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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2357页 > MBR1640
上海Lunsure电子
科技有限公司
联系电话: 0086-21-37185008
传真: 0086-21-57152769
特点
siliconrectifier金属, majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力,高电流能力
MBR1620
THRU
MBR1660
16 AMP
肖特基势垒
整流器器
20至60伏
最大额定值
工作温度: -55 ° C至+ 150°C
存储温度: -55°C至+ 175℃
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
TO-220AC
B
C
K
L
M
D
A
1
2
目录
MBR1620
MBR1630
MBR1635
MBR1640
MBR1645
MBR1660
MBR1620
MBR1630
MBR1635
MBR1640
MBR1645
MBR1660
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
E
F
G
I
H
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MBR1620-1645
MBR1660
MBR1620-1645
MBR1660
销1
销2
I
F( AV )
16A
T
C
= 125°C
I
FSM
150A
8.3ms的,半正弦


A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N

MM

14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
4.83
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03


15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
5.33
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92

英寸



.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.190
.210
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
V
F
.63V
.75V
.57V
.65V
I
FM
= 16A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
MBR1620-1645
MBR1660
MBR1620-1645
MBR1660
IR
0.2mA
1mA
40mA
50mA
450pF
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
在测
1.0MHz的,V
R
=4.0V
典型结
电容
C
J
*脉冲测试:脉冲宽度300
微秒,
占空比2 %
www.cnelectr.com
MBR1620通MBR1660
图1
典型的正向特性
100
60
40
20
MBR1620-1645
10
6
4
2
25°C
1安培
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.8
瞬时正向电流 - 安培
正向电压 - 伏特
科幻gure 3
远期降额曲线
16
150
14
125
12
100
75
安培
8
25
5
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
0
25
50
75
°C
平均正向整流电流 - 安培
环境温度 -
°C
100
125
150
0
1
4
6
8 10
周期
峰值正向浪涌电流 - 安培
周期在60Hz数 - 周期
20
40
60 80 100
50
图4
峰值正向浪涌电流
瞬时反向漏电流 - 微安
%的额定峰值反向电压 - 伏特
MBR1660
10
6
4
2
1
.6
.4
T
J
=25°C
.2
μAMPS
.1
.06
.04
.02
.01
.006
.00
4
.002
.001
20
50
75
100
125 150
175
图2
典型的反向特性
10
安培
2
www.cnelectr.com
MCC
微型商业组件
TM
微型商业组件
20736玛丽拉街查茨沃斯
CA 91311
电话: ( 818 701-4933 )
传真: ( 818 701-4939 )
特点
整流硅金属,多数载流子导电
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力,高电流能力
无铅涂层/符合RoHS (注1 ) ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
MBR1620
THRU
MBR1660
16 AMP
肖特基势垒
整流器器
20至60伏
TO-220AC
最大额定值
工作温度: -55 ° C至+ 150°C
存储温度: -55°C至+ 175℃
MCC
设备
最大
最大
目录
记号
复发
RMS
PEAK
电压
反向
电压
MBR1620 MBR1620
20V
14V
MBR1630 MBR1630
30V
21V
MBR1635 MBR1635
35V
24.5V
MBR1640 MBR1640
40V
28V
MBR1645 MBR1645
45V
31.5V
MBR1660 MBR1660
60V
42V
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MBR1620-1645
MBR1660
MBR1620-1645
MBR1660
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
B
C
K
1
2
L
M
D
A
F
G
I
H
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
I
F( AV )
16A
T
C
= 125°C
销1
I
FSM
150A
8.3ms的,半正弦
销2
V
F
.63V
.75V
.57V
.65V
I
FM
= 16A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C


A
B
C
D
F
G
H
I
J
K
L
M
N

MM

14.22
9.65
2.54
5.84
------
12.70
4.83
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03


15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
5.33
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92

最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
MBR1620-1645
MBR1660
MBR1620-1645
MBR1660
IR
0.2mA
1mA
40mA
50mA
450pF
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
在测
1.0MHz的,V
R
=4.0V
英寸



