248 (6.50)
0.320 (8.12)
0.304 (7.72)
0.633 (16.07)
0.601 (15.67)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
1
针
2
3
0.117 (2.96)
0.101 (2.56)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.064 (1.62)
0.056 (1.42)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.396 (10.05)
0.372 (9.45)
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.039 (1.00)
0.024 (0.60)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.058 （ 1.47 ）最大。
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
TO-262AA
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.055 (1.40)
0.039 (1.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
K
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
1
针
2
0.425 (10.80)
0.393 (10.00)
3
0.488 (12.4)
0.472 (12.00)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.062 (1.57)
0.054 (1.37)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
www.vishay.com
4
文档编号： 88786
修订： 7月27日07
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
MBR20H100CT - MBR20H200CT
Pb
RoHS指令
合规
20.0安培。肖特基势垒整流器
TO-220AB
特点
采用塑料材料进行包销商
实验室分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
对于电源的使用 - 输出整流，功率
管理，仪器仪表
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
o
260℃ / 10秒0.25“ （ 6.35mm）时，从案例
机械数据
案例： JEDEC TO - 220AB模压塑体
终端：纯锡电镀，无铅。每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5 - 磅。最大
重量0.08盎司， 2.24克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
MBR
类型编号
符号
20H100CT
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
100
最大RMS电压
V
RMS
70
最大直流阻断电压
V
DC
100
最大正向平均整流电流
O
在Tc = 125℃
峰值重复正向电流（额定V
R
,
o
方波，为20KHz ）在Tc = 125℃
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC
法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压：
o
（注2 ）
I
F
= 10A ，T
C
=25 C
o
I
F
= 10A ，T
C
=125 C
o
I
F
= 20A ，T
C
=25 C
o
I
F
= 20A ，T
C
=125 C
最大瞬时反向电流
o
@ T = 25℃时额定阻断电压DC
o
（注2 ）
@ T = 125℃
变化的电压率（额定V
R
)
最典型热阻（注3 ）
MBR
20H150CT
150
105
150
20
20
150
MBR
单位
20H200CT
200
V
140
V
200
V
A
A
A
0.5
A
V
I
（AV）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
V
F
0.85
0.75
0.95
0.85
1.0
0.88
0.75
0.97
0.85
I
R
dv / dt的
R
θJC
5
2.0
10,000
1.5
uA
mA
V /美
o
C / W
o
工作结温范围
-65到+175
T
J
C
o
存储温度范围
-65到+175
T
英镑
C
注意事项：
1. 2.0us脉冲宽度， F = 1.0千赫
2.脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
从结3.热阻时的每腿，山在2散热器尺寸×3英寸x 0.25英寸
铝板材。
版本： A07
额定值和特性曲线（ MBR20H100CT - MBR20H200CT ）
FIG.1-正向电流降额曲线
20
150
电阻或
感性负载
16
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流。 （ A）
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
平均正向电流。 （ A）
125
100
75
12
8
50
4
25
0
0
25
50
0
75
100
125
o
150
175
1
10
循环次数在60Hz
100
外壳温度。 （ C）
40
FIG.3-典型正向
特性每支架
5
FIG.4-典型的反向特性
每腿
10
1
瞬时反向电流。 （MA ）
瞬时正向电流。 （ A）
Tj=125
0
C
Tj=125
0
C
0.1
TJ = 25℃
1
0
Tj=75
0
C
0.01
0.1
0.001
Tj=25
0
C
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
0.01
0
0.0001
0.1
0.2
0.3 0.4
0.5
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压。 （V ）
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容每支架
5,000
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
FIG.6-典型的瞬态热阻抗
每腿
瞬态热阻抗。 （
O
C / W ）
100
结电容。 （PF ）
2,000
10.0
1,000
500
1
200
100
0.1
1.0
10
100
的反向电压。 （V ）
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间。 （秒）
10
100
版本： A07
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & MBRB20H200CT - 1系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
反向电压
200V
正向电流
20A
最大。结温
175°C
双高压肖特基整流器
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低漏电流，低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于高频率使用开关电源和
具有高达48V的输出，续流和转换器
极性保护应用
额定反向浪涌和静电放电
