SENSITRON
半导体
技术参数
数据表3468 ， Rev. D的
MBR2080/90/100CT-G
MBRB2080/90/100CT-G
MBR2080/90/100CT-1-G
绿色产品
MBR20…CT-G/MBRB20…CT-G/MBR20…CT-1-G
肖特基整流器器
应用范围：
开关电源
转换器
续流二极管
反向电池保护
产品特点：
150 ° （C T）
J
手术
中心抽头配置
低正向压降
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装提高机械强度和
耐湿性
高频率运行
保护环，增强耐用性和长期可靠性
表壳款式
MBR20…CT-G
MBRB20…CT-G
MBR20…CT-1-G
TO-220AB
D
2
PAK
机械尺寸：毫米/英寸
TO-262
TO-220AB
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
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技术参数
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MBR2080/90/100CT-G
MBRB2080/90/100CT-G
MBR2080/90/100CT-1-G
绿色产品
D
2
PAK
10.16(0.400)
REF 。
1.37(0.054)
1.17(0.046)
4.69(0.185)
4.20(0.165)
1.32(0.052)
1.22(0.048)
BASE
常见
阴极
15.49(0.610)
14.73(0.580)
8.90(0.350)
8.50(0.335)
1.70(0.067)
1.30(0.051)
5.28(0.208)
4.78(0.188)
阳极1
阳极2
3
×
1.40(0.055)
1.14(0.045)
0.93(0.037)
2
×
0.69(0.027)
0.55(0.022)
0.46(0.018)
常见
阴极
5.08(0.200)REF.
TO-262
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绿色产品
最大额定值：
特征
符号
条件
马克斯。
U
ni
ts
V
峰值反向电压
V
RWM
-
马克斯。平均正向
马克斯。峰值一个周期非
重复浪涌电流
（每站）
反向重复峰值
浪涌电流（每腿）
I
F（ AV ）
占空比为50％ @T
C
=133℃,
矩形波的形式
8.3毫秒，半正弦脉冲
2.0s,1.0KHz
MBR2080CT-G
80
MBRB2080CT-G
MBR2080CT-1-G
MBR2090CT-G
90
MBRB2090CT-G
MBR2090CT-1-G
MBR20100CT-G
100
MBRB20100CT-G
MBR20100CT-1-G
10 （每站）
20 （每设备）
150
0.5
A
I
FSM
I
RRM
A
A
电气特性：
特征
马克斯。正向电压降
（每腿） *
符号
V
F1
V
F2
马克斯。反向电流
（每腿） *
I
R1
I
R2
马克斯。变化的电压率
*
脉宽< 300μS ，占空比<2 ％
dv / dt的
条件
@ 10A ，脉冲，T
J
= 25
℃
@ 20 A，脉冲，T
J
= 25
℃
@ 10 A，脉冲，T
J
= 125
℃
@ 20 A，脉冲，T
J
= 125
℃
@V
R
=额定V
R
T
J
= 25
℃
@V
R
=额定V
R
T
J
= 125
℃
-
马克斯。
0.85
0.95
0.75
0.85
1.00
6.0
10,000
单位
V
V
mA
mA
V / μs的
热机械产品规格：
特征
最大。结温
马克斯。储存温度
最大热
电阻结到管壳
（每站）
大约重量
安装力矩
机箱样式
符号
T
J
T
英镑
R
θJC
wt
T
M
条件
-
-
直流操作
规范
-55到+150
-55到+150
2.0
单位
℃
℃
℃/W
-
-
1.9
6(Min.)
12(Max.)