.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
------
.250
.500
.580
.190
.210
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
典型结
电容
C
J
注意事项: 1。高低温焊料豁免应用,见欧盟指令附件7 。
修改:
6
www.mccsemi.com
1第3
2008/01/01
MBR1620通MBR1660
图1
典型的正向特性
100
60
40
20
MBR1620-1645
10
6
4
2
25°C
1安培
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.8
MBR1660
10
6
4
2
1
.6
.4
T
J
=25°C
.2
μAMPS
.1
.06
.04
.02
.01
.006
.00
4
.002
.001
20
50
75
MCC
TM
图2
微型商业组件
典型的反向特性
100
125 150
175
瞬时正向电流 - Amperesversus
正向电压 - 伏特
科幻gure 3
远期降额曲线
16
瞬时反向漏电流 - 微安
%的额定峰值反向电压 - 伏特
图4
峰值正向浪涌电流
150
14
125
12
100
75
安培
8
25
5
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
25
50
75
°C
平均正向整流电流 - 安培
环境温度 -
°C
100
125
150
0
1
4
6
8 10
周期
峰值正向浪涌电流 - 安培
周期在60Hz数 - 周期
20
40
60 80 100
50
10
安培
2
0
0
www.mccsemi.com
修改:
6
2 3
2008/01/01
MCC
设备
TM
微型商业组件
订购信息
填料
Bulk;1Kpcs/Box
(品名) -BP
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改,恕不另行通知任何权
此产品进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利,也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上,反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学,
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修改:
6
3 3
2008/01/01
MBR1630通MBR1645
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AC
A
C( TAB )
A
C
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.580
0.560 0.650
0.380 0.420
0.139 0.161
2.300 0.420
0.100 0.135
0.045 0.070
-
0.250
0.025 0.035
0.190 0.210
0.140 0.190
0.015 0.022
0.080 0.115
0.025 0.055
横行
分钟。
马克斯。
12.70 14.73
14.23 16.51
9.66 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.42
1.15
1.77
-
6.35
0.64
0.89
4.83
5.33
3.56
4.82
0.38
0.56
2.04
2.49
0.64
1.39
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR1630
MBR1635
MBR1640
MBR1645
符号
I
(AV)
I
FSM
dv / dt的
V
F
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
16
150
10000
I
F
= 16A @T
J
=25
o
C
I
F
= 16A @T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.63
0.57
0.2
40
1.5
450
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
V
mA
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
变化的电压率(额定V
R
)
最大正向
电压(注1 )
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻(注2 )
典型结电容(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
C / W
pF
o
o
C
C
注:1. 300US脉冲宽度, 2 %的占空比。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AC模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意
MBR1630通MBR1645
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
20
峰值正向浪涌电流,
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
图2 - 最大非重复浪涌电流
150
16
100
12
8
电阻或
感性负载
50
4
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
0
1
2
5
10
20
50
100
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
1000
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流( A)
瞬时
反向电流(毫安)
100
T
J
= 100 C
10
10
1.0
T
J
= 75 C
1.0
0.1
T
J
= 25 C
T
J
= 25 C
脉宽300US
2 %的占空比
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
百分之额定峰值反向电压( % )
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向电压,伏
图5 - 典型结电容
10000
电容(PF )
1000
T
J
= 25°C F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压,伏
BL
特点
银河电子
MBR1630 - - - MBR16100
电压范围: 30 -
100
V
电流: 16 A
肖特基势垒整流器
高S恳请能力。
对我们来说, E在低电压,高频率逆变器,免费
111wheeling,
和极性保护应用。
金属源ilicon结,男ajority载流子导电。
高电流能力,低正向压降。
保护环,过电压保护。
TO-220AC
机械数据
CAS E: JEDEC TO - 220AC ,男olded PLAS抽动身体
长期inals :信息,S olderable每MIL -STD- 750 ,
1 1
方法2026
极性:米arked
POS银行足球比赛:任何
重量:
0.064盎司, 1.81克
mm
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单相半波,60赫兹,电阻或电感load.For容性负载,减免电流20 % 。
MBR
1630
最大的经常峰值反向电压
最大RMS V oltage
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD总装置
m
整流电流@T
C
= 125°C
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
b
正弦-W AVE叠加在额定负荷
最大FORW ARD
电压
(注1 )
(I
F
=16A,T
C
=125
)
(I
F
=16A,T
C
=25 )
MBR
1635
35
25
35
MBR膜生物反应器MBR
1640 1645 1650
40
28
40
45
32
45
16
150
50
35
50
MBR
1660
60
42
60
MBR膜生物反应器
单位
1690 16100
90
63
90
100
70
100