TO- 220AB （ MBR20H200CT ）
0.398 (10.10)
0.382 (8.70)
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.343 （ 8.70 ）典型值。
0.150 (3.80)
0.139 (3.54)
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
DIA 。
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
0.067
（ 1.70 ）典型值。
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 262AA
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，由案（ TO- 220AB ，
ITO - 220AB ）在终端（ TO- 236AB ）
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
0.331 （ 8.40 ）典型值。
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
1
0.118
（ 3.00 ）典型值。
针
2
3
1.161 (29.48)
1.105 (28.08)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
销1
销2
例
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
3脚
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.064 (1.62)
0.056 (1.42)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
尺寸以英寸
（毫米）
ITO - 220AB （ MBRF20H200CT ）
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
1.29 (3.28)
1.21 (3.08)
DIA 。
0.108 (2.74)
0.092 (2.34)
TO- 262AA （ MBRB20H200CT -1）
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.138 (3.50)
0.122 (3.10)
0.141 (3.58)
0.125 (3.18)
0.633 (16.07)
0.601 (15.67)
0.370 (9.39)
0.354 (8.99)
0.055 (1.40)
0.039 (1.00)
K
0.630 (16.00)
0.614 (15.60)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
0.425 (10.80)
0.393 (10.00)
1
针
2
3
1
针
2
0.488 (12.4)
0.472 (12.00)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
3
1.164 (29.55)
1.108 (28.15)
0.117 (2.96)
0.101 (2.56)
销1
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.396 (10.05)
0.372 (9.45)
0.039 (1.00)
0.024 (0.60)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
销2
例
3脚
0.531 (13.48)
0.507 (12.88)
0.058 （ 1.47 ）典型值。
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.062 (1.57)
0.054 (1.37)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
销1
3脚
销2
例
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
文档编号88786
02-Jun-04
www.vishay.com
1
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & MBRB20H200CT - 1系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号MBR20H200CT MBRF20H200CT MBRB20H200CT - 1单元
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
E
RSM
E
AS
V
C
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
200
200
200
20
10
290
1.0
20
20
25
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
KV
V / μs的
°C
V
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
（图1）的
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
峰值非重复反向浪涌能量
（ 8 / 20μS波形）
每腿非重复性雪崩能量
在25 ° C，E
AS
= 2.0A ，L = 10MH
静电放电电容电压
人体模型： C = 100pF电容， R = 1.5KΩ
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压：
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
10A,
10A,
20A,
20A,
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
T
j
=
T
j
=
T
j
=
T
j
=
25°C
125°C
25°C
125°C
V
F
典型
0.81
0.65
0.87
0.74
5.0
1.0
250
最大
0.88
0.75
0.97
0.85
单位
V
A
mA
pF
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
(4)
在4.0V ， 1MHz的典型结电容
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
CJ
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
2.0
MBRF
4.0
MBRB
2.0
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中引线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.97”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR20H200CT
MBRF20H200CT
MBRB20H200CT-1
www.vishay.com
2
例
TO-220AB
TO-200AB
TO-262AA
封装代码
45
45
45
封装选项
防静电管， 50 /管， 1K /箱
防静电管， 50 /管， 1K /箱
防静电管， 50 /管， 1K /箱
文档编号88786
02-Jun-04
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & MBRB20H200CT - 1系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向降额曲线
