MBR / B20xxCT系列
20A双肖特基整流器
产品概述
额定电压可从35至60伏特
特点
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
为了在低电压，高频率逆变器，续流，
和极性保护应用
机械数据
高温焊接保证：
250 ℃下进行10秒， 0.25" （ 6.35mm）时，从壳体
案例： JEDEC TO - 220AB （ MBR ...）或ITO - 220AB （ MBRB ... ）模压塑体 - 尺寸，见第3页
终端：哑光镀Sn线索，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
最大10英寸磅：安装扭矩
重量0.08盎司， 2.24克
无铅;符合RoHS标准
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流在
T
C
=135°C
设备总
每腿
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
MBR2035CT MBR2045CT MBR2050CT MBR2060CT
MBRB2035CT
MBRB2045CT
MBRB2050CT MBRB2060CT
单位
伏
伏
伏
安培
安培
安培
35
35
35
45
45
45
20
10
20
150
1.0
10,000
50
50
50
60
60
60
每腿重复峰值正向电流（额定V
R
，平方。
波， 20kHz的）在T
C
=135
o
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向浪涌电流在t
p
=
2.0
u
S， 1KHz的
变化的电压率（额定V
R
)
每站最大瞬时正向电压（注
1)
在我
F
= 10A ，T
C
=25
o
C
在我
F
= 10A ，T
C
=125
o
C
在我
F
= 20A ，T
C
=25
o
C
在我
F
= 20A ，T
C
=125
o
C
最大反向电流
额定阻断电压DC
每腿（注
1)
T
C
=25
o
C
T
C
=125
o
C
0.5
安培
V/
us
-
V
F
0.57
0.84
0.72
0.1
I
R
15
R
θ
JC
2.0
0.80
0.70
0.95
0.85
0.15
mA
150
°C
/W
伏特
从结点到外壳每腿热阻
工作结温范围
存储温度范围
注意事项：
1.脉冲测试： 300US脉冲宽度， 1 ％的占空比
T
J
T
英镑
-55到+150
-55到+150
o
C
C
o
2006年12月3日Rev.4.01
www.SiliconStandard.com
1第3
MBR / B20xxCT系列
物理尺寸
ITO-220AB
TO-220AB
尺寸以英寸（毫米）
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而，硅标准公司不做任何
担保或保证，明示或暗示，作为对这些信息的可靠性，准确性，及时性或完整性不承担任何
其使用的责任，或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
2006年12月3日Rev.4.01
www.SiliconStandard.com
3 3
MBRB2060CT ， MBR2060CT
SWITCHMODEt
电源整流器
TO220/D
2
PAK表面贴装功率
包
国家的最先进的，这些器件采用采用肖特基
屏障原理与铂阻挡金属。
特点
http://onsemi.com
套餐专为功率表面贴装应用（D
2
PAK ）
中心抽头配置（D
2
PAK ）
Guardring应力保护
低正向电压
175 ° C工作结温
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
短散热器制造标签
不剪绒（D
2
PAK ）
类似的大小与工业标准TO- 220封装
无铅包可用
肖特基势垒
整流器
20安培， 60伏
1
4
3
4
机械特性：
案例：环氧树脂，模压，环氧符合UL 94 V- 0
重量： 1.7克（约）
D
2
PAK ，
1.9克（约）
TO220
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。 10秒（D
2
PAK ）
器件符合MSL1要求（D
2
PAK ）
ESD额定值：机器型号，C （ >400 V）
人体模型， 3B （ >8000 V）
等级
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
价值
60
单位
V
4
1
3
1
D
2
PAK
CASE 418B
方式3
3
TO220AB
CASE 221A
类型6
2
最大额定值
（每站）
标记DIAGRAMS
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
C
= 110 ℃）器件总
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波，
20千赫，T
C
= 100°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
峰值重复反向浪涌电流
(2.0
女士，
1.0千赫）
存储温度范围
工作结温（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
10
20
20
A
A
AY WW
B2060G
AKA
AY WW
B2060G
AKA
I
FSM
150
A
I
RRM
T
英镑
T
J
dv / dt的
0.5
65
到+175
65
到+175
10,000
A
°C
°C
V / ms的
A
Y
WW
B2060
G
AKA
=大会地点
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
=二极管极性
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.产生的热必须小于由热传导率
结至环境： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
2009年9月
启8
1
出版订单号：
MBRB2060CT/D
MBRB2060CT ， MBR2060CT
热特性
（每站）
特征
热阻，
结到外壳
结到环境（注2 ）
结到环境（注2 ）
MBRB2060CT
MBR2060CT
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
价值
2.0
50
60
单位
° C / W
2.当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装。
