MBR1630CT通MBR16150CT
肖特基势垒整流器器
反向电压
- 30
to
150Volts
正向电流
- 16.0
安培
TO-220AB
.108
(2.75)
.413(10.5)
.374(9.5)
.153(3.9)
.146(3.7)
.187(4.7)
.148(3.8)
.055(1.4)
.047(1.2)
特点
●
硅整流器的金属，多数载流子传导
●
保护环的瞬态保护
●
低功耗，高效率
●
高电流能力，低VF
●
高浪涌能力
●
塑料包装已UL可燃性
.270(6.9)
.230(5.8)
.610(15.5)
.583(14.8)
分类科幻阳离子94V- 0
●
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
机械数据
●
案例： TO- 220AB模压塑料
●
极性：标明阀体上
.051
(1.3)
.043(1.1)
.032(0.8)
.102(2.6)
.091(2.3)
.157 .583(14.8)
(4.0) .531(13.5)
·重量：
0.08盎司， 2.24克
●
安装位置：任意
.024(0.6)
.012(0.3)
.126
(3.2)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
评分在25℃环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流（参见图1 ）
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
超级强加在额定负荷（ JEDEC的方法）
山顶前进
电压（注1）
IF = 8A @T
J
=25℃
IF = 8A @T
J
=125℃
IF = 16A @T
J
=25℃
IF = 16A @T
J
=125℃
反向电流最大DC
额定直流藕合电压
@T
J
=25℃
@T
J
=125℃
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
MBR
1630CT
30
21
30
MBR
1640CT
40
28
40
MBR
1650CT
50
35
50
MBR
1660CT
60
42
60
16.0
MBR
MBR
MBR
1680CT 16100CT 16150CT
80
56
80
100
70
100
150
105
150
单位
V
V
V
A
I
FSM
0.84
V
F
0.57
0.72
-
I
R
C
J
R
θJC
T
J
T
英镑
0.3
10
400
0.75
0.65
-
-
150
0.85
0.75
0.95
0.85
0.1
5.0
200
3.0
-55到+150
-55到+175
1.05
0.92
-
-
A
V
mA
pF
℃/W
℃
℃
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
注意： 1.300us脉冲宽度， 2 ％的占空比。
2.Measured 1.0 MH
Z
和应用4.0V DC反向电压。
3.Thermal电阻结点到外壳。
~ 260 ~
上海Lunsure电子
科技有限公司
联系电话： 0086-21-37185008
传真： 0086-21-57152769
特点
MBR1620CT
THRU
MBR1660CT
16 AMP
肖特基势垒
整流器器
20至60伏
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
最大
RMS
电压
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
TO-220AB
B
C
K
针
1
2
3
目录
数
MBR1620CT
MBR1630CT
MBR1635CT
MBR1640CT
MBR1645CT
MBR1660CT
L
M
D
A
E
MBR1620CT
MBR1630CT
MBR1635CT
MBR1640CT
MBR1645CT
MBR1660CT
F
G
I
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
1620CT-1645CT
1660CT
1620CT-1645CT
1660CT
H H
销1
3脚
销2
例
MM
14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03
15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
I
F（ AV ）
16A
T
C
= 100°C
8.3ms的，半正弦
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
I
FSM
125A
V
F
.70V
.80V
.57V
.70V
I
FM
= 8A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.090
.110
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
IR
0.1毫安牛逼
J
= 25°C
50毫安牛逼
J
= 100°C
1620CT-1645CT
1660CT
C
J
300pF
400pF
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比2 ％
www
cnelectr
.COM
.
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
特点
MBR1620CT
THRU
MBR1660CT
16 AMP
肖特基势垒
整流器器
20至60伏
TO-220AB
整流硅金属，多数载流子导电
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
MCC
设备
最大
最大
目录
记号
复发
RMS
数
PEAK
电压
反向
电压
MBR1620CT MBR1620CT
20V
14V
MBR1630CT MBR1630CT
30V
21V
MBR1635CT MBR1635CT
35V
24.5V
MBR1640CT MBR1640CT
40V
28V
MBR1645CT MBR1645CT
45V
31.5V
MBR1660CT MBR1660CT
60V
42V
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
1620CT-1645CT
1660CT
1620CT-1645CT
1660CT
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
B
F
Q
T
A
U
1 2
H
K
3
C
S
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
I
F（ AV ）
16A
T
C
= 100°C
L
G
N
销1
3脚
销2
例
V
D
J
R
I
FSM
125A
8.3ms的，半正弦
V
F
.70V
.80V
.57V
.70V
I
FM
= 8A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
I
R
0.1mA
50mA
T
J
= 25°C
T
J
=
100°C
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
1620CT-1645CT
1660CT
C
J
300pF
400pF
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
注意事项： 1。高低温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
修改：
8
www.mccsemi.com
1第3
2008/01/01
MCC
TM
微型商业组件
订购信息
设备
（品名） -BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学，
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修改：
8
3 3
2008/01/01
思雨
R
MBR1640CT MBR16200CT ......