25
350
325
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
平均正向电流（ A）
300
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
1
10
100
平均正向电流（ A）
MBR ， MBRB
20
MBRF
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
牛逼的情况下
emperature （ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
I
F
- 正向电流（A ）
100
10,000
1,000
图。 4 - 典型的反向
特征
T
J
= 175°C
T
J
= 175°C
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
10
T
J
= 125°C
T
J
= 75°C
1
T
J
= 25°C
100
T
J
= 125°C
T
J
= 75°C
10
1
0.1
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.01
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0 1.1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
10000
100
图。 6 - 典型瞬态
每腿热阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
1000
10
MBRF
100
1
MBR ， MBRB
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
文档编号88786
02-Jun-04
www.vishay.com
3
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & SB20H200CT - 1
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
低漏电流5.0 μA
TO-220AB
ITO-220AB
特点
护过电压保护
低功耗，高效率
低正向压降
??高频工作
1
2
3
1
2
3
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，续流和
极性保护应用。
MBR20H200CT
TO-262AA
MBRF20H200CT
1
2
3
SB20H200CT-1
销1
3脚
销2
例
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
安装扭矩：
最大10磅
极性：
由于标
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
2 ×10
200 V
290 A
0.75 V
175 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
E
RSM
E
AS
V
C
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR20H200CT
200
200
200
20
10
290
1.0
20
20
25
10 000
- 65 + 175
1500
单位
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
kV
V / μs的
°C
V
www.vishay.com
1
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加
每个二极管的额定载荷
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
每个二极管的峰值非重复性反向浪涌能量（ 8/20微秒波形）
每个二极管非重复性雪崩能量在25 ° C，I
AS
= 2.0 A，L = 10毫亨
静电放电电容电压
人体模型空气排出： C = 100 pF的， R 0 1.5千欧
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压端子（ ITO - 220AB只）到散热片t为1分钟
文档编号： 88786
修订： 18 -APR- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & SB20H200CT - 1
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每个二极管的正向电压
(1)
TEST
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
4.0 V， 1 MHz的
符号
典型值。
0.81
0.65
0.87
0.74
5.0
1.0
250
马克斯。
0.88
0.75
0.97
0.85
单位
V
F
V
最大反向电流每
在工作峰值反向二极管
电压
(1)
典型结电容
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
I
R
C
J
A
mA
pF
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.0
MBRF
4.0
SB
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-262AA
首选的P / N
MBR20H200CT-E3/45
MBRF20H200CT-E3/45
SB20H200CT-1E3/45
单位重量（g ）
2.06
2.20
1.58
封装代码
45
45
45
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
配送方式
管
管
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
25
MBR ， MBRB
350
325
300
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
1
10
100
平均正向电流（ A）
20
MBRF
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
数
环，在60赫兹的
图1.正向降额曲线（总）
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 88786
修订： 18 -APR- 08
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & SB20H200CT - 1
威世通用半导体
100
10 000
正向电流（A ）
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 75 °C
1
T
J
= 25 °C
结电容（pF ）
1.1
T
J
= 175 °C
1000
100
0.1
0.1
10
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10 000
T
J
= 175 °C
100
1000
100
T
J
= 125 °C
T
J
= 75 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
10
MBRF
10
1
T
J
= 25 °C
1
MBR ， MBRB
0.1
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
文档编号： 88786
