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数据表
高压功率肖特基整流器
概述
高电压双肖特基整流器适用于开关
模式电源及其他电源转换器。这
装置适用于中压操作使用
化,特别是,在高频电路中
低开关损耗和低噪声是必需的。
MBR20H100C可在TO- 220F - 3 , TO- 220-3
和TO- 220-3 (2)的包。
MBR20H100C
主要产品特性
I
F( AV)
V
RRM
T
J
V
F
(最大)
2×10A
100V
175
o
C
0.64V
特点
·
·
·
·
·
·
低正向电压: 0.64V @
高浪涌能力
175
o
C的工作结温
20A合计( 10A每个二极管腿)
保护环应力保护
无铅封装
125
o
C
机械特性
·
·
·
案例:环氧树脂,模压
环氧符合UL 94V- 0 @ 0.125英寸
重量(大约):
2Grams (TO- 220-3 ,TO- 220-3 (2)和
TO-220F-3)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀
和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的:
260
o
C最大10秒
·
·
·
应用
·
·
·
电源输出整流
电源管理
仪器仪表
TO-220F-3
TO- 220-3 (可选)
TO- 220-3 (2)
MBR20H100C图1.包装类型
2011年3月修订版1.4
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
引脚配置
牛逼套餐
( TO- 220-3 ) (可选)
(TO- 220-3 ( 2))的
MBR20H100C
3
2
1
A2
K
A1
3
2
1
A2
K
A1
TF包
(TO-220F-3)
3
2
1
A2
K
A1
图2. MBR20H100C的引脚配置(顶视图)
A1
K
A2
MBR20H100C图3.内部结构
2011年3月修订版1.4
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
订购信息
MBR20H100C
MBR20H100C
电路类型
T: TO- 220-3 ( 2 )
TO- 220-3 (可选)
TF : TO- 220F - 3
-
E1 :无铅
G1 :绿
空白:管
产品型号
无铅
标记ID
绿色
MBR20H100CT-G1
无铅
MBR20H100CT-E1
绿色
MBR20H100CT-G1
填料
TYPE
TO- 220-3 (2) MBR20H100CT -E1
TO-220F-3
MBR20H100CTF -E1 MBR20H100CTF -G1 MBR20H100CTF -E1 MBR20H100CTF -G1
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。与产品
"G1"后缀是绿色封装。
2011年3月修订版1.4
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
绝对最大额定值(每个二极管腿) (注1 )
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
) T
C
=162
o
C
重复峰值正向电流
(额定V
R
,方波, 20kHz的)T
C
=160
o
C
非重复峰值浪涌电流(浪涌应用在额定负载
条件半波,单相,60赫兹)
工作结温(注2 )
存储温度范围
变化的电压率(额定V
R
)
ESD (机器型号= C )
ESD(人体模型= 3B)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV)
I
FRM
I
FSM
T
J
T
英镑
dv / dt的
价值
100
单位
V
MBR20H100C
10
20
250
175
-65 175
10000
>400
>8000
A
A
A
o
C
o
C
V / μs的
V
V
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
注2 :产生必须小于从结到环境的热传导热: DP
D
/ DT
J
<1/θ
JA
.
热特性
参数
符号
条件
结到外壳
TO-220-3/
TO- 220-3 (2)
TO-220F-3
价值
2.0
2.5
60
o
单位
θ
JC
最大热阻
C / W
θ
JA
结到环境
TO-220-3/
TO- 220-3 (2)
2011年3月修订版1.4
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
电气特性(每个二极管腿)
参数
符号
条件
I
F
= 10A ,T
C
=25
o
C
最大正向
电压降(注3 )
V
F
I
F
= 10A ,T
C
=125
o
C
I
F
= 20A ,T
C
=25 C
I
F
= 20A ,T
C
=125
o
C
最大瞬时反转
电流(注3)
I
R
额定直流电压,T
C
=125
o
C
额定直流电压,
T
C
=25
o
C
o
MBR20H100C
价值
0.77
0.64
0.88
0.73
6.0
单位
V
mA
0.0045
注3 :脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比Cycle≤2.0 % 。
2011年3月修订版1.4
5
BCD半导体制造有限公司
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    MBR20H100CTF-E1
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地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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MBR20H100CTF-E1
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