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MBR150 , MBR160
MBR160是首选设备
轴向引线整流器
该MBR150 / 160系列采用肖特基原则在
大面积的金属到硅功率二极管。几何体国家的最先进的
拥有外延建设与氧化物钝化和金属
重叠接触。非常适合于用作低电压整流器,
高频逆变器,续流二极管和极性
保护二极管。
特点
http://onsemi.com
低反向电流
低存储电荷,多数载流子导电
低功耗/高效率
高度稳定的氧化钝化结
这些无铅器件*
肖特基势垒
整流器
1.0安培 - 50和60伏
机械特性:
案例:环氧树脂,模压
重量:0.4克(约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
极性:负极由带极性指示
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
MBR150
MBR160
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
MBR150
MBR160
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
35
42
1.0
V
A
A
MBR1x0
YYWW
G
G
符号
V
RRM
50
60
价值
单位
V
DO41
轴向引线
CASE 59
风格1
标记图
平均正向电流整流(注1 )
(V
R(当量)
v
0.2 V
R
(直流)中,T
L
= 90°C,
R
qJA
= 80 ° C / W , P.C。电路板安装,T
A
= 55°C)
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下,
半波,单相, 60赫兹,T
L
= 70°C)
工作和存储结温
范围内(反向电压应用)
I
FSM
25
(一
循环)
- 65
+150
A
T
J
, T
英镑
°C
A
=大会地点
MBR1x0 =器件代码
X = 5或6个
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
热特性
(注1及2 )
特征
热阻,结到环境
符号
R
qJA
最大
80
单位
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.焊接温度基准是正极引线1/32 “的情况。
2.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比
2.0%.
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年6月 - 8版本
出版订单号:
MBR150/D
MBR150 , MBR160
电气特性
(T
L
= 25 ° C除非另有说明) (注1 )
特征
最大正向电压(注2 )
(i
F
= 0.1 A)
(i
F
= 1.0 A)
(i
F
= 3.0 A)
最大瞬时反向电流@额定直流电压(注2 )
(T
L
= 25°C)
(T
L
= 100°C)
符号
v
F
0.550
0.750
1.000
i
R
0.5
5.0
mA
最大
单位
V
10
7.0
5.0
3.0
2.0
I F ,正向电流(安培)
T
J
= 150°C
100°C
25°C
10
5.0
I R ,反向电流(毫安)
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0
10
20
30
40
50
V
R
,反向电压(伏)
60
70
25°C
T
J
= 150°C
125°C
100°C
75°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
图2.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的电压的最高电压装置
年龄分组。典型的反向电流低电压的选择可以
从这些相同的曲线估计若V
R
被充分地低于额定V
R
.
5.0
PF ( AV ) ,平均正向
功耗(瓦)
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
WAVE
4.0
3.0
p
5
10
1.0
I
PK
/I
AV
= 20
dc
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
v
F
,瞬时电压(伏)
I
F( AV )
,平均正向电流(安培)
图1.典型正向电压
图3.前向功率耗散
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2
MBR150 , MBR160
热特性
1.0
R(T ) ,瞬态热阻
(归一化)
0.7
0.5
0.3
0.2
P
pk
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
吨,时间( ms)的
50
t
p
时间
t
1
P
pk
占空比D = T
p
/t
1
高峰值功率, P
pk
是高峰
的等效方
功率脉冲。
Z
qJL (T )
= Z
qJL
R( t)的
DT
JL
= P
pk
R
qJL
[D + (1 D)
R(T
1
+ t
p
) + R(T
p
) - R(T
1
) ],其中
DT
JL
=以上引线的增加,结温
温R( T)=瞬态热阻标准值
在时间t ,由图4 ,即: R(T) = r(下吨
1
+ t
p
)=归一化值
在时间的瞬态热阻抗,叔
1
+ t
p
.
100
200
500
1k
2k
5k
10 k
图4.热响应
.