修订： 18 -APR- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & SB20H200CT - 1
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.343 (8.70)
典型值。
0.150 (3.80)
0.139 (3.54)
DIA 。
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.331 (8.40)
典型值。
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
1.161 (29.48)
1.106 (28.08)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
ITO-220AB
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
1.29 (3.28)
DIA 。
1.21 (3.08)
0.138 (3.50)
0.122 (3.10)
0.270 (6.88)
0.255 (6.48)
0.193 (4.90)
0.177 (4.50)
0.108 (2.74)
0.092 (2.34)
0.067 (1.70)
典型值。
针
1 2 3
0.118 (3.00)
典型值。
0.630 (16.00)
0.614 (15.60)
1
针
2
0.264 (6.70)
0.248 (6.50)
0.320 (8.12)
0.304 (7.72)
0.633 (16.07)
0.601 (15.67)
3
0.117 (2.96)
0.101 (2.56)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.100 (2.54)
典型值。
0.064 (1.62)
0.056 (1.42)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.396 (10.05)
0.372 (9.45)
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.039 (1.00)
0.024 (0.60)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.058 （ 1.47 ）最大。
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
TO-262AA
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.055 (1.40)
0.039 (1.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
K
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
1
针
2
0.425 (10.80)
0.393 (10.00)
3
0.488 (12.4)
0.472 (12.00)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.062 (1.57)
0.054 (1.37)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
www.vishay.com
4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 88786
修订： 18 -APR- 08
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
MBR20H100CT - MBR20H200CT
Pb
RoHS指令
合规
20.0安培。肖特基势垒整流器
TO-220AB
特点
采用塑料材料进行包销商
实验室分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
对于电源的使用 - 输出整流，功率
管理，仪器仪表
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒0.25“ （ 6.35mm）时，从案例
机械数据
案例： JEDEC TO - 220AB模压塑体
终端：纯锡电镀，无铅。每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5 - 磅。最大
重量0.08盎司， 2.24克
最大额定值和电气特性
等级25
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
MBR
类型编号
符号
20H100CT
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
100
最大RMS电压
V
RMS
70
最大直流阻断电压
V
DC
100
最大正向平均整流电流
O
在Tc = 125℃
峰值重复正向电流（额定V
R
,
o
方波，为20KHz ）在Tc = 125℃
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC
法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压：
o
（注2 ）
I
F
= 10A ，T
C
=25 C
o
I
F
= 10A ，T
C
=125 C
o
I
F
= 20A ，T
C
=25 C
o
I
F
= 20A ，T
C
=125 C
最大瞬时反向电流
o
@ T = 25℃时额定阻断电压DC
o
@ T = 125℃
（注2 ）
变化的电压率（额定V
R
)
最典型热阻（注3 ）
MBR
20H150CT
150
105
150
20
20
150
MBR
单位
20H200CT
200
V
140
V
200
V
A
A
A
0.5
A
V
I
（AV）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
V
F
0.85
0.75
0.95
0.85
1.0
0.88
0.75
0.97
0.85
I
R
dv / dt的
R
θJC
5
2.0
10,000
1.5
uA
mA
V /美
o
C / W
o
工作结温范围
-65到+175
T
J
C
o
存储温度范围
-65到+175
T
英镑
C
注意事项：
1. 2.0us脉冲宽度， F = 1.0千赫
2.脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
从结3.热阻时的每腿，山在2散热器尺寸×3英寸x 0.25英寸
铝板材。
版本：
C09
额定值和特性曲线（ MBR20H100CT - MBR20H200CT ）
FIG.1-正向电流降额曲线
20
150
电阻或
感性负载
16
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流。 （ A）
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
平均正向电流。 （ A）
125
100
75
12
8
50
4
25
0
0
25
50
0
75
100
125
o
150
175
1
10
循环次数在60Hz
100
外壳温度。 （ C）
40
FIG.3-典型正向
特性每支架
5
FIG.4-典型的反向特性
每腿
10
1
瞬时反向电流。 （MA ）
瞬时正向电流。 （ A）
Tj=125
0
C
Tj=125
0
C
0.1
TJ = 25℃
1
0
Tj=75
0
C
0.01
0.1
0.001
Tj=25
0
C
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
0.01
0
0.0001
0.1
0.2
0.3 0.4
0.5