电气特性
（每站）
特征
最大正向电压（注3 ）
(i
F
= 20安培，T
J
= 125°C)
(i
F
= 20安培，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注3 ）
（额定直流电压，T
J
= 125°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
符号
v
F
i
R
价值
0.85
0.95
35
0.15
单位
V
mA
订购信息
设备
MBRB2060CT
MBRB2060CTG
MBRB2060CTT4
MBRB2060CTT4G
MBR2060CT
MBR2060CTG
包
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
800单位/磁带&卷轴
800单位/磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MBRB2060CT ， MBR2060CT
I F ，正向电流（安培
50
125°C
150°C
10
100°C
5
3
T
J
= 25°C
I R ，反向电流（毫安）
20
10
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
1
T
J
= 150°C
0.1
1
0.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
v
F
，瞬时电压（伏）
0.9
1
0.01
0
20
T
J
= 25°C
40
60
80
100
V
R
，反向电压（伏）
120
140
图1.典型正向电压每二极管
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
20
dc
15
方波
10
施加额定电压
R
QJC
= 2 ° C / W
平均功率（瓦）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
80
100
0
120
140
T
C
，外壳温度（ ° C）
160
180
0
图2.典型的反向电流每二极管
I
PK
/I
AV
= 5
PI
I
PK
/I
AV
= 10
I
PK
/I
AV
= 20
方
WAVE
DC
T
J
= 125°C
5.0
2
4
6
8
10
12
14
平均电流（安培）
16
18
20
图3.典型电流降额，案例，
每腿
图4.平均功耗和
平均电流
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3
MBRB2060CT ， MBR2060CT
包装尺寸
D
2
PAK 3
CASE 418B -04
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，
新标准418B -04 。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
V
英寸
民
最大
0.340 0.380
0.380 0.405
0.160 0.190
0.020 0.035
0.045 0.055
0.310 0.350
0.100 BSC
0.080
0.110
0.018 0.025
0.090
0.110
0.052 0.072
0.280 0.320
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
0.575 0.625
0.045 0.055
MILLIMETERS
民
最大
8.64
9.65
9.65 10.29
4.06
4.83
0.51
0.89
1.14
1.40
7.87
8.89
2.54 BSC
2.03
2.79
0.46
0.64
2.29
2.79
1.32
1.83
7.11
8.13
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
14.60 15.88
1.14
1.40
C
E
B
4
V
W
1
2
3
S
A
T
座位
飞机
K
G
D
3 PL
M
J
H
T B
M
W
0.13 (0.005)
变量
CON组fi guration
区
L
M
R
N
U
L
P
L
M
方式3 ：
PIN 1.阳极
2.阴极
3.阳极
4.阴极
M
F
VIEW的W-W
1
F
VIEW的W-W
2
F
VIEW的W-W
3
焊接足迹*
8.38
0.33
10.66
0.42
1.016
0.04
5.08
0.20
17.02
0.67
3.05
0.12
mm
英寸
尺度3:1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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4
MBRB2060CT ， MBR2060CT
包装尺寸
TO220
CASE 221A -09
ISSUE AF
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.161
0.095
0.105
0.110
0.155
0.014
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
---
---
0.080
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
4.09
2.42
2.66
2.80
3.93
0.36
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
---
---
2.04
T
B
4
座位
飞机
F
T
C
S
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
类型6 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
阳极
阴极
阳极
阴极
SWITCHMODE是半导体元件工业， LLC的商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
MBRB2060CT/D
MBR2040CT~MBR20200CT
20安培肖特基二极管
电压
40至200伏特
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率。
高电流能力
Guardring为overvlotage保护
适用于低电压，高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
.058(1.47)
.042(1.07)
当前
20安培
MECHANICALDATA
