CPT20130 - CPT20145
A
R
G
底板
A =共阳极
B
Q
N
W
底板
共阴极
U
C
H
V
E
底板
D =倍增
注意事项：
底板：镀镍
铜
肖特基PowerMod
暗淡。英寸
分钟。
A
B
C
E
F
G
H
N
Q
R
U
V
W
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
笔记
马克斯。
F
U
3.630
---
0.800
0.700
0.630
---
0.130
0.120
0.510
0.490
1.375 BSC
---
0.010
---
---
0.290
0.275
3.150 BSC
---
0.600
0.340
0.312
0.195
0.180
---
92.20
20.32
17.78
---
16.00
3.30
3.05
12.95
12.45
34.92 BSC
0.25
---
---
---
7.37
6.99
80.01 BSC
15.24
---
8.64
7.92
4.95
4.57
1/4-28
DIA 。
DIA 。
Microsemi的
工业
重复峰值
工作峰值
目录编号型号反向电压反向电压
CPT20130*
CPT20135*
30V
30V
MBR20030CT
35V
35V
200CNQ035
224CNQ035
MBR20035CT
CPT20140*
40V
40V
200CNQ040
224CNQ040
MBR20040CT
200CNQ045
CPT20145*
45V
45V
224CNQ045
MBR20045CT
*添加一个后缀为共阳极，D为倍增
肖特基势垒整流器
保护环保护
200安培/ 30 45伏特
150 ° C的结温
反向能量测试
符合RoHS
电气特性
I F （ AV）
每包平均正向电流
I F （ AV）
每站平均正向电流
我FSM
每站最大浪涌电流
最高重复反向电流每腿IR （ OV ）
VFM
每站最大峰值正向电压
VFM
每站最大峰值正向电压
我RM
最大峰值反向每个支路电流
我RM
最大峰值反向每个支路电流
CJ
典型结电容
200安培
百安培
2000安培
2安培
0.68伏特
0.64伏特
1100mA
4.0mA
5500pF
TC = 99 ° C，方波，R 0JC = 0.20 ° C / W
TC = 99 ° C，方波，R 0JC = 0.40 ° C / W
8.3ms的半正弦波， T J = 125°C
F = 1 kHz时， 25℃
我FM = 200A ： T J = 25 ° C *
我FM = 200A ： T J = 125 ° C *
VRRM ， T J = 125 ° C *
VRRM ， T J = 25°C
VR = 5.0V ， T C = 25°C
*脉冲测试：脉冲宽度300μsec ，占空比2 ％
热和机械特性
储存温度范围
工作结点温度范围
每站最大热阻
典型热阻（脂）
终端扭矩
安装底座扭矩（外洞）
安装底座扭矩（中心孔）
中心孔必须先扭转
重量
T英镑
TJ
OJC
OCS
-55 ° C至150℃
-55 ° C至150℃
0.40 ° C / W结到管壳
0.08 ° C / W案例下沉
35-50英寸磅
30-40英寸磅
8-10英寸磅
2.8盎司（ 75克）典型
www.Microsemi.com
2010年1月 - 第4版
MCC
特点
MBR20020CT
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
THRU
MBR200100CT
200
AMP
肖特基势垒
整流器器
20
100伏
FULL PACK
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
最大额定值
工作温度： -55 ° C到+ 175℃
存储温度： -55°C至+ 175℃
最大
复发
反向峰值
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
最大直流
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
MCC
产品型号
MBR20020CT
MBR20030CT
MBR20035CT
MBR20040CT
MBR20045CT
MBR20060CT
MBR20080CT
MBR200100CT
最大
RMS电压
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
56V
70V
A
B
K
C
M
J
F
D
H
E
L
G
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
20020-20045CT
20060CT
20080-200100CT
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
I
F（ AV ）
I
FSM
200
A
1500A
T
C
=
136°C
8.3ms的，半正弦
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
尺寸
INCH ES
民
最大
3.150
喃
1.565
1.585
.700
.800
2.400
2.500
.119
.132
1.375 REF
3.550
3.650
.580
.620
1/4 -20 UNF
.380
.410
.185
.195
.275
.295
MM
民
最大
80.01
喃
39.75
40.26
17.78
20.32
60.96
63.50
3.02
3.35
34.92 REF
90.17
92.71
14.73
15.75
满
9.65
10.41
4.70
4.95
6.99
7.49
记
V
F
.68 V
.75 V
.84 V
5
mA
75
mA
I
FM
=
100
A;
T
J
= 25°C
I
R
T
J
= 25°C
T
J
=
125°C
C
J
4600pF
在测
1.0MHz的，V
R
=5.0V
*脉冲测试：脉冲宽度300μsec ，占空比
2%
www.mccsemi.com
MBR20020CT
THRU
MBR200100CT
图1
典型的正向特性
2000
1000
600
400
200
25°C
AMPS 100
60
40
20
10
6
4
2
1
0.2
0.4
0.6
伏
瞬时正向电流 - 安培
与
正向电压 - 伏特
0.8
1.0
1.2
0
20
安培
40
MBR20080CT-200100CT
160
MBR20020CT - 20045CT MBR20060CT
200
MCC
图2
远期降额曲线
120
80
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
50
70
90
°C
110
130
150
平均正向整流电流 - 安培
与
例
温度 -
°C
科幻gure 3
结电容
10000
6000
4000
2000
pF
T
J
=25°C
1000
600
400
200
100
.1
.2
.4
1
伏
2
4
10
20
40
100
200
400
1000
结电容 - pF的
与
反向电压 - 伏特
www.mccsemi.com
MBR20020CT （R） - 直通MBR200100CT （R）的
图.1-典型正向特性
120
平均正向整流电流 - 安培
图.2-远期降额曲线
1000
600
T =25
J
100
每腿
我nStantaneous正向电流
- 安培
每腿
放s
400
200
MBR20020CT~
MBR20040CT
MBR20060CT
MBR20080CT~
MBR200100CT
80
100
60
40
20
10
6.0
4.0
2.0
1.0
放s
60
40
20
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
30
60
90
120
150
180
0
例
特mperature -
0
0.2
0.4
0.6
伏
0.8
1.0
1.2
2000
1000
600
400
图.4-典型的反向特性
TJ = 150℃
正向电压 - 伏特
瞬时反向
泄漏
电流 - 穆勒
A
mperes
200
100
60
40
20
1500
图.3-峰值正向浪涌电流
8.3ms单半
正弦波
JEDEC的方法T = 25
J
TJ = 125℃
峰值正向浪涌电流-Amperes
安培
每腿
1000
750
500
250
0
1
2
4
6
8 10 20
周期
周期在60Hz数 - 周期
40
m
安培
1250
10
6
4
2
1
.6
.4
.2
T =75
J
60 80 100
.1
.06
.04
.02
.01
0
10
20
30
40
伏
反向电压 - 伏特
50
60
T =25
J
70
80
90
100
QQ：2880707522 复制