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压。 （V ）
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容每支架
5,000
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
FIG.6-典型的瞬态热阻抗
每腿
瞬态热阻抗。 （
O
C / W ）
100
结电容。 （PF ）
2,000
10.0
1,000
500
1
200
100
0.1
1.0
10
100
的反向电压。 （V ）
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间。 （秒）
10
100
版本：
C09
E
L
E
C
T
R
O
N
I
C
MBR20H200CT
功率肖特基整流器 - 20安培200Volt
□
特点
- 塑料包装有保险商实验室可燃性分类94V- 0
- 高结温能力
- 低正向电压，高电流能力
- 高浪涌能力
- 低功耗，高效率
- ESD性能的人体模式> 4 KV
TO-220AB
B
C
D
K
E
A
L
M
□
应用
-AC / DC开关适配器等开关电源
-PDP
□
绝对最大额定值
符号
评级
20
200
150
0.75
-50到+175
-50至+150
单位
A
V
A
V
C
C
条件
平均正向电流
反向重复峰值
电压
峰值正向浪涌电流
正向电压降
工作温度
储存温度
H
A1
F
O
I
J
G
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F（ MAX）的
T
j
T
英镑
H
N
K
A2
□
电气特性
参数
最大瞬时
正向电压
最大反向漏
当前
最大电压率
变化
典型热阻，
结到外壳
符号
评级
0.92V
0.75V
0.01mA
10mA
万V / μs的
条件
TC = 25℃
TC = 125°C
TC = 25℃
TC = 125°C
为V
R
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
V
F
I
R
dv / dt的
R
θ
（J -C ）
2.2
摄氏度/ W
每二极管
尺寸
英寸
MM
最大
民
最大
民
.579
.606
14.70 15.40
.392
.411
9.95
10.45
.104
.116
2.65
2.95
.248
.272
6.30
6.90
.325
.350
8.25
8.90
.126
.157
3.20
4.00
.492
.551
12.50 14.00
.096
.108
2.45
2.75
.028
.039
0.70
1.00
.010
.022
0.25
0.55
.146
.157
3.70
4.00
.167
.187
4.25
4.75
.045
.057
1.15
1.45
.089
.114
2.25
2.90
.047
.055
1.20
1.40
记
注意：脉冲测试： 380μs脉冲宽度， 2 ％占空比
2008年9月/ Rev.6.2
HTTP ： // www.sirectsemi.com
1
MBR20H200CT
100
70
10,000
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
50
T
J
=150℃
I
R
，反向电流（
μ
A)
20
1,000
T
J
=150℃
T
J
=125℃
100
T
J
=100℃
10
T
J
=125℃
10
7
5
T
J
=100℃
1
T
J
=25℃
2
0.1
T
J
=25℃
1
0.2
VF
0.4
0.6
0.8
1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
，瞬时电压（伏）
V
R
，反向电流（伏）
图1.典型正向电压（每腿）
P
F（ AV ）
，平均功耗（瓦）
图2.典型的反向电流（每腿）
T
J
=125℃
36
32
28
10
方
WAVE
I
F（ AV ）
，平均功率电流（安培）
40
25
额定电压
R
θ
JC
=2
℃
/W
20
dc
24
20
16
12
8
4
0
0
5
10
15
20
25
30
35
I
PK
=20
I
AV
15
方
WAVE
10
5
0
90
100
110
120
130
140
150
160
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
T
C
，外壳温度（
℃
)
图3.前向功率耗散
图4.正向电流降额，案例
500
T
J
=25
C
400
C，电容（
p
F)
300
200
100
0
1
2
5
10
20
50
70
100
V
R
，反向电压（伏）
图5.典型电容（每腿）
Sirectifier全球公司，特拉华州， U.S.A.
U.S.A ：
sgc@sirectsemi.com
法国：
ss@sirectsemi.com
台湾：
se@sirectsemi.com
香港：
hk@sirectsemi.com
中国：
st@sirectsemi.com
...泰国：
th@sirectsemi.com
菲律宾：
aiac@sirectsemi.com
伯利兹：
belize@sirectsemi.com
HTTP ： // www.sirectsemi.com
2
CREAT的艺术
MBR20H100CT - MBR20H200CT
20.0AMPS 。肖特基势垒整流器
TO-220AB
Pb
RoHS指令
合规
特点
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
对于电源的使用 - 输出整流，功率
管理，仪器仪表
保护环的过压保护
高温焊接保证：
260 ℃ / 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G"
机械数据
案例： JEDEC TO - 220AB模压塑体
终端：纯锡电镀，无铅，焊
每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5英寸 - 磅，最大
重量： 1.82克
尺寸以英寸（毫米）
标记图
MBR20HXXCT =具体设备守则
G
Y
WW
=绿色复合
=年
=工作周
最大额定值和电气特性
等级25
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值重复浪涌电流
（额定V
R
，方波， 20kHz的）
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压（注2 ）
IF = 10A ，T
A
=25℃
IF = 10A ，T
A
=125℃
IF = 20A ，T
A
=25℃
IF = 20A ，T
A
=125℃
最大Instantaneius反向
电流在额定阻断电压DC
电压变动率（额定V
R
)
最典型热阻
工作结温范围
存储温度范围
注1 ： 2.0uS脉冲宽度， F = 1.0KHz
注2 ：脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
@ T
A
=25
℃
@ T
A
=125
℃
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
MBR
20H100CT
100
70
100
MBR
20H150CT
150
105
150
20
20
150
1.0
MBR
20H200CT
200
140
200
单位
V
V
V
A
A
A
0.5
0.88
0.75
0.97
0.85
5
2
10,000
1.5
- 65 + 175
- 65 + 175
A
0.85
V
F
0.75
0.95
0.85
I
R
dv / dt的
R
θJC
T
J
T
英镑
V
uA
mA
V /美
O
C / W
O
O
C
C
版本： E11