案例： TO- 220AB模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：作为标记。
安装位置：任意
重量： 0.0655盎司， 1.859克。
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币（S eefig 1 ）
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE -
WA已经s提高erimposedonratedload （ JEDEC浩会见四）
米喜米庵F orward V oltageat 1 0 ， perleg
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
J
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G （E T）
J
= 1 2 5
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究（E S）我S T A N权证
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
S YM B○升
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F（ A V ）
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J·C
T
J
, T
s TG
MB R2 0 4 0 （C T）
MB R2 0 4 5 （C T）
MB R2 0 5 0 （C T）
MB R2 0 6 0 （C T）
MB R2 0 8 0 （C T）
MB的R 2 0 9 0 CT MB的R 2 0 1 0 0 CT MB的R 2 0 1 5 0 CT MB的R 2 0 2 0 0 CT
加利它s
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
20
200
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7
0.75
0 .0 5
20
2
0 .8
0 .9
V
mA
O
C /
W
C
-5 0到+ 1 5 0
-65到+175
O
注意事项：
这两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-APR.30.2009
PAGE 。 1
MCC
特点
MBR2020CT
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
THRU
MBR20100CT
20 AMP
肖特基
垒整流器器
20至100伏特
TO-220AB
B
C
S
Q
T
A
U
1 2
H
K
3
硅整流，多数传导金属花色
保护环的瞬态保护
低正向压降
高电流能力，高效率
标记：型号数量
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 150°C
MCC
最大
最大
目录
复发
RMS
数
反向峰值
电压
电压
MBR2020CT
20V
14V
MBR2030CT
30V
21V
MBR2035CT
35V
24.5V
MBR2040CT
40V
28V
MBR2045CT
45V
31.5V
MBR2060CT
60V
42V
MBR2080CT
80V
56V
MBR20100CT
100V
70V
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
2020CT-2045CT
2060CT
2080CT-20100CT
2020CT-2045CT
2060CT
2080CT-20100CT
2020CT-2045CT
2060CT
2080CT-20100CT
最大直流反接
电流在额定DC
阻断电压
2020CT~2045CT
2060CT~20100CT
2020CT~2045CT
2060CT~20100CT
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
F
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
I
F（ AV ）
I
FSM
20 A
150A
T
A
= 120°C
8.3ms的，半正弦
L
G
N
销1
3脚
V
D
J
R
销2
例
V
F
.70V
.80V
.85V
.84V
.95V
.95V
.72V
.85V
.85V
I
FM
= 10A;
T
A
=25°C *
I
FM
= 20A;
T
A
=25°C *
I
FM
= 20A;
T
A
=125°C *
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
I
R
0.1mA
0.15mA
50mA
150mA
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
*脉冲测试：脉冲宽度300μsec ，占空比2 ％
注意事项： 1。高低温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
修改：
8
www.mccsemi.com
1第3
2008/01/01
MCC
TM
微型商业组件
订购信息
设备
（品名） -BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学，
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修改：
8
3 3
2008/01/01
CREAT的艺术
MBR2035CT - MBR20200CT
20.0安培。肖特基势垒整流器
TO-220AB
Pb
RoHS指令
合规
特点
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
保护环的过压保护
高温焊接保证：
260 ℃ / 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G"
机械数据
案例： JEDEC TO - 220AB模压塑料
终端：纯锡电镀，无铅，焊
每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5英寸 - 磅，最大
重量： 1.71克
尺寸以英寸（毫米）
标记图
MBR20XXCT
G
Y
WW
=具体设备守则
=绿色复合
=年
=工作周
最大额定值和电气特性
等级25
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
MBR
标志2035
CT
V
RRM
35
V
RMS
24
