MBR150 ， MBR160
MBR160是首选设备
轴向引线整流器
该MBR150 / 160系列采用肖特基原则在
大面积的金属到硅功率二极管。几何体国家的最先进的
拥有外延建设与氧化物钝化和金属
重叠接触。非常适合于用作低电压整流器，
高频逆变器，续流二极管和极性
保护二极管。
特点
http://onsemi.com
低反向电流
低存储电荷，多数载流子导电
低功耗/高效率
高度稳定的氧化钝化结
这些无铅器件*
肖特基势垒
整流器
1.0安培 - 50和60伏
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量：0.4克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：负极由带极性指示
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
MBR150
MBR160
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
MBR150
MBR160
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
35
42
1.0
V
A
A
MBR1x0
YYWW
G
G
符号
V
RRM
50
60
价值
单位
V
DO41
轴向引线
CASE 59
风格1
标记图
平均正向电流整流（注1 ）
(V
R（当量）
v
0.2 V
R
（直流）中，T
L
= 90°C,
R
qJA
= 80 ° C / W ， P.C。电路板安装，T
A
= 55°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下，
半波，单相， 60赫兹，T
L
= 70°C)
工作和存储结温
范围内（反向电压应用）
I
FSM
25
（一
循环）
- 65
+150
A
T
J
, T
英镑
°C
A
=大会地点
MBR1x0 =器件代码
X = 5或6个
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
热特性
（注1及2 ）
特征
热阻，结到环境
符号
R
qJA
最大
80
单位
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.焊接温度基准是正极引线1/32 “的情况。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年6月 - 8版本
出版订单号：
MBR150/D
MBR150 ， MBR160
热特性
1.0
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
0.7
0.5
0.3
0.2
P
pk
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
吨，时间（ ms）的
50
t
p
时间
t
1
P
pk
占空比D = T
p
/t
1
高峰值功率， P
pk
是高峰
的等效方
功率脉冲。
Z
qJL （T ）
= Z
qJL
R（ t）的
DT
JL
= P
pk
R
qJL
[D + (1 D)
R（T
1
+ t
p
） + R（T
p
） - R（T
1
） ]，其中
DT
JL
=以上引线的增加，结温
温R（ T）=瞬态热阻标准值
在时间t ，由图4 ，即： R（T） = r（下吨
1
+ t
p
）=归一化值
在时间的瞬态热阻抗，叔
1
+ t
p
.
100
200
500
1k
2k
5k
10 k
图4.热响应
.
90
80
R
q
JL ，热电阻，
结到铅（
°
C / W ）
70
60
最大
50
典型
40
30
20
10
0
1/8
1/4
3/8
1/2
5/8
3/4
7/8
1.0
L，引线长度（英寸）
两条引线到散热器，
等长
C，电容（pF ）
100
80
70
60
50
40
30
20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
200
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
图5.稳态热阻
注1 - 安装数据：
图6.典型电容
注2 - 热路模型：
（对于通过动态热传导）
R
QS （ A）
T
A(A)
T
L（A ）
T
C（ A）
T
J
R
QL （ A）
R
QJ （ A）
R
q
（K
)
所示的热阻结到环境数据
(R
qJA ）
对于所示的安装是用来作为一个典型的
初步设计或在指导值
连接点的温度不能被测量。
典型值的R
qJA
在静止空气中
MOUNTING
法
1
2
3
导线长度L（中）
1/8
52
67
—
1/4
65
80
1/2
72
87
50
3/4
85
100
R
qJA
° C / W
° C / W
° C / W
R
QL （ K）
R
QS （ K）
T
A（ K）
P
D
T
C（ K）
T
L（ K）
http://onsemi.com
3
MBR150 ， MBR160
利用上述模型允许结导致热
可以发现电阻为任何安装结构。为
一个给定的走线总长，最低值出现时，一方
整流器被带到尽可能接近到散热器。
条款中的模型表示：
T
A
=周围温度T
C
=外壳温度
T
L
焊接温度
T
J
=结温
R
qS
=热阻，散热器到环境
R
qL
=热阻，铅对散热器
R