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
30
21
30
0.63
0.75
0.65
1.0
0.85
V
-
V
F
0.57
0.2
40
1.5
-
55
---- + 150
-
55
---- + 175
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
C
=25
@T
C
=125
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
50
/W
最大热阻
(Note2)
工作结温范围
存储温度范围
注: 1.脉冲测试: 300μS脉冲宽度, 1 %的关税CY CLE 。
结2.热电阻的情况下。
www.galaxycn.com
文档编号0266054
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - 正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流
安培
正向平均整流
当前,安培
MBR1630 - - - MBR16100
图2 --MAXIMUM不重复
正向浪涌电流
150
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
20
负载电阻或电感
125
16
12
8
4
0
0
50
100
150
100
75
50
25
0
1
10
100
环境温度下,
循环次数在60Hz
图4 - 典型的反向特性
瞬时反向漏
当前,毫安
图3 --TYPICAL瞬时
正向电流
正向特性
50
50
10
MBR1630-MBR1645
MBR1650-MBR16100
10
T
J
=125
脉冲宽度= 300
μ
s
1 %占空比
TJ=125
1
安培
T
J
=25
1
TJ=75
0.1
0.1
0.01
TJ=25
MBR1630-MBR1645
MBR1650-MBR1660
MBR1690-MBR16100
0.01
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压,伏
瞬态热阻抗,
/W
百分之额定峰值反向电压, %
图5 - 典型结电容
结电容, pF的
图6 - 典型的瞬态热阻抗
100
4,000
TJ=25
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
1,000
10
1
MBR1635-MBR1645
100
MBR1650-MBR16100
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压,伏
脉冲持续时间,美国证券交易委员会
www.galaxycn.com
文档编号0266054
BL
银河电子
2.
BL
特点
银河电子
MBR1635 - - - MBR1660
电压范围: 35 - 60 V
CURRENT : 16.0一
肖特基势垒整流器
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降,低开关损耗
高浪涌能力
为了在低电压,高频率逆变器免费
xxxx
续流和极性保护应用
塑料材料进行U / L承认94V - 0
TO-220AC
机械数据
案例: JEDEC TO - 220AC ,模压塑料
终端:信息每焊
MIL-STD -750 ,方法2026
极性:标示
重量:
0.064盎司, 1.81克
安装位置:任意
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。对于容性负载, 20%减免。
MBR1635
MBR1640 MBR1645
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD整流电流
@T
A
=133
重复峰值FORW ARD电流在T
C
=125
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷
最大瞬时
在正向电压(注1 )
最大反向电流
在额定阻断电压DC
典型热阻
@T
J
=125
I
F
=16A,T
C
=25℃
I
F
=16A,T
C
=125℃
@T
A
=25
@T
A
=125
(Note2)
MBR1650
50
35
50
MBR1660
单位
60
42
60
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
I
FSM
35
25
35
40
28
40
45
32
45
16.0
32.0
150
0.63
0.57
0.2
40.0
1.5
-65 --- +125
-65 --- +150
0.75
0.65
1.0
50.0
A
V
F
I
R
R
θ
JC
T
J
T
英镑
V
mA
℃/W
www.galaxycn.com
工作结温范围
存储温度范围
注: 1.脉冲测试: 300
μ
脉搏的宽度, 1 %的关税CY CLE 。
2.Thermal电阻结到管壳
文档编号0266017
BL
银河电子
1
.
收视率和特性曲线
图1 - 正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流
安培
正向平均整流
当前,安培
MBR1635 - - - MBR1660
图2 --MAXIMUM不重复
正向浪涌电流
150
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
20
负载电阻或电感
125
16
12
8
4
0
0
50
100
150
100
75
50
25
0
1
10
100
环境温度下,
循环次数在60Hz
图4 - 典型的反向特性
瞬时反向漏
当前,毫安
图3 --TYPICAL瞬时
正向电流
正向特性
50
50
10
MBR1635-MBR1645
MBR1650-MBR1660
10
T
J
=125
脉冲宽度= 300
μ
s
1 %占空比
TJ=125
1
安培
T
J
=25
1
TJ=75
0.1
0.1
0.01
TJ=25
MBR1635-MBR1645
MBR1650-MBR1660
0.01
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压,伏
瞬态热阻抗,
/W
百分之额定峰值反向电压, %
图5 - 典型结电容
结电容, pF的
图6 - 典型的瞬态热阻抗
100
4,000
TJ=25
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
1,000
10
1
MBR1635-MBR1645
100
MBR1650-MBR1660
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压,伏
脉冲持续时间,美国证券交易委员会
www.galaxycn.com
文档编号0266017
BL
银河电子
2.
MBR1630 - MBR1660
16A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压,高频率逆变器,免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品,符合RoHS (注3 )
K
C
D
A
B
L
M
TO-220AC
暗淡
A
B
C
D
E
G
E
14.48
10.00
2.54
5.90
2.80
12.70
0.69
3.54
4.07
1.15
0.30
2.04
4.83
最大
15.75
10.40
3.43
6.40
3.93
14.27
0.93
3.78
4.82
1.39
0.50
2.79
5.33
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
案例: TO- 220AC
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:完成 - 亮锡。每焊
MIL- STD- 202方法208
极性:见图
标记:型号数量
重量:2.24克数(大约)
J
销1
销2
J
G
N
K
L
M
N
P
R
R
P
销1
销2
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
(注1 )
@ T
C
= 125°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型的总电容(注2 )
典型热阻结到外壳(注1 )
变化的电压率(额定V
R
)
工作和存储温度范围
注意事项:
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