V
DC
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
1.0
-
V
F
0.57
0.84
0.72
I
R
dv / dt的
Cj
R
θJC
T
J
T
英镑
400
1.0
- 65至+ 150
- 65 + 175
15
0.80
0.70
0.95
0.85
0.1
10
10000
320
2.0
O
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
重复峰值正向电流
（额定VR ，方波，为20KHz ）
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压为： （注2 ）
IF = 10A ，T
A
=25℃
IF = 10A ，T
A
=125℃
IF = 20A ，T
A
=25℃
IF = 20A ，T
A
=125℃
最大瞬时反向电流@ T
A
=25
℃
在额定阻断电压DC
@ T
A
=125
℃
变化的电压率（额定V
R
)
典型结电容
每腿典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
注1 ： 2.0uS脉冲宽度， F = 1.0KHz
注2 ：脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
MBR
2045
CT
45
31
45
MBR
2050
CT
50
35
50
MBR
2060
CT
60
42
60
20
20
MBR
2090
CT
90
63
90
MBR膜生物反应器MBR
20100 20150 20200
CT
CT
CT
100
150
200
70
100
105
150
140
200
单位
V
V
V
A
A
A
35
150
0.5
0.85
0.75
0.95
0.85
5
0.99
0.87
1.23
1.10
A
V
mA
0.15
mA
V /美
pF
C / W
O
C
C
O
版本： G11
额定值和特性曲线（ MBR2035CT MBR20200CT THRU ）
FIG.1-正向电流降额曲线
24
平均正向
A
电流（A ）
20
16
12
8
4
0
0
50
100
o
图。 2 - 最大非重复正向
浪涌电流
150
峰值正向浪涌
电流（A ）
125
100
75
50
25
0
150
1
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
电阻或
INDUCTIVELOAD
外壳温度（ C）
10
循环次数在60赫兹
100
图。 3-典型正向
CHARACTERISRICS每支架
100
图。 4-典型的反向特性
每腿
100
正向电流（A ）
瞬时反向电流（mA ）
10
TA=125℃
1
10
TA=125℃
TA=25℃
1
MBR2035CT-2045CT
MBR2050CT-2060CT
MBR20100CT
MBR20150CT-200CT
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
正向电压（ V）
图。 5典型结电容
1
1.1 1.2
0.1
TA=75℃
0.1
0.01
TA=25℃
MBR2035CT-2045CT
MBR2050CT-20100CT
MBR20150CT-20200CT
0
20
40
60
80
100
120
140
0.001
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 6典型的瞬态热阻抗
每腿
10000
结电容（pF ）
A
TA=25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
100
1000
瞬态热
阻抗（
℃
/W)
10
1
100
0.1
MBR2035CT-2045CT
MBR2050CT-20200CT
0.1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1
反向电压（ V）
T-脉冲持续时间。 （秒）
版本： G11
思雨
R
MBR2040CT MBR20200CT ......
肖特基势垒整流器
反向电压40至200 V
正向电流20A
特征
特点
·大电流承受½力。High
电流能力
·正向压降½。Low
正向电压降
·½功耗高效率。Low
功耗，高效率
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
铅和符合RoHS规范体
肖特基二极管
反向电压
40---200V
正向电流
20 A
TO-220AB
机械数据
机械数据
·封装:
塑料封装
案例：模压塑料
·极性:
标记模压或印于本½
极性：符号模压或标记体
·安装½½:
任意
单位：英寸（毫米）
1
2
3
安装位置：任意
·安装扭距:
推荐值
0.3牛*米
安装扭矩：
推荐0.3牛顿米
极限值和温度特性
TA = 25°
除非另有规定。
最大额定值&热特性
符号
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
符号
2040CT 2045CT 2050CT 2060CT 20100CT 20150CT 20200CT
单½
单位
V
V
V
A
A
最大可重复峰值反向电压
最大重复峰值反向电压
V
RRM
40
28
40
45
31
45
50
35
50
60
42
60
20
150
100
70
100
150
105
150
200
140
200
最大均方根电压
最大RMS电压
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
R
θJC
TJ ， TSTG
最大直流阻断电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
典型热阻
典型热阻
1.5
-55 --- +150
3.5
℃
/W
℃
工½结温和存储温度
工作结存储温度范围
电特性
TA = 25°
除非另有规定。
电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
符号
2040CT 2045CT 2050CT 2060CT 20100CT 20150CT 20200CT
符号
V
F
I
R
单½
单位
V
mA
pF
最大正向电压
最大正向电压
I
F
=10A
T
J
= 25℃
T
J
= 100℃
0.63
0.10
15
400
0.75
0.85
0.15
150
310
0.95
0.99
最大反向电流
最大反向电流
典型结电容
V
R
=
4.0V ， F = 1MHz的
典型结电容
Cj
大昌电子
大昌电子
思雨
R
MBR2040CT MBR20200CT ......