额定值和特性曲线（ MBR20H100CT THRU MBR20H200CT ）
FIG.1-正向电流降额曲线
25
平均正向
A
电流（A ）
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度（
o
C)
电阻或
INDUCTIVELOAD
150
峰值正向浪涌
A
电流（A ）
125
100
75
50
25
0
1
图。 2 - 最大非重复正向
浪涌电流每支架
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
10
循环次数在60赫兹
100
100
FIG.3-典型正向
CHARACTERISRICS每支架
10
图。 4-典型的反向特性
每腿
瞬时反向
A
电流（mA ）
正向
A
电流（A ）
10
TA=125℃
1
TA=25℃
1
TA=125℃
0.1
TA=75℃
0.01
0.1
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
0.001
TA=25℃
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
正向电压（ V）
1
1.1 1.2
0.0001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压
(%)
图。 5典型结电容PER
腿
10,000
结电容（pF ）
A
图。 6典型的瞬态热阻抗
每腿
100
瞬态热
阻抗（
℃
/W)
0.1
1
10
100
10
1,000
1
100
反向电压（ V）
0.1
0.01
0.1
1
10
100
T-脉冲持续时间。 （秒）
版本： E11
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & SB20H200CT - 1
TO-220AB
ITO-220AB
特点
护过电压保护
低功耗，高效率
低正向压降
??高频工作
1
2
3
1
2
3
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，续流和
极性保护应用。
MBR20H200CT
TO-262AA
MBRF20H200CT
1
2
3
SB20H200CT-1
销1
3脚
销2
例
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
安装扭矩：
最大10磅
极性：
由于标
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
2 ×10
200 V
290 A
0.75 V
175 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
E
RSM
E
AS
V
C
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR20H200CT
200
200
200
20
10
290
1.0
20
20
25
10 000
- 65 + 175
1500
单位
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
kV
V / μs的
°C
V
www.kersemi.com
1
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加
每个二极管的额定载荷
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
每个二极管的峰值非重复性反向浪涌能量（ 8/20微秒波形）
每个二极管非重复性雪崩能量在25 ° C，I
AS
= 2.0 A，L = 10毫亨
静电放电电容电压
人体模型空气排出： C = 100 pF的， R 0 1.5千欧
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压端子（ ITO - 220AB只）到散热片t为1分钟
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & SB20H200CT - 1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每个二极管的正向电压
(1)
TEST
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
4.0 V， 1 MHz的
符号
典型值。
0.81
0.65
0.87
0.74
5.0
1.0
250
马克斯。
0.88
0.75
0.97
0.85
单位
V
F
V
最大反向电流每
在工作峰值反向二极管
电压
(1)
典型结电容
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
I
R
C
J
A
mA
pF
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.0
MBRF
4.0
SB
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-262AA
首选的P / N
MBR20H200CT-E3/45
MBRF20H200CT-E3/45
SB20H200CT-1E3/45
单位重量（g ）
2.06
2.20
1.58
封装代码
45
45
45
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
配送方式
管
管
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
25
MBR ， MBRB
350
325
300
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
1
10
100
平均正向电流（ A）
20
MBRF
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
数
环，在60赫兹的
图1.正向降额曲线（总）
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
www.kersemi.com
2
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & SB20H200CT - 1
100
10 000
正向电流（A ）
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 75 °C
1
T
J
= 25 °C
结电容（pF ）
1.1
T
J
= 175 °C
1000
100
0.1
0.1
10
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10 000
T
J
= 175 °C
100
1000
100
T
J
= 125 °C
T
J
= 75 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
10
MBRF
10
1
T
J
= 25 °C
1
MBR ， MBRB
0.1
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
www.kersemi.com
3
MBR20H200CT ， MBRF20H200CT & SB20H200CT - 1
包装外形尺寸
TO-220AB
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.343 (8.70)
典型值。
0.150 (3.80)
0.139 (3.54)
DIA 。
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.331 (8.40)
典型值。
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