肖特基势垒整流器
反向电压40至200 V
正向电流16A
特征
特点
·大电流承受½力。High
电流能力
·正向压降½。Low
正向电压降
·½功耗高效率。Low
功耗，高效率
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
铅和符合RoHS规范体
肖特基二极管
反向电压
40---200V
正向电流
16 A
TO-220AB
机械数据
机械数据
·封装:
塑料封装
案例：模压塑料
·极性:
标记模压或印于本½
极性：符号模压或标记体
·安装½½:
任意
单位：英寸（毫米）
1
2
3
安装位置：任意
·安装扭距:
推荐值
0.3牛*米
安装扭矩：
推荐0.3牛顿米
极限值和温度特性
TA = 25°
除非另有规定。
最大额定值&热特性
符号
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
符号
1640CT 1645CT 1650CT 1660CT 16100CT 16150CT 16200CT
单½
单位
V
V
V
A
A
最大可重复峰值反向电压
最大重复峰值反向电压
V
RRM
40
28
40
45
31
45
50
35
50
60
42
60
16
150
100
70
100
150
105
150
200
140
200
最大均方根电压
最大RMS电压
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
R
θJC
TJ ， TSTG
最大直流阻断电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
典型热阻
典型热阻
1.5
-55 --- +150
3.5
℃
/W
℃
工½结温和存储温度
工作结存储温度范围
电特性
TA = 25°
除非另有规定。
电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
符号
1640CT 1645CT 1650CT 1660CT 16100CT 16150CT 16200CT
符号
V
F
I
R
单½
单位
V
mA
pF
最大正向电压
最大正向电压
I
F
=8A
T
J
= 25℃
T
J
= 100℃
0.63
0.10
15
400
0.75
0.85
0.15
150
310
0.95
0.99
最大反向电流
最大反向电流
典型结电容
V
R
=
4.0V ， F = 1MHz的
典型结电容
Cj
大昌电子
大昌电子
思雨
R
MBR1640CT MBR16200CT ......
特性曲线
特性曲线
正向特性曲线（典型值）
典型正向特性
正向电流降额曲线
正向电流降额曲线
100
平均正向电流
I
F（ AV ）
(A)
正向平均整流电流（ A）
I
F（ A）
I
F
正向电流（A ）
28
24
20
16
12
8
4
0
0
25
50
75 100 125 150 175
管½温度 Tc(°C)
外壳温度（ ° C）
10
正向电流
I
F
(A)
2
TJ = 25 C
1
0.1
0.4
0.6
0.8
MBR1640CT MBR1645CT
MBR1650CT MBR1660CT
MBR16100CT
MBR16150CT MBR16200CT
1.0
1.2
1.4
正向电压 V
F
(V)
V
F
正向电压（ V）
浪涌特性曲线（最大值）
最大不重复
峰值正向浪涌电流
150
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
120
峰值正向浪涌电流 I
FSM
(A)
90
60
30
0
1
2
4 6 10
20
40
100
通过电流的周期
在60赫兹的周期数。
大昌电子
大昌电子
MBR1660CT
PRV ： 60伏特
IO： 16安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
低正向压降
高浪涌能力
无铅/符合RoHS免费
肖特基势垒
整流器器二极管
TO-220AB
φ
3.8
±
0.2
4.6 MAX 。
10.5最大。
1.3最大。
2.7 MAX 。
6.86最大。
15.88最大值。
1
2 3
4最大
0.64最大。
1.0最大。
2.5最大。
2.92最大。
14分钟。
机械数据：
*
*
*
*
案例： TO- 220AB模压塑料
极性：标明阀体上
安装位置：任意
重量： 2.24克
销1
PIN 2 ，案例
3脚
单位：毫米
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
最大额定值和电气特性
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流锝= 115
°C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压
最大反向电流
额定阻断电压DC
典型热阻（注1 ）
典型结电容（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
注意事项：
在我
F
= 8 A
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
R
θ
JA
Cj
Tj
T
英镑
价值
60
42
60
16
150
0.75
1.0
50
3.0
460
- 55至+ 150
- 55 + 175
单位
V
V
V
A
A
V
mA
mA
° C / W
pF
°C
°C
（ 1 ）热阻结到环境的垂直印刷电路板安装， 0.375"设计（9.5mm ）引线长度。
（ 2 ）测量在1MHz和应用4.0反向电压Vdc 。
第1页2
启示录02 ： 2005年3月31日
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MBR1620CT
THRU
MBR1660CT
16 AMP
肖特基势垒
整流器器
20至60伏
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
Microsemi的
目录
数
MBR1620CT
MBR1630CT
MBR1635CT
MBR1640CT
MBR1645CT
MBR1660CT
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
TO-220AB
B
C
K
针
1
2
3
L
M
D
A
E
MBR1620CT
MBR1630CT
MBR1635CT
MBR1640CT
MBR1645CT
MBR1660CT
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
F
G
I
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
1620CT-1645CT
1660CT
1620CT-1645CT
1660CT
H H
销1
3脚
销2
例
I
F（ AV ）
16A
T
C
= 100°C
I
FSM
125A
8.3ms的，半正弦
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
MM
14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03
15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.090
.110
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
V
F
.70V
.80V
.57V
.70V
I
FM
= 8A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
1620CT-1645CT
1660CT
IR
0.1毫安牛逼
J
= 25°C
50毫安牛逼
J
= 100°C
C
J
300pF
400pF
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比2 ％
www
mccsemi.com
.
