【TRANSYS电子L I M I T E MBR20020(R)THRUMBR200100(R)肖特】,IC型号MBR20045R,MBR20045R PDF资料,MBR20045R经销商,ic,电子元器件-51电子网

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电子

L I M I T E

MBR20020(R)

THRU

MBR200100(R)

肖特基二极管模块式200A

特点

高浪涌能力

种类多达100V V

RRM

200Amp整流器

20-100伏

HALF包装

最大额定值

工作温度： -40°C至+175

存储温度： -40°C至+175

产品型号

最大

复发

反向峰值

电压

20V

30V

35V

40V

45V

60V

80V

100V

最大直流

闭塞

电压

20V

30V

35V

40V

45V

60V

80V

100V

最大

RMS电压

14V

21V

25V

28V

32V

42V

56V

70V

MBR20020 （R）的

MBR20030 （R）的

MBR20035 （R）的

MBR20040 （R）的

MBR20045 （R）的

MBR20060 （R）的

MBR20080 （R）的

MBR200100 （R）的

电气特性@ 25

平均正向

当前

峰值正向浪涌

当前

最大

注（1）

瞬时

正向电压

最大

瞬时

反向电流

额定DC阻断

注（1）

电压

F（ AV ）

FSM

除非另有说明

200A

3000A

0.65V

0.75V

0.84V

底板

共阴极

底板

R =共阳极

=136

尺寸

英寸

民

最大

1.515

1.560

.725

.775

.595

.625

1.192

.1.182

.745

.755

.152

.160

- 20

1/4

.540

.580

.156

.160

.505

.495

.130

.120

民

38.48

18.42

15.11

30.02

18.92

3.86

UNC

13.72

3.96

12.57

3.05

最大

39.62

19.69

15.88

30.28

19.18

4.061

- 2B

14.73

4.06

12.83

3.30

记

8.3ms的，半正弦

(MBR20020~MBR20045)

(MBR20060)

(MBR20080~MBR200100)

= 200 A;牛逼

= 25

5.0

250

= 25

=125

最大热

电阻结

到案

0.8

暗淡

注意：

(1)

脉冲测试：脉冲宽度300微秒，占空比

＆ LT ;

MBR20020 （R） - 直通MBR200100 （R）的

图0.1 - 典型正向特性

图.2-远期降额曲线

平均正向整流电流 - 安培

1000

600

T =25

200

我nStantaneous正向电流

- 安培

放s

400

200

MBR20020~

100

MBR20040

6.0

4.0

2.0

1.0

MBR20080~

MBR200100

MBR20060

160

放s

120

单相半波

60Hz的阻性或感性负载

120

150

180

例

特mperature -

0.2

0.4

0.6

伏

0.8

1.0

1.2

2000

1000

600

400

200

图0.4 - 典型的反向特性

TJ = 150℃

正向电压 - 伏特

瞬时反向

泄漏

电流 - 穆勒

mperes

3500

图.3-峰值正向浪涌电流

8.3ms单半

正弦波

JEDEC的方法T = 25

100

TJ = 125℃

峰值正向浪涌电流-Amperes

安培

3000

2500

2000

1500

1000

500

安培

.06

.04

.02

T =75

8 10 20

周期

60 80 100

T =25

周期在60Hz数 - 周期

.01

100

伏

反向电压 - 伏特

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