qJ
=热阻，结到外壳
P
D
功耗
安装方法1
P.C。董事会
11/2″ x 11/2″
铜表面上。
安装方法3
P.C。董事会
11/2″ x 11/2″
铜表面上。
（标a和K是指阳极和阴极侧，
。分别）值热电阻部件是：
R
qL
= 100℃ / W /在通常120℃ / W /中最大。
R
qJ
= 36 ° C / W典型和46 ° C / W最大。
注3 - 高工作频率：
L
L
L = 3/8″
安装方法2
局地
飞机
L
L
由于电流流过肖特基整流器的结果
多数载流子的传导，它是不受结
由于二极管的正向和反向恢复瞬态
少数载流子注入和存储电荷。满意的
电路分析的工作可以通过使用模型来进行
由一个理想二极管的并联的可变
电容。 （参见图6）
整流效率测量结果表明，
操作将是令人满意的高达几兆赫。为
例如，相对于波形整流效率是
在2MHz ，例如，直流的比例约为70 ％的
功率RMS功率负载是0.28 ，在此频率下，
而完美的整改会产生0.406正弦
波输入。然而，相较于一般的结
二极管，波形效率的损失并不反映
功耗：那简直是反向电流的结果
通过二极管电容，从而降低了直流输出
电压。
矢量Pin安装
订购信息
设备
MBR150
MBR150G
MBR150RL
MBR150RLG
MBR160
MBR160G
MBR160RL
MBR160RLG
包
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
航运
1000单位/袋
1000单位/袋
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
1000单位/袋
1000单位/袋
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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4
MBR150 ， MBR160
包装尺寸
轴向引线
CASE 59-10
ISSUE ü
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
JEDEC DO- 41外形应适用
4.极性表示由阴极频带。
5.铅直径不可控WITHIN F
DIMENSION 。
英寸
民
最大
0.161 0.205
0.079 0.106
0.028 0.034
0.050
1.000
MILLIMETERS
民
最大
4.10
5.20
2.00
2.70
0.71
0.86
1.27
25.40
K
F
D
暗淡
A
B
D
F
K
A
极性检测指示灯
根据系统需要可选
（见样式）
F
K
风格1 ：
PIN 1阴极（极性带）
2.阳极
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
MBR150/D
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MBR150 / D
轴向引线整流器
。 。 。采用肖特基原理在一个大面积的金属到硅
功率二极管。国家的最先进的几何特征的外延与建设
氧化物钝化和金属重叠接触。非常适合用作整流器
在低电压，高频率逆变器，续流二极管和极性
保护二极管。
低反向电流
低存储电荷，多数载流子导电
低功耗/高效率
高度稳定的氧化钝化结
MBR150
MBR160
MBR160是
摩托罗拉的首选设备
肖特基势垒
整流器
1安培
50 ， 60伏
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量：0.4克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端信息是
随手可焊
铅和安装表面焊接温度的目的： 220℃
马克斯。 10秒， 1/16“的情况下，
运塑料袋， 1000元包
可用的磁带和缠绕， 5000每卷中，加入了“ RL '为后缀的
产品型号
极性：负极由带极性指示
标记： B150 ， B160
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均正向电流整流（ 2 ）
（ VR （当量）
0.2 VR（直流） ， TL = 90℃ ，R
θJA
= 80 ° C / W ， P.C。电路板安装，
见注3 ， TA = 55 ° C）
符号
VRRM
VRWM
VR
VR （ RMS ）
IO
MBR150
50
CASE 59-04
塑料
MBR160
60
单位
伏
35
1
42
伏
AMP
v
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相， 60赫兹， TL = 70 ° C）
工作和存储结温范围（反向电压应用）
峰值工作结温（正向电流应用）
IFSM
TJ ， TSTG
TJ （ PK）
图25（一个周期）
安培
°C
°C
*
65 150
150
最大
80
热特性
（注3和4）
特征
热阻，结到环境
符号
R
θJA
单位
° C / W
电气特性
（ TL = 25℃，除非另有说明） （2）
特征
最大正向电压（ 1 ）
（IF = 0.1 A）
（IF = 1 ）
（如果= 3 A）
最大瞬时反向电流@额定直流电压（ 1 ）
（ TL = 25℃）
（ TL = 100℃）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%.