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21201 Itasca的街查茨沃斯
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特点
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
MBR1620CT
THRU
MBR1660CT
16 AMP
肖特基势垒
整流器器
20至60伏
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
Microsemi的
目录
数
MBR1620CT
MBR1630CT
MBR1635CT
MBR1640CT
MBR1645CT
MBR1660CT
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
TO-220AB
B
C
K
针
1
2
3
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M
D
A
E
MBR1620CT
MBR1630CT
MBR1635CT
MBR1640CT
MBR1645CT
MBR1660CT
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
F
G
I
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
1620CT-1645CT
1660CT
1620CT-1645CT
1660CT
H H
销1
3脚
销2
例
I
F（ AV ）
16A
T
C
= 100°C
I
FSM
125A
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A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
MM
14.22
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2.54
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9.65
------
12.70
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3.43
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10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
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.270
.380
.420
------
.250
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.110
.020
.045
.012
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.139
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.140
.190
.045
.055
.080
.115
V
F
.70V
.80V
.57V
.70V
I
FM
= 8A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
1620CT-1645CT
1660CT
IR
0.1毫安牛逼
J
= 25°C
50毫安牛逼
J
= 100°C
C
J
300pF
400pF
在测
1.0MHz的，V
R
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21201 Itasca的街查茨沃斯
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特点
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保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
MBR1620CT
THRU
MBR1660CT
16 AMP
肖特基势垒
整流器器
20至60伏
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
Microsemi的
目录
数
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设备
记号
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复发
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35V
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最大
RMS
电压
最大
DC
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电压
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30V
35V
40V
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TO-220AB
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C
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M
D
A
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MBR1635CT
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MBR1645CT
MBR1660CT
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21V
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42V
F
G
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J
N
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当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
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元素
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1660CT
1620CT-1645CT
1660CT
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例
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2.92
英寸
.560
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.100
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.420
------
.250
.500
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.090
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.020
.045
.012
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.140
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F
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.80V
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.70V
I
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最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
1620CT-1645CT
1660CT
IR
0.1毫安牛逼
J
= 25°C
50毫安牛逼
J
= 100°C
C
J
300pF
400pF
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
www.kersemi.com
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21201 Itasca的街查茨沃斯
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$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
特点
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
MBR1620CT
THRU
MBR1660CT
16 AMP
肖特基势垒
整流器器
20至60伏
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
Microsemi的
目录
数
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MBR1630CT
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MBR1640CT
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MBR1660CT
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
20V
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RMS
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20V
30V
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TO-220AB
B
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1
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1660CT
1620CT-1645CT
1660CT
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例
I
F（ AV ）
16A
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125A
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英寸
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.80V
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1.0MHz的，V
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www.kersemi.com
特点
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
MBR1620CT
THRU
MBR1660CT
16 AMP
肖特基势垒
整流器器
20至60伏
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
Microsemi的
目录
数
MBR1620CT
MBR1630CT
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MBR1640CT
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MBR1660CT
设备
记号
最大
复发
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20V
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RMS
电压
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1
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14V
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31.5V
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元素
1620CT-1645CT
1660CT
1620CT-1645CT
1660CT
H H
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例
I
F（ AV ）
16A
T
C
= 100°C
I
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125A
8.3ms的，半正弦
A
B
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英寸
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在测
1.0MHz的，V
R
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