T
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
MBR
1630
30
21
MBR
1635
35
24.5
MBR
1640
40
28
16
150
0.63
0.57
0.2
40
450
1.5
MBR
1645
45
31.5
MBR
1650
50
35
MBR
1660
60
42
单位
V
V
A
A
@ I
F
= 16A ,T
C
= 25°C
@I
F
= 16A ,T
C
= 125°C
@T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
0.75
0.65
1.0
50
3
10,000
-65到+150
V
mA
pF
° C / W
V / ms的
°C
1000
1.Thermal电阻结点到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用,看
欧盟指令附件注5和7 。
DS23011牧师8 - 2
1第3
www.diodes.com
MBR1630-MBR1660
Diodes公司
20
I
(AV)
,平均正向电流( A)
50
I
F
瞬时正向电流(A)
16
MBR1630 - MBR1645
10
12
MBR1650 / MBR1660
8
1.0
4
0
0
50
100
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向电压特性
4000
T
j
= 25°C
F = 1.0MHz的
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
300
250
C
T
,电容(pF )
200
1000
150
100
50
100
0
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
100
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型的总电容
I
R
,瞬时反向电流(mA)
100
10
T
j
= 125°C
T
j
= 75°C
1.0
0.1
T
j
= 25°C
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
DS23011牧师8 - 2
2 3
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MBR1630-MBR1660
订购信息
设备
MBR16xx*
(注4 )
包装
TO-220AC
航运
50/Tube
* XX =设备类型,例如, MBR1645
注意事项:
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
DS23011牧师8 - 2
3 3
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MBR1630-MBR1660
MBR1630通MBR1645
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AC
A
C( TAB )
A
C
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.580
0.560 0.650
0.380 0.420
0.139 0.161
2.300 0.420
0.100 0.135
0.045 0.070
-
0.250
0.025 0.035
0.190 0.210
0.140 0.190
0.015 0.022
0.080 0.115
0.025 0.055
横行
分钟。
马克斯。
12.70 14.73
14.23 16.51
9.66 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.42
1.15
1.77
-
6.35
0.64
0.89
4.83
5.33
3.56
4.82
0.38
0.56
2.04
2.49
0.64
1.39
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR1630
MBR1635
MBR1640
MBR1645
符号
I
(AV)
I
FSM
dv / dt的
V
F
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
16
150
10000
I
F
= 16A @T
J
=25
o
C
I
F
= 16A @T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.63
0.57
0.2
40
1.5
450
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
V
mA
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
变化的电压率(额定V
R
)
最大正向
电压(注1 )
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻(注2 )
典型结电容(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
C / W
pF
o
o
C
C
注:1. 300US脉冲宽度, 2 %的占空比。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AC模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意
MBR1630通MBR1645
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
20
峰值正向浪涌电流,
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
图2 - 最大非重复浪涌电流
150
16
100
12
8
电阻或
感性负载
50
4
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
0
1
2
5
10
20
50
100
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
1000
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流( A)
瞬时
反向电流(毫安)
100
T
J
= 100 C
10
10
1.0
T
J
= 75 C
1.0
0.1
T
J
= 25 C
T
J
= 25 C
脉宽300US
2 %的占空比
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
百分之额定峰值反向电压( % )
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向电压,伏
图5 - 典型结电容
10000
电容(PF )
1000
T
J
= 25°C F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压,伏
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
MBR1620
THRU
MBR1660
16 AMP
肖特基势垒
整流器器
20至60伏
siliconrectifier金属, majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力,高电流能力
最大额定值
工作温度: -55 ° C至+ 150°C
存储温度: -55°C至+ 175℃
Microsemi的
目录
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
TO-220AC
B
C
K
L
M
D
A
1
2
MBR1620
MBR1630
MBR1635
MBR1640
MBR1645
MBR1660
MBR1620
MBR1630
MBR1635
MBR1640
MBR1645
MBR1660
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
E
F
G
I
H
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MBR1620-1645
MBR1660
MBR1620-1645
MBR1660
销1
销2
I
F( AV )
16A
T
C
= 125°C
I
FSM
150A
8.3ms的,半正弦


