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数据表
高压功率肖特基整流器
概述
高电压双肖特基整流器适用于开关
模式电源及其他电源转换器。
本装置适用于中压用
操作，并且特别地，在高频电路
其中，低开关损耗和低噪声的
所需。
该MBR20150SC是提供标准
TO- 220F -3， TO- 220-3和TO- 220-3 （2）的包。
MBR20150SC
主要产品特性
I
F（ AV ）
V
RRM
T
J
V
F（ MAX）的
2×10A
150V
150°C
0.75V
机械特性
特点
高浪涌能力
150 ° C工作结温
20A合计（ 10A每二极管腿）
保护环应力保护
无铅包可用
案例：环氧树脂，模压
环氧符合UL 94V- 0 @ 0.125英寸
重量（大约）： 1.9Grams
表面处理：所有外部表面腐蚀
性和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大10秒
应用
电源
输出整流
电源管理
仪器仪表
TO-220F-3
TO- 220-3 （可选）
TO- 220-3 （2）
MBR20150SC图1.包装类型
2011年3月
修订版1.3
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
引脚配置
牛逼套餐
（ TO- 220-3 ） （可选）
（TO- 220-3 （ 2））的
MBR20150SC
3
2
1
A2
K
A1
TF包
(TO-220F-3)
图2. MBR20150SC的引脚配置（顶视图）
图3. MBR20150SC的内部结构
2011年3月
修订版1.3
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
订购信息
MBR20150SC
电路类型
包
T： TO- 220-3 （ 2 ）
TO- 220-3 （可选）
TF ： TO- 220F - 3
MBR20150SC
-
E1 ：无铅
G1 ：绿
空白：管
包
TO- 220-3 （2）
TO-220F-3
产品型号
无铅
MBR20150SCT-
E1
MBR20150SCTF
-E1
标记ID
无铅
MBR20150SCT-
E1
MBR20150SCTF
-E1
绿色
MBR20150SCT-
G1
MBR20150SCTF
-G1
绿色
MBR20150SCT-
G1
MBR20150SCTF
-G1
Packin
G型
管
管
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
在绿色封装与“G1 ”后缀的产品。
绝对最大额定值（每二极管腿） （注1 ）
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
) T
C
=134°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20kHz的）T
C
=133°C
非重复峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单
第一阶段，60赫兹）
工作结温范围（注2 ）
存储温度范围
变化的电压率（额定V
R
)
ESD （机器型号= C ）
ESD（人体模型= 3B）
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
T
J
T
英镑
dv / dt的
价值
150
10
20
150
150
-55到150
10000
>400
>8000
单位
V
A
A
A
°C
°C
V / μs的
V
V
注1 ：应力大于“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的损坏
该设备。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或任何其他条件
超越那些在表示“推荐工作条件”是不是暗示。置身于“绝对
最大额定值“，长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：产生必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
＆ LT ;
1/θ
JA
.
2011年3月
修订版1.3
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
推荐工作条件
参数
符号
θ
JC
最大热阻
θ
JA
连接点
环境
to
MBR20150SC
条件
结到外壳
价值
TO-220-3/
TO- 220-3 （2）
TO-220F-3
TO-220-3/
TO- 220-3 （2）
TO-220F-3
2.0
3.0
60
60
单位
° C / W
电气特性
参数
最大正向
电压降（注3 ）
符号
V
F
条件
I
F
= 10A ，T
C
=25°C
I
F
= 10A ，T
C
=125°C
评级
DC
T
C
=125°C
评级
DC
T
C
=25°C
电压，
电压，
价值
0.9
0.75
20
单位
V
最大瞬时反转
电流（注3）
I
R
mA
0.05
注3 ：脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比Cycle≤2.0 ％ 。
2011年3月
修订版1.3
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
典型性能特性
MBR20150SC
100
I
F
，正向电流（A ）
10
1
0.1
25 C
0
125 C
0
150 C
0.01
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
V
F
，正向电压（ V）
图4.典型正向电压每二极管
10000
1000
I
R
，反向电流（
A)
100
10
1
0.1
25 C
0
125 C
0
150 C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.01
V
R
，反向电压（V）的
图5.典型的反向电流每二极管
2011年3月
修订版1.3
5
BCD半导体制造有限公司
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推荐型号
M38224MCFS
M38224MC-FS
MI-P521-IYV
MC10E101FNR2G
M38001M5-XXXFP
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MAX6314US47D2-T
MC100E116FNG
MSM6650
M38031MC-XXXKP
MI-QC24R-IVX
M38C88M5-XXXFP
M38C85M9-XXXFP
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    MBR20150SCTF-E1
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    MBR20150SCTF-E1
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MBR20150SCTF-E1
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BCD
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MBR20150SCTF-E1
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电话：0755-83268779
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MBR20150SCTF-E1
DIODES/美台
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深圳市鸿金腾科技有限公司
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DIODES/美台
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