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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第188页 > MBR2030CTL
MBR2030CTL
首选设备
SWITCHMODE 双
肖特基功率整流器
该MBR2030CTL采用肖特基原则在
大面积的金属到硅功率二极管。几何体国家的最先进的
拥有外延建设与氧化物钝化和金属
覆盖接触。非常适合用作非常整流器
低电压，高频开关电源，续流
二极管和极性保护二极管。
特点
http://onsemi.com
无铅包装是可用*
高度稳定的氧化钝化结
非常低正向压降（最大0.4 @ 10 A，T
C
= 150°C)
150 ° C工作结温
匹配双片建设（每腿10 A或每包20 A）
高结温度能力
DV dt能力高/
优秀的承受能力反向雪崩能量瞬变
Guardring应力保护
环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125
肖特基势垒
整流器器
20安培
30伏特
1
2, 4
3
记号
图
4
机械特性
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
1
2
TO220AB
CASE 221A
塑料
AY WW
B2030
3
A
Y
WW
B2030
=大会地点
=年
=工作周
=器件代码
订购信息
设备
MBR2030CTL
MBR2030CTLG
包
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/管
50单位/管
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 第2版
出版订单号：
MBR2030CTL/D
MBR2030CTL
最大额定值
（每站）
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
峰值重复反向浪涌电流（ 2.0
女士，
1.0千赫）
工作结温
储存温度
变化的电压率（额定V
R
)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
T
J
T
英镑
dv / dt的
瓦尔ê
价值
30
单位
V
10
150
1.0
*65
+150
*65
到+175
1000
A
A
A
°C
°C
V / ms的
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
（每站）
热阻，结到外壳
R
QJC
2.0
° C / W
电气特性
（每站）
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 10安培，T
C
= 25°C)
(i
F
= 10安培，T
C
= 150°C)
(i
F
= 20安培，T
C
= 25°C)
(i
F
= 20安培，T
C
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
C
= 25°C)
（额定直流电压，T
C
= 100°C)
（额定直流电压，T
C
= 125°C)
1.脉冲测试：脉冲宽度= 5.0毫秒，占空比
≤
10%.
v
F
0.52
0.40
0.58
0.48
i
R
5.0
40
75
mA
V
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2
MBR2030CTL
100
我，反向电流（毫安）
R
50
我，正向电流（安培）
F
30
150°C
T
J
= 25°C
100°C
20
10
100
40
20
10
4
2
1
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
0
5
T
J
= 150°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
20
10
15
25
V
R
反向电压（伏）
30
35
5
3
2
I
，正向电流（ AMPS ）
F（ AV ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
120
图2.典型的反向电流（每腿）
1
施加额定电压
R
QJC
= 2 ° C / W
0.5
0.3
0.2
dc
方
WAVE
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
v
F,
瞬时电压（伏）
1.2
1.4
130
140
150
160
T
C
外壳温度（ ° C）
图1.典型正向电压（每腿）
，正向平均功耗（瓦）
图3.电流降额，案例
I
，平均正向电流（安培）
F（ AV）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
dc
dc
方波
施加额定电压
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（ N0散热器）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I
F（ AVG）
，平均正向电流（安培）
20
10
5
正弦波
TJ = 100℃
I
PK
+
p
I
AV
方波
dc
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
图4.电流降额，环境
I
F（ AVE ）
图5.前向功率耗散
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3
MBR2030CTL
高频率运行
10K
5000
C，电容（pF ）
3000
2000
1000
500
300
200
100
0.5
TJ = 25°C
F = 1 MHz的
由于电流流过肖特基整流器的结果是
的多数载流子的传导，它是不受
结二极管的正向和反向恢复瞬态
由于少数载流子注入和存储电荷。
满意的电路分析工作可以由被执行
使用模型组成并联一个理想的二极管
带有可变电容。 （参见图6 ）
整流效率测量结果表明，
操作将是令人满意的高达几兆赫。
例如，相对于波形整流效率
是约在70 ％的2.0兆赫，例如，该比例
直流电源RMS功率负载是0.28 ，在此
频率，而完美的整改将产生
0.406的正弦波输入。然而，在对比
普通结二极管，在波形的损失
效率不表明功率损耗;这是一个简单的
反向电流流过二极管的结果
电容，从而降低了直流输出电压。
1
2
3
5
10
20
30
50
V
R
，反向电压（伏）
图6.典型电容
150 V， 10 MADC
2千瓦
V
CC
12伏直流
12 V
100
2N2222
D.U.T.
+
4
mF
2
ms
1千赫
当前
振幅
调整
0-10 AMPS
2N6277
100
碳
1 CARBON
1N5817
图7.测试电路的dv / dt和反向浪涌电流
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4
MBR2030CTL
包装尺寸
TO220AB
CASE 221A -09
ISSUE AA
T
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
0.080
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
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5
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MI-P6Z2-MXW
M38270ED-XXXFP
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