A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N

MM

14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
4.83
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03


15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
5.33
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92

英寸



.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.190
.210
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
V
F
.63V
.75V
.57V
.65V
I
FM
= 16A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
MBR1620-1645
MBR1660
MBR1620-1645
MBR1660
IR
0.2mA
1mA
40mA
50mA
450pF
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
在测
1.0MHz的,V
R
=4.0V
典型结
电容
C
J
*脉冲测试:脉冲宽度300
微秒,
占空比2 %
www.mccsemi.com
MBR1620通MBR1660
图1
典型的正向特性
100
60
40
20
MBR1620-1645
10
6
4
2
25°C
1安培
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.8
MBR1660
10
6
4
2
1
.6
.4
T
J
=25°C
.2
μAMPS
.1
.06
.04
.02
.01
.006
.00
4
.002
.001
20
50
75
MCC
图2
典型的反向特性
100
125 150
175
瞬时正向电流 - 安培
正向电压 - 伏特
科幻gure 3
远期降额曲线
16
瞬时反向漏电流 - 微安
%的额定峰值反向电压 - 伏特
图4
峰值正向浪涌电流
150
14
125
12
100
75
安培
8
25
5
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
0
25
50
75
°C
平均正向整流电流 - 安培
环境温度 -
°C
100
125
150
0
1
4
6
8 10
周期
峰值正向浪涌电流 - 安培
周期在60Hz数 - 周期
20
40
60 80 100
50
10
安培
2
www.mccsemi.com
MBR1630 - MBR1660
16A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护应用
塑料材质:防火
分类额定值94V- 0
TO-220AC
L
B
C
K
D
A
销1
销2
暗淡
M
14.22
9.65
2.54
5.84
12.70
0.51
3.53
3.56
1.14
0.30
2.03
4.83
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
1.14
4.09
4.83
1.40
0.64
2.92
5.33
A
B
C
D
E
G
E
J
N
G
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:见图
重量:2.24克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
K
L
M
N
P
R
J
R
PIN 1 +
PIN 2 -
P
+
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
(注1 )
@ T
C
= 125°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容(注2 )
典型热阻结到外壳(注1 )
变化的电压率(额定V
R
)
工作和存储温度范围
@ I
F
= 16A ,T
C
= 25°C
@I
F
= 16A ,T
C
= 125°C
@T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
MBR
1630
30
21
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
1635
35
24.5
MBR
1640
40
28
16
150
0.63
0.57
0.2
40
450
1.5
MBR
1645
45
31.5
MBR
1650
50
35
MBR
1660
60
42
单位
V
V
A
A
0.75
0.65
1.0
50
3
10,000
-65到+150
V
mA
pF
° C / W
V / ms的
°C
1000
注意事项:
1.Thermal电阻结点到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
DS23011修订版F- 2
1 2
MBR1630-MBR1660
20
50
I
(AV)
,平均正向电流( A)
16
I
F
瞬时正向电流(A)
MBR1630 - MBR1645
10
12
MBR1650 / MBR1660
8
1.0
4
0
0.1
T
j
= 25
°
C
脉冲宽度= 300
s
2 %的占空比
0
50
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
C
,外壳温度(
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
300
250
200
150
C
j
,电容(pF )
4000
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向电压特性