特性曲线
特性曲线
正向特性曲线（典型值）
典型正向特性
正向电流降额曲线
正向电流降额曲线
100
平均正向电流
I
F（ AV ）
(A)
正向平均整流电流（ A）
I
F（ A）
I
F
正向电流（A ）
28
24
20
16
12
8
4
0
0
25
50
75 100 125 150 175
管½温度 Tc(°C)
外壳温度（ ° C）
10
正向电流
I
F
(A)
2
TJ = 25 C
1
0.1
0.4
0.6
0.8
MBR2040CT MBR2045CT
MBR2050CT MBR2060CT
MBR20100CT
MBR20150CT MBR20200CT
1.0
1.2
1.4
正向电压 V
F
(V)
V
F
正向电压（ V）
浪涌特性曲线（最大值）
最大不重复
峰值正向浪涌电流
150
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
120
峰值正向浪涌电流 I
FSM
(A)
90
60
30
0
1
2
4 6 10
20
40
100
通过电流的周期
在60赫兹的周期数。
大昌电子
大昌电子
MBR2035CT-MBR2060CT
MBR2035CT - MBR2060CT
特点
低功耗，高效率。
高浪涌能力。
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用。
金属硅交界处，多数载流子
传导。
高电流能力，低正向
电压降。
保护环，过电压保护。
销1
+
3脚
例
销2
1
2
3
TO-220AB
肖特基整流器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
2035CT
最高重复反向电压
平均正向电流整流
.375 "引线长度@ T
A
= 135°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
35
45
价值
2045CT
2050CT
50
20
150
-65到+175
-65到+150
2060CT
60
单位
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
功耗
热阻，结到环境*
热阻，结领导
参数
价值
2.0
60
2.0
单位
W
° C / W
° C / W
电气特性
符号
V
F
正向电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
2035CT
I
F =
10 A，T
C
= 25°C
I
F =
10 A，T
C
= 125°C
I
F =
20 A，T
C
= 25°C
I
F =
20 A，T
C
= 125°C
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
峰值重复反向浪涌电流
2.0我们脉宽， F = 1.0千赫
-
0.57
0.84
0.72
0.1
15
1.0
设备
2045CT
2050CT
2060CT
0.80
0.70
0.95
0.85
0.15
150
0.5
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
I
R
I
RRM
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR2035CT - MBR2060CT ，版本C
MBR2035CT-MBR2060CT
肖特基整流器器
（续）
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
20
150
125
100
75
50
25
0
16
12
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.00毫米） LOAD
长度
8
4
0
0
25
50
75
100
125
环境温度[摄氏度]
150
175
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
图1.正向电流降额曲线
图2.不重复浪涌电流
50
T
A
= 150
C
T
A
= 25
C
50
MBR2035CT-MBR2045CT
反向电流，I
R
[马]
正向电流I
F
[A]
10
10
T
A
= 125
C
MBR2035CT-MBR2045CT
1
MBR2050CT-MBR2060CT
T
A
= 75
C
MBR2035CT-MBR2045CT
1
MBR2050CT-MBR2060CT
0.1
0.1
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.01
T
A
= 25
C
MBR2050CT-MBR2060CT
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压，V
F
[V]
1
1.2
0.001
0
20
40
60
80
100 120 140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
图4.反向电流与反向电压
2000
1000
500
MBR2050CT-MBR2060CT
MBR2035CT-MBR2045CT
瞬态热阻抗[ C / W ]
5000
100
总电容，C
T
[ pF的]
10
1
200
100
0.1
1
10
反向电压， V
R
[V]
100
0.1
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间[S]
100
图5.总电容
图6.热阻抗特性
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR2035CT - MBR2060CT ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
MBR2050CT通MBR2060CT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C（ TAB ）
A
C
A
C
A
尺寸TO- 220AB
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
MBR2050CT
MBR2060CT
符号
I
（AV）
I
FSM
dv / dt的
V
RRM
V
50
60
V
RMS
V
35
42
V
DC
V
50
60
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
20
150
10000
I
F
=10A
I
F
=10A
I
F
=20A
I
F
=20A
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.80
0.70
0.95
0.85
0.1
15
2.0
400
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向
电压（注1 ）
V
F
V
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
mA
o
C / W
pF
o
o
典型结电容每元（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
C
C
注： 1。 300US脉冲宽度，占空比2 ％ 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 220AB模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量0.08盎司， 2.24克
*安装位置：任意
MBR2035CT-MBR2060CT
MBR2035CT - MBR2060CT