（ 2 ）焊接温度基准是正极引线1/32 “的情况。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
符号
vF
最大
0.550
0.750
1.000
单位
伏特
iR
0.5
5
mA
整流器器
公司1996年
数据
摩托罗拉，
设备
1
MBR150 MBR160
10
7.0
5.0
3.0
2.0
I F ，正向电流（安培）
TJ = 150℃
100°C
25°C
I R ，反向电流（毫安）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0
10
20
30
50
40
VR ，反向电压（伏）
60
70
25°C
TJ = 150℃
125°C
100°C
75°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
图2.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的电压的最高电压装置
年龄分组。典型的反向电流低电压的选择可以
从这些相同的曲线估计，如果VR充分低于额定VR 。
5.0
PF （ AV ） ，平均正向
功耗（瓦）
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
方
WAVE
4.0
3.0
dc
5
10
IPK / IAV = 20
2.0
p
1.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
VF ，瞬时电压（伏）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
图1.典型正向电压
图3.前向功率耗散
热特性
1.0
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
吨，时间（ ms）的
50
100
200
500
1k
2k
5k
10 k
tp
PPK
t1
T
JL = Ppk的
R
θJL
[D + (1 – D)
R（ T1 + TP ） + R （ TP ） - R（ T1 ） ]
哪里
T
JL =上面的引线温度的增加，结温
R（T） =瞬时的热阻在时间归一化值，吨，从图4 ，即：
R（T） =
R（ T1 + TP ） =瞬态热阻时刻， T1 + TP标准值。
Z
θJL （T ）
= Z
θJL
R（ t）的
PPK
时间
占空比D = TP / T1
峰值功率Ppk的，是一个高峰期
相当于平方功率脉冲。
图4.热响应
2
整流设备数据
MBR150 MBR160
90
80
R
q
JL ，热电阻，
结到铅（
°
C / W ）
70
60
最大
50
典型
40
30
20
10
0
1/8
1/4
3/8
1/2
5/8
3/4
7/8
1.0
L，引线长度（英寸）
BOTH导致散热片，
等长
C，电容（pF ）
100
80
70
60
50
40
30
20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
VR ，反向电压（伏）
200
TJ = 25°C
F = 1 MHz的
图5.稳态热阻
注3 - 安装数据：
所示的热阻结到环境数据
(R
ΘJA ）
对于所示的安装是用来作为一个典型的
初步设计或在领带指导值
点温度无法测量。
典型值的R
θJA
在静止空气中
MOUNTING
g
法
1
2
3
导线长度L（中）
1/8
52
67
—
1/4
65
80
1/2
72
87
50
3/4
85
100
R
θJA
° C / W
° C / W
° C / W
图6.典型电容
安装方法1
P.C。董事会
1–1/2″ x 1–1/2″
铜表面上。
安装方法3
P.C。董事会
1–1/2″ x 1–1/2″
铜表面上。
L = 3/8″
注4 - 热路模型：
（对于通过动态热传导）
R
θS （ A）
TA （ A）
TL （ A）
TC （ A）
TJ
R
θL （ A）
R
θJ （ A）
R
θJ （ K）
PD
TC （ K）
TL （ K）
R
θL （ K）
R
θS （ K）
TA （ K）
利用上述模型允许结导致热
可以发现电阻为任何安装结构。对于
给定的总导线长度，最低值出现在一侧
该整流器被带到尽可能接近到散热器。
条款中的模型表示：
TA =环境温度Tc =外壳温度
TL =焊接温度
TJ =结温
R
θS
=热阻，散热器到环境
R
θL
=热阻，导致散热器
R
θJ
=热阻，结到外壳
PD =功耗
整流设备数据
L
L
安装方法2
L
L
矢量Pin安装
局地
飞机
（标a和K是指阳极和阴极侧，
。分别）值热电阻部件是：
R
θL
= 100℃ / W /在通常120℃ / W /中最大。
R
θJ
= 36 ° C / W典型和46 ° C / W最大。
注5 - 高工作频率：
由于电流流过肖特基整流器是马的结果
jority载流子传导，它是不受结二极管换
病房和反向恢复瞬态由于少数载流子
注入和存储电荷。满意的电路分析工作
可以通过使用模型，由一个理想的进行
二极管与一个可变电容并联。 （参见图6 ）
整流效率测量显示操作
将是令人满意高达几兆赫。例如，
相波形整流效率大约为70
百分比在2兆赫，例如，直流功率之比RMS功率在
负载为0.28 ，在此频率下，而完美整风
化将产生0.406的正弦波输入。然而，在CON-
相比之下普通结二极管，在波形艾菲损失
效率并不表明功率损耗：它是一个简单的结果
反向电流流过二极管的电容，从而
降低了直流输出电压。
3
MBR150 MBR160
包装尺寸
B
注意事项：
1.所有规则和注意事项与相关的
JEDEC DO- 41外形为准。
2.极性表示由阴极频带。
3.铅直径不可控WITHIN F
DIMENSION 。
MILLIMETERS
民
最大
5.97
6.60
2.79
3.05
0.76
0.86
27.94
–––
英寸
民
最大
0.235
0.260
0.110
0.120
0.030
0.034
1.100
–––
K
D
A
暗淡
A
B
D
K
K
CASE 59-04
ISSUE M
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ，科罗拉多州丹佛市80217. 303-675-2140或1-800-441-2447
日本：
日本摩托罗拉有限公司： SPD ，战略规划办公室， 4-32-1 ，
西五反田，品川区，东京141 ，日本。 81-3-5487-8488
M传真 ：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
互联网：
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4
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整流设备数据
MBR150/D
MBR150 MBR160
PRV ： 50 - 60伏特
I
O
： 1.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
高效率
低功耗
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
肖特基势垒
整流二极管
DO - 41
1.00 (25.4)
分钟。
0.107 (2.74)
0.080 (2.03)
0.205 (5.20)
0.160 (4.10)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
机械数据：
*案例： DO- 41模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.312克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
.