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
1000
100
50
0
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
100
100
100
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 5典型结电容
I
R
,瞬时反向电流(mA)
10
T
j
= 125
°
C
T
j
= 75
°
C
1.0
0.1
T
j
= 25
°
C
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 4典型的反向特性
DS23011修订版F- 2
2 2
MBR1630-MBR1660
MBR1630-MBR16100
肖特基势垒整流器
电压范围: 30 -
100
V
电流: 16 A
特点
高S恳请能力。
111
对我们来说, E在低电压,高频率逆变器,免费
续流和极性保护应用。
高电流能力,低正向压降。
保护环,过电压保护。
19.0± 0.5
2.8± 0.1
TO-220AC
10.2± 0.2
φ
3.8± 0.15
4.5± 0.2
1.4± 0.2
金属源ilicon结,男ajority载流子导电。
1
2
8.9± 0.2
2.6± 0.2
3.5± 0.3
13.8± 0.5
5.0± 0.1
0.5± 0.1
机械数据
CAS E: JEDEC TO - 220AC ,男olded PLAS抽动身体
极性:米arked
POS银行足球比赛:任何
重量:
0.069盎司, 1.96克
0.9± 0.1
单位:毫米
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单相半波,60赫兹,电阻或电感load.For容性负载,减免电流20 % 。
MBR
1630
最大的经常峰值反向电压
最大RMS V oltage
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD总装置
m
整流电流@T
C
= 125°C
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
b
正弦-W AVE叠加在额定负荷
最大FORW ARD
电压
(注1 )
(I
F
=16A,T
C
=125
)
(I
F
=16A,T
C
=25 )
MBR
1635
35
25
35
MBR膜生物反应器MBR
1640 1645 1650
40
28
40
45
32
45
16
150
50
35
50
MBR
1660
60
42
60
MBR膜生物反应器
单位
1690 16100
90
63
90
100
70
100
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
30
21
30
0.63
0.75
0.65
1.0
0.85
V
-
V
F
0.57
0.2
40
1.5
-
55
---- + 150
-
55
---- + 175
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
C
=25
@T
C
=125
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
50
/W
最大热阻
(Note2)
工作结温范围
存储温度范围
注: 1.脉冲测试: 300μS脉冲宽度, 1 %的关税CY CLE 。
结2.热电阻的情况下。
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邮箱: lge@luguang.cn
MBR1630-MBR16100
肖特基势垒整流器
评级和Charactieristic曲线
图2 --MAXIMUM不重复
图1 - 正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流
安培
正向平均整流
当前,安培
正向浪涌电流
150
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
20
负载电阻或电感
125
16
12
8
4
0
0
50
100
150
100
75
50
25
0
1
10
100
环境温度下,
循环次数在60Hz
图4 - 典型的反向特性
瞬时反向漏
当前,毫安
图3 --TYPICAL瞬时
正向电流
正向特性
50
50
10
MBR1630-MBR1645
MBR1650-MBR16100
10
T
J
=125
脉冲宽度= 300
μ
s
1 %占空比
TJ=125
1
安培
T
J
=25
1
TJ=75
0.1
0.1
0.01
TJ=25
MBR1630-MBR1645
MBR1650-MBR1660
MBR1690-MBR16100
0.01
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压,伏
瞬态热阻抗,
/W
百分之额定峰值反向电压, %
图5 - 典型结电容
结电容, pF的
图6 - 典型的瞬态热阻抗
100
4,000
TJ=25
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
1,000
10
1
MBR1635-MBR1645
100
MBR1650-MBR16100
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压,伏
脉冲持续时间,美国证券交易委员会
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MBR1640
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地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
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