MCC
特点
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21201 Itasca的街查茨沃斯
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MBR20020
THRU
MBR200100
200
AMP
肖特基势垒
整流器器
20
100伏
半包
D
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
最大额定值
工作温度： -65 ° C至+ 150°C
存储温度： -65 ° C至+ 150°C
最大
复发
反向峰值
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
最大直流
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
G
MCC
产品型号
MBR20020
MBR20030
MBR20035
MBR20040
MBR20045
MBR20060
MBR20080
MBR200100
最大
RMS电压
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
56V
70V
J
B
K
E
F
H
C
A
L
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
MBR20020-20045
MBR20060
MBR20080-200100
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
I
F（ AV ）
I
FSM
200
A
3000A
T
L
=
140°C
8.3ms的，半正弦
I
FM
=
200.0A;
T
A
= 25°C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
尺寸
寸
ES
民
1.520
.725
.605
1.182
.745
.152
1/4 - 20
.570
.15
.495
.120
MM
民
最大
38.86
39.62
18.42
19.69
15.37
15.88
30.02
30.28
18.92
18.18
3.86
4.06
UNC - 2B
14.49
14.73
3.96
4.06
12.57
12.83
3.05
3.30
V
F
.63 V
.75 V
.84 V
I
R
5
mA
T
A
= 25°C
最大
1.560
.775
.625
1.192
.755
.160
.580
.160
.505
.130
记
C
J
300pF
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
*脉冲测试：脉冲宽度300μsec ，占空比1 ％
www.mccsemi.com
MBR20020 （R） - 直通MBR200100 （R）的
图0.1 - 典型正向特性
图.2-远期降额曲线
平均正向整流电流 - 安培
1000
600
T =25
J
200
我nStantaneous正向电流
- 安培
放s
400
200
MBR20020~
100
MBR20040
60
40
20
10
6.0
4.0
2.0
1.0
MBR20080~
MBR200100
MBR20060
160
放s
120
80
40
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
30
60
90
120
150
180
0
例
特mperature -
0
0.2
0.4
0.6
伏
0.8
1.0
1.2
2000
1000
600
400
200
图0.4 - 典型的反向特性
TJ = 150℃
正向电压 - 伏特
瞬时反向
泄漏
电流 - 穆勒
A
mperes
3500
图.3-峰值正向浪涌电流
8.3ms单半
正弦波
JEDEC的方法T = 25
J
100
60
40
20
TJ = 125℃
峰值正向浪涌电流-Amperes
安培
3000
2500
2000
1500
1000
500
1
m
安培
10
6
4
2
1
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
T =75
J
2
4
6
8 10 20
周期
40
60 80 100
T =25
J
周期在60Hz数 - 周期
.01
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
伏
反向电压 - 伏特
HS18380-HS183100
G
J
B
标准。极性
基地是阴极
牧师极性
基地是阳极
F
C
D
暗淡。英寸
毫米
最小值最大值最小值最大值的注意事项
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
1.52
.725
.605
1.182
.745
.152
.525
.156
.495
.120
38.61
1.56
18.42
.775
15.37
.625
30.02
1.192
18.92
.755
3.86
.160
1 / 4-20 UNC -2B
13.34
.580
3.96
.160
12.57
.505
3.05
.130
39.62
19.69
15.88
30.28
19.18
4.06
14.73
4.06
12.83
3.30
180安培肖特基整流器
K
H
E
平方米。
DIA 。
DIA 。
A
L
Microsemi的
目录编号
HS18380*
HS18390*
HS183100*
Idustry
产品型号
183NQ080
MBR20080
183NQ100
MBR200100
工作峰值
重复峰值
反向电压反向电压
80V
90V
100V
80V
90V
100V
肖特基势垒整流器
保护环保护
180安培/ 80 100伏特
175 ° C的结温
反向能量测试
符合RoHS
*添加后缀R表示反接
电气特性
平均正向电流
最大浪涌电流
最高重复反向电流
最大峰值正向电压
最大峰值反向电流
最大峰值反向电流
典型结电容
I F （ AV）
我FSM
I R （ OV ）
VFM
我RM
我RM
CJ
180安培
2500安培
2安培
0.91伏特
100mA
5mA
4800pF
TC = 116 ° C，方波， R0JC = 0.32 ° C / W
8.3ms的半正弦波， T J = 175℃
F = 1 kHz时， 1μs的方波， TJ = 25°C
我FM = 180A ： T J = 25 ° C *
VRRM ， T J = 125 ° C *
VRRM ， T J = 25°C
VR = 5.0V ，T J = 25 ° C，F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度300μsec ，占空比2 ％
热和机械特性
储存温度范围
工作结点温度范围
最大热阻
典型热阻（脂）
终端扭矩
安装底座扭矩
重量
T英镑
TJ
OJC
OCS
-55°C至175℃
-55°C至175℃
0.32 ° C / W结到管壳
0.12 ° C / W案例下沉
35-40英寸磅
20-25英寸磅
1.1盎司（ 32克）典型
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2011年1月 - 修订版5
QQ：2880707522 复制