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
等级
最大峰值重复反向电压
最大工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流， TA = 55
°C
最大非重复性峰值浪涌电流，
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，
单相60赫兹，T
L
= 70°C)
最大Instataneous正向电压在我
F
= 1.0 A
最大反向电流
额定阻断电压DC
(1)
最大峰值工作结温
工作和存储结温范围
(1)
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV
)
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
T
J（下PK）
T
J
, T
英镑
MBR150
50
50
50
1.0
25
0.75
MBR160
60
60
60
单位
V
V
V
A
A
V
mA
mA
°C
°C
0.5 (T
L
= 25
°C)
5.0 (T
L
= 25
°C)
150
- 65至+ 150
注意：
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
μs,
占空比= 2 ％
第1页2
启示录02 ： 2005年3月30日
额定值和特性曲线（ MBR150 - MBR160 ）
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流，
安培
1.0
图2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
25
峰值正向浪涌
当前，安培
0.8
20
T
J
= 70
°
C
0.6
15
0.4
10
0.2
5
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
2
4
6
10
20
40
60
100
环境温度（
°
C)
循环次数在60Hz
图3 - 典型正向特性
瞬时正向电流，
安培
20
10
图4 - 典型的反向特性
反向电流毫安
10
T
J
= 100
°
C
1.0
1.0
0.1
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
脉冲宽度= 300μS
占空比= 2 ％
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
百分比额定反向
电压， （ ％ ）
正向电压，伏
第2页2
启示录02 ： 2005年3月30日
MBR140~MBR1200
肖特基势垒整流器器
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
1.0(25.4)MIN.
40至200伏特
当前
1.0安培
DO-41
单位：英寸（毫米）
可燃性分类94V -O利用
阻燃环氧模塑料。
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
适用于低电压，高频率逆变器，续流，
和极性保护应用。
.034(.86)
.028(.71)
初步
MECHANICALDATA
案例： DO- 41模压塑料
1.0(25.4)MIN.
.107(2.7)
.080(2.0)
终端：轴向引线，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：颜色频带为负极
安装位置：任意
重量： 0.0118盎司， 0.336克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流0.375"设计（9.5mm ）
引线长度（S E E的F i克ü 1 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在1.0A
最大直流反向电流T
J
=25
O
C
额定阻断电压DC牛逼
J
=100
O
C
典型热阻
工作结温和存储温度穰
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JA
T
J
,T
英镑
.205(5.2)
.160(4.1)
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
MBR140
MBR145 MBR150 MBR160 MBR180 MBR190 MBR1100 MBR1150 MBR1200
单位
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
1.0
30
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0.7
0.74
0.05
10
50
0.8
0.9
V
mA
O
C / W
O
-55到+150
-65到+175
C
STAD-DEC.24.2007
PAGE 。 1
MBR140~MBR1200
额定值和特性曲线
正向平均整流
安培电流
= 40V
= 45-200V
峰值正向浪涌电流，
安培
1.0
30
25
20
15
10
5
0
1
10
NO 。周期在60Hz
.75
.50
SINGLEPHASEHALFWAVE60Hz
RESISTIVEORINDUCTIVELOAD
P
.C.B装式
ON 0.2
X
0.2" （ 5.0
X
5. 0mm)
COPPERPADAREAS
反向电流米
m
A
10
3
正向电流，安培
初步
.25
0
0
25
50
75
100
125
o
150
175
100
焊接温度，C
图1 -FORWARD电流降额曲线
Fig.2-最大非REPETITIVEPEAKFORWARD
浪涌电流
10
5
10
40-4 5 V
10
4
T
J
=125 C
O
1.0
80-100V
50-60V
10
2
T
J
=75 C
10
1
O
1 5 0- 200V
0.1
T
A
= 25 C
O
10
0
10
-1
T
J
=25 C
10
-2
O
V
RRM
=40-60V
V
RRM
=80-200V
20
40
60
80
100
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
百分之额定峰值反向电压， ％
正向电压，伏
图3 - 典型的反向特性
图4 - 典型正向
特征
STAD-DEC.24.2007
PAGE 。 2
VS- MBR150 ， VS- MBR150 -M3 ， VS- MBR160 ， VS- MBR160 -M3
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威世半导体
肖特基整流器，1A
特点
薄型，轴向引线外形
极低的正向电压降
阴极
阳极
??高频工作
=高
纯度，
高
温度
环氧树脂
封装提高机械强度
和耐湿性
保护环，增强耐用性和长期
长期可靠性
符合RoHS指令2002/95 / EC
DO-204AL
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
DO- 204AL （DO- 41）的
1A
50 V, 60 V
0.65 V
10.0毫安在125°C
150 °C
单芯片
2.0兆焦耳
设计和合格的商用水平
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
（ -M3只）