90
80
R
q
JL ,热电阻,
结到铅(
°
C / W )
70
60
最大
50
典型
40
30
20
10
0
1/8
1/4
3/8
1/2
5/8
3/4
7/8
1.0
L,引线长度(英寸)
两条引线到散热器,
等长
C,电容(pF )
100
80
70
60
50
40
30
20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
,反向电压(伏)
200
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
图5.稳态热阻
注1 - 安装数据:
图6.典型电容
注2 - 热路模型:
(对于通过动态热传导)
R
QS ( A)
T
A(A)
T
L(A )
T
C( A)
T
J
R
QL ( A)
R
QJ ( A)
R
q
(K
)
所示的热阻结到环境数据
(R
qJA )
对于所示的安装是用来作为一个典型的
初步设计或在指导值
连接点的温度不能被测量。
典型值的R
qJA
在静止空气中
MOUNTING
1
2
3
导线长度L(中)
1/8
52
67
1/4
65
80
1/2
72
87
50
3/4
85
100
R
qJA
° C / W
° C / W
° C / W
R
QL ( K)
R
QS ( K)
T
A( K)
P
D
T
C( K)
T
L( K)
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3
MBR150 , MBR160
利用上述模型允许结导致热
可以发现电阻为任何安装结构。为
一个给定的走线总长,最低值出现时,一方
整流器被带到尽可能接近到散热器。
条款中的模型表示:
T
A
=周围温度T
C
=外壳温度
T
L
焊接温度
T
J
=结温
R
qS
=热阻,散热器到环境
R
qL
=热阻,铅对散热器
R
qJ
=热阻,结到外壳
P
D
功耗
安装方法1
P.C。董事会
11/2″ x 11/2″
铜表面上。
安装方法3
P.C。董事会
11/2″ x 11/2″
铜表面上。
(标a和K是指阳极和阴极侧,
。分别)值热电阻部件是:
R
qL
= 100℃ / W /在通常120℃ / W /中最大。
R
qJ
= 36 ° C / W典型和46 ° C / W最大。
注3 - 高工作频率:
L
L
L = 3/8″
安装方法2
局地
飞机
L
L
由于电流流过肖特基整流器的结果
多数载流子的传导,它是不受结
由于二极管的正向和反向恢复瞬态
少数载流子注入和存储电荷。满意的
电路分析的工作可以通过使用模型来进行
由一个理想二极管的并联的可变
电容。 (参见图6)
整流效率测量结果表明,
操作将是令人满意的高达几兆赫。为
例如,相对于波形整流效率是
在2MHz ,例如,直流的比例约为70 %的
功率RMS功率负载是0.28 ,在此频率下,
而完美的整改会产生0.406正弦
波输入。然而,相较于一般的结
二极管,波形效率的损失并不反映
功耗:那简直是反向电流的结果
通过二极管电容,从而降低了直流输出
电压。
矢量Pin安装
订购信息
设备
MBR150
MBR150G
MBR150RL
MBR150RLG
MBR160
MBR160G
MBR160RL
MBR160RLG
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
航运
1000单位/袋
1000单位/袋
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
1000单位/袋
1000单位/袋
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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4
MBR150 , MBR160
包装尺寸
轴向引线
CASE 59-10
ISSUE ü
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
JEDEC DO- 41外形应适用
4.极性表示由阴极频带。
5.铅直径不可控WITHIN F
DIMENSION 。
英寸
最大
0.161 0.205
0.079 0.106
0.028 0.034
0.050
1.000
MILLIMETERS
最大
4.10
5.20
2.00
2.70
0.71
0.86
1.27
25.40
K
F
D
暗淡
A
B
D
F
K
A
极性检测指示灯
根据系统需要可选
(见样式)
F
K
风格1 :
PIN 1阴极(极性带)
2.阳极
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
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为了文学:
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MBR150/D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MBR160RL
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
MBR160RL
ON
24+
11531
DO-41
全新原装正品现货特价
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
MBR160RL
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DO-41
原装正品专业电子器件配套
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联系人:李
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联系人:朱
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
MBR160RL
ON
25+23+
25500
DO-41
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
MBR160RL
ON
25+
4500
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全新原装现货特价销售!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
MBR160RL
MOTOROLA/摩托罗拉
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33000
DO15
百分百进口正品原装现货 支持实单!
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联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
MBR160RL
ON
25+
4500
59-10(DO-41)
全新原装正品特价售销!
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电话:0755-83231869
联系人:张
地址:福田区上步工业区505栋六楼608室(钟表市场楼上)
MBR160RL
ON
2020+
8700
原厂封装
全新原装正品,可售样,可开13%增值税
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联系人:销售部1部
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ON
25+23+
16944
DO-41
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