1.161 (29.48)
1.106 (28.08)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
ITO-220AB
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
1.29 (3.28)
DIA 。
1.21 (3.08)
0.138 (3.50)
0.122 (3.10)
0.270 (6.88)
0.255 (6.48)
0.193 (4.90)
0.177 (4.50)
0.108 (2.74)
0.092 (2.34)
0.067 (1.70)
典型值。
针
1 2 3
0.118 (3.00)
典型值。
0.630 (16.00)
0.614 (15.60)
1
针
2
0.264 (6.70)
0.248 (6.50)
0.320 (8.12)
0.304 (7.72)
0.633 (16.07)
0.601 (15.67)
3
0.117 (2.96)
0.101 (2.56)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.100 (2.54)
典型值。
0.064 (1.62)
0.056 (1.42)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.396 (10.05)
0.372 (9.45)
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.039 (1.00)
0.024 (0.60)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.058 （ 1.47 ）最大。
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
TO-262AA
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.055 (1.40)
0.039 (1.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
K
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
1
针
2
0.425 (10.80)
0.393 (10.00)
3
0.488 (12.4)
0.472 (12.00)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.062 (1.57)
0.054 (1.37)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
www.kersemi.com
4
E
L
E
C
T
R
O
N
I
C
MBR20H200CT/FCT
功率肖特基整流器 - 20安培200Volt
□
特点
- 塑料包装有保险商实验室可燃性分类94V- 0
- 高结温能力
- 低正向电压，高电流能力
- 高浪涌能力
- 低功耗，高效率
- ESD性能的人体模式> 4 KV
□
应用
-AC / DC开关适配器等开关电源
-PDP
□
绝对最大额定值
符号
评级
20
200
150
0.75
-50到+175
单位
A
V
A
V
C
条件
平均正向电流
反向重复峰值电压
峰值正向浪涌电流
正向电压降
工作和存储温度
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
j,
T
英镑
□
电气特性
参数
符号
评级
条件
每腿在
I
F
= 10A
最大正向电压
V
F
0.92V
0.75V
TC = 25℃
TC = 125°C
每腿在
V
R
= 200V
最大反向漏电流
I
R
0.05mA
10mA
TC = 25℃
TC = 125°C
每腿
TO-220AB
ITO-220AB
典型热阻，结到外壳
R
θ
（J -C ）
2.2
摄氏度/ W
4.5
摄氏度/ W
2012年6月/ Rev.6.8
HTTP ： // www.sirectsemi.com
1
MBR20H200CT/FCT
平均正向电流
安培
8
峰值正向浪涌电流
安培
10
150
120
6
90
4
60
2
30
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
5
10
20
50
100
环境温度（ ℃）
循环次数在60Hz
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复浪涌电流
100
100
瞬时反向电流（毫安）
10
瞬时正向电流（ A）
0
10
1
0.1
1.0
0.01
0.001
20
40
60
80
100
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
正向电压，伏
图3.典型的反向特性
1000
图4.典型的正向特性
电容（PF ）
100
T
J
= 25C
F = 1MHz的
10
0.1
1
4
10
100
反向电压，伏
图5.典型结电容
Sirectifier全球公司，特拉华州， U.S.A.
U.S.A ：
sgc@sirectsemi.com
法国：
ss@sirectsemi.com
台湾：
se@sirectsemi.com
香港：
hk@sirectsemi.com
中国：
st@sirectsemi.com
...泰国：
th@sirectsemi.com
菲律宾：
aiac@sirectsemi.com
伯利兹：
belize@sirectsemi.com
HTTP ： // www.sirectsemi.com
2
MBR20H200CT/FCT
MBR20H200CT
TO-220AB
L
B
C
D
K
E
A
M
MBR20H200FCT
ITO-220AB
L
B
C
D
K
E
A
M
F
O
I
J
P
G
O
I
F
G
J
H
A1
H
N
H
A1
H
N
K
A2
尺寸
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
英寸
民
.579
.392
.104
.248
.325
.126
.492
.096
.028
.010
.146
.167
.045
.089
.047
最大
.606
.411
.116
.272
.350
.157
.551
.108
.039
.022
.157
.187
.057
.114
.055
民
14.70
9.95
2.65
6.30
8.25
3.20
12.50
2.45
0.70
0.25
3.70
4.25
1.15
2.25
1.20
MM
最大
15.40
10.45
2.95
6.90
8.90
4.00
14.00
2.75
1.00
0.55
4.00
4.75
1.45
2.90
1.40
记
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
民
.577
.386
.098
.258
.315
.110
.508
.089
.020
.020
.120
.169
.051
.079
.043
.051
K
A2
尺寸
英寸
最大
.600
.406
.114
.274
.331
.161
.571
.106
.033
.028
.138
.185
.063
.112
.055
.071
民
14.65
9.80
2.50
6.55
8.00
2.80
12.90
2.25
0.50
0.50
3.05
4.30
1.30
2.00
1.10
1.30
MM
最大
15.25
10.30
2.90
6.95
8.40
4.10
14.50
2.70
0.85
0.70
3.50
4.70
1.60
2.85
1.40
1.80
记
HTTP ： // www.sirectsemi.com
3
QQ：2880707522 复制