描述
在VS -MBR ...轴向引线肖特基整流器已
对于非常低的正向压降进行了优化，具有中等
泄漏。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管和逆向
电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
1 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
1.0
50/60
150
0.65
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-MBR150
50
VS-MBR150-M3
50
VS-MBR160
60
VS-MBR160-M3
60
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 75℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 4 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率受限，T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
1.0
150
25
2.0
1.0
mJ
A
A
单位
修订： 20 09月11
文档编号： 93439
1
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威世半导体
电气规格
参数
符号
1A
2A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
3A
1A
2A
3A
T
J
= 25 °C
最大反向漏电流
SEE图。 2
典型结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
V
R
=额定V
R
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
值
0.75
0.9
1.0
0.65
0.75
0.82
0.5
5
10
55
8.0
10 000
pF
nH
V / μs的
mA
V
单位
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
交界处领导
大约重量
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJL （2）
直流操作
见图。 4
测试条件
值
- 40150
80
0.33
0.012
机箱样式DO- 204AL （ DO- 41 ）
MBR150
MBR160
单位
°C
° C / W
g
盎司
打标设备
笔记
(1)
(2)
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装1"方形PCB ，热探头连接到铅包2毫米
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2
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威世半导体
160
I
F
- 正向电流（A ）
10
含铅允许温度（ ℃）
140
120
100
80
60
40
20
0
DC
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
93439_04
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
93439_01
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 4 - 最高环境温度与
平均正向电流，印刷电路板安装
1
100
I
R
- 反向电流（mA ）
平均功耗（ W）
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
0.8
0.6
RMS限制
0.4
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
T
J
= 25 °C
0.2
0
20
30
40
50
60
70
93439_05
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
93439_02
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5 - 正向功率损耗特性
100
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下
浪涌
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
10
0
93439_03
10
10
100
1000
10 000
10
20
30
40
50
60
70
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容比。
反向电压
93439_06
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
修订： 20 09月11
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器件代码
威世半导体
VS- MBR
1
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
2
1
3
60
4
TR
5
-M3
6
威世半导体产品
肖特基MBR系列
额定电流： 1 = 1
额定电压
50 = 50 V
60 = 60 V
TR =磁带和卷轴包装
无=散包
6
-
环境位数
无=铅（ Pb），并且符合RoHS标准
-M3 =无卤素，符合RoHS标准，并终止铅（Pb ） - 免费
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-MBR150
VS-MBR150TR
VS-MBR150-M3
VS-MBR150TR-M3
VS-MBR160
VS-MBR160TR
VS-MBR160-M3
VS-MBR160TR-M3
QUANTITY PER T / R
1000
5000
1000
5000
1000
5000
1000
5000
最小起订量
1000
5000
1000
5000
1000
5000
1000
5000
包装说明
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
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威世半导体
轴向DO- 204AL （ DO- 41 ）
尺寸
毫米（英寸）
2.70 (0.106)
DIA 。
2.29 (0.090)
阴极带
27.0 （ 1.06 ）最低。
（ 2处）
27.0 （ 1.06 ）最低。
（ 2处）
5.21 (0.205)
马克斯。
5.21 (0.205)
马克斯。
1.27 （ 0.050 ）最大。
闪存（ 2处）
0.86 (0.034)
DIA 。
0.72 (0.028)
（ 2处）
0.86 (0.034)
DIA 。
0.72 (0.028)
（ 2处）
2.70 (0.106)
DIA 。
2.29 (0.090)
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