特点
低功耗，高效率。
高浪涌能力。
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用。
金属硅交界处，多数载流子
传导。
高电流能力，低正向
电压降。
保护环，过电压保护。
销1
+
3脚
例
销2
1
2
3
TO-220AB
肖特基整流器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
2035CT
最高重复反向电压
平均正向电流整流
.375 "引线长度@ T
A
= 135°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
35
45
价值
2045CT
2050CT
50
20
150
-65到+175
-65到+150
2060CT
60
单位
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
功耗
热阻，结到环境*
热阻，结领导
参数
价值
2.0
60
2.0
单位
W
° C / W
° C / W
电气特性
符号
V
F
正向电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
2035CT
I
F =
10 A，T
C
= 25°C
I
F =
10 A，T
C
= 125°C
I
F =
20 A，T
C
= 25°C
I
F =
20 A，T
C
= 125°C
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
峰值重复反向浪涌电流
2.0我们脉宽， F = 1.0千赫
-
0.57
0.84
0.72
0.1
15
1.0
设备
2045CT
2050CT
2060CT
0.80
0.70
0.95
0.85
0.15
150
0.5
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
I
R
I
RRM
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR2035CT - MBR2060CT ，版本C
MBR2035CT-MBR2060CT
肖特基整流器器
（续）
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
20
150
125
100
75
50
25
0
16
12
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.00毫米） LOAD
长度
8
4
0
0
25
50
75
100
125
环境温度[摄氏度]
150
175
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
图1.正向电流降额曲线
图2.不重复浪涌电流
50
T
A
= 150
C
T
A
= 25
C
50
MBR2035CT-MBR2045CT
反向电流，I
R
[马]
正向电流I
F
[A]
10
10
T
A
= 125
C
MBR2035CT-MBR2045CT
1
MBR2050CT-MBR2060CT
T
A
= 75
C
MBR2035CT-MBR2045CT
1
MBR2050CT-MBR2060CT
0.1
0.1
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.01
T
A
= 25
C
MBR2050CT-MBR2060CT
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压，V
F
[V]
1
1.2
0.001
0
20
40
60
80
100 120 140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
图4.反向电流与反向电压
2000
1000
500
MBR2050CT-MBR2060CT
MBR2035CT-MBR2045CT
瞬态热阻抗[ C / W ]
5000
100
总电容，C
T
[ pF的]
10
1
200
100
0.1
1
10
反向电压， V
R
[V]
100
0.1
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间[S]
100
图5.总电容
图6.热阻抗特性
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR2035CT - MBR2060CT ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
MCC
特点
MBR2020CT
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
THRU
MBR20100CT
20 AMP
肖特基
硅整流，多数Conducton的金属花色
保护环的瞬态保护
低正向压降
高电流能力，高效率
低功耗
垒整流器器
20至100伏特
TO-220AB
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
B
C
K
针
1
3
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
典型热阻2 ° C / W结到管壳
MCC
目录
数
MBR2020CT
MBR2030CT
MBR2035CT
MBR2040CT
MBR2045CT
MBR2060CT
MBR2080CT
MBR20100CT
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
2020CT-2045CT
2060CT
2080CT-20100CT
2020CT-2045CT
2060CT
2080CT-20100CT
2020CT-2045CT
2060CT
2080CT-20100CT
最大直流反接
电流在额定DC
阻断电压
2020CT~2045CT
2060CT~20100CT
2020CT~2045CT
2060CT~20100CT
L
M
D
A
E
最大
复发
反向峰值
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
I
F（ AV ）
I
FSM
最大
RMS
电压
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
56V
70V
F
G
I
J
N
H H
销1
3脚
销2
例
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
20 A
150A
T
A
= 120°C
8.3ms的，半正弦
MM
14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03
15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
V
F
.70V
.80V
.85V
.84V
.95V
.95V
.72V
.85V
.85V
I
FM
= 10A;
T
A
=25°C
I
FM
= 20A;
T
A
=25°C
I
FM
= 20A;
T
A
=125°C
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.090
.110
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
I
R
0.1mA
T
A
= 25°C
0.15mA
50mA
T
A
= 125°C
150mA
*脉冲测试：脉冲宽度300μsec ，占空比2 ％
www.mccsemi.com
QQ：2881677436 复制