2
TO- 220AB PAK TO- 262
g
公斤 - 厘米
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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绿色产品
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版本数据表（S ）的。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通设备的使用，
医疗设备和安全设备），安全应该通过使用配有确保安全或半导体器件可以确保
用户的方式“故障 - 安全注意事项或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
物业索赔或任何其他问题可能导致的信息，产品或在数据表中所述的电路应用。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
从使用的值超过绝对最大额定值。
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Sensitron半导体。
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妨碍维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于该目的
派对。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合有关法律，
的规定。
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SMD肖特基势垒整流器
电压： 30150 V
电流： 20.0
器件符合RoHS
特点
- 金属硅整流，多数载流子导电的。
-Guard环瞬态保护。
- 低功耗，高效率。
- 高电流能力，低VF 。
- 高浪涌能力。
在低电压 - 对于使用高频率逆变器，
续流和极性保护应用程序。
COMCHIP
SMD二极管专家
MBR2030CT -G直通。 MBR20150CT -G
TO-220AB
0.108
(2.75)
0.413(10.50)
0.347( 9.50)
0.153(3.90)
0.146(3.70)
0.187(4.70)
0.148(3.80)
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.270(6.90)
0.230(5.80)
0.610(15.50)
0.583(14.80)
机械数据
-Case ： TO- 220AB ，注塑
- 环氧： UL 94 -V0率阻燃。
-Polarity ：随着标明阀体上。
-Mounting位置：任意
- 重量： 2.24克
尺寸以英寸（毫米）
0.051(1.30)
最大
0.157
(4.0)
0.583(14.80)
0.531(13.50)
0.043(1.10)
0.032(0.80)
0.102(2.60)
0.091(2.30)
0.024(0.60)
0.012(0.30)
0.126
(3.20)
电气特性
（在T = 25 ° C除非另有说明）
A
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载电流20％ 。
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
电流（参见图1 ）
峰值正向Surage电流，
8.3ms单半正弦波
超级强加在额定负荷（ JEDEC的方法）
IF = 10A @ T
J
= 25°C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
2030CT -G 2040CT -G 2050CT -G 2060CT -G 2080CT -G 20100CT -G 20150CT -G
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
20.0
80
56
80
100
70
100
150
105
150
单位
V
V
V
A
150
-
0.57
0.84
0.72
0.10
15.0
400
1.50
-55到+150
-55到+175
0.80
0.70
0.95
0.85
0.10
10.0
320
3.50
0.85
0.75
0.95
0.85
0.10
7.50
0.95
0.85
1.05
0.95
0.10
5.00
A
峰值正向电压
（注1 ）
IF = 10A @ T
J
=125°C
IF = 20A @ T
J
= 25°C
IF = 20A @ T
J
=125°C
V
F
V
反向电流最大DC
@ T
J
= 25°C
在速率DC阻断电压
@ T
J
= 125°C
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
I
R
C
J
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
pF
° C / W
°C
°C
注意事项：
1. 300US脉冲宽度， 2 ％的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
QW-BB046
REV ： B
第1页
COMCHIP科技有限公司。
SMD肖特基势垒整流器
COMCHIP
SMD二极管专家
额定值和特性曲线（ MBR2030CT -G直通。 MBR20150CT -G ）
FIG.1-正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流（ A）
FIG.2-最大不重复浪涌电流
300
250
200
150
100
50
0
脉宽8.3ms的
单半正弦波
（ JEDEC的方法）
25.0
平均正向电流（ A）
20.0
15.0
10.0
5.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
单相半波
60Hz的电阻或
感性负载
1
2
5
10
20
50
100
外壳温度（ ° C）
循环次数在60Hz
FIG.3-典型的逆向工程＆特点
1000
MBR2030CT-G~MBR2060CT-G
MBR2080CT-G~MBR20150CT-G
FIG.4-典型正向特性
100
MBR2030CT-G~
MBR2040CT-G
瞬时反向电流（毫安）
瞬时正向电流（ A）
100
10
MBR2050CT-G~
MBR2060CT-G
MBR20150CT-G
10
TJ=125°C
1.0
1
MBR2080CT-G~
MBR20100CT-G
0.1
TJ=25°C
TJ=25°C
脉宽300US
2 ％的占空比
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
额定峰值反向电压（ ％ ）百分比
正向电压（ V）
FIG.5-典型结电容
1000
MBR2030CT-G~
MBR20400CT-G
MBR2030CT-G~
MBR20400CT-G
电容（PF ）
100
T
J=
25 ℃， F = 1MHz的
10
0.1
1
10
100
反向电压， （V）的
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