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上海Lunsure电子
科技有限公司
联系电话: 0086-21-37185008
传真: 0086-21-57152769
MBR1520CT
THRU
MBR15100CT
15安培
肖特基
特点
硅整流,多数Conducton的金属花色
保护环的瞬态保护
低正向压降
高电流能力,高效率
低功耗
垒整流器器
20至100伏特
TO-220AB
B
L
M
C
K
1
2
3
最大额定值
工作温度: -55 ° C至+ 150°C
存储温度: -55°C至+ 175℃
目录
MBR1520CT
MBR1530CT
MBR1535CT
MBR1540CT
MBR1545CT
MBR1560CT
MBR1580CT
MBR15100CT
最大
复发
反向峰值
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
最大
RMS
电压
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
56V
70V
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
D
A
E
F
G
I
J
N
H H
销1
3脚

MM

14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03


15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92

电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
1520CT-45CT
1560CT
1580CT-100CT
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
1520CT-45CT
1560CT-100CT
1520CT-45CT
1560CT
1580CT-100CT
I
F( AV )
I
FSM
15 A
150A
T
C
= 125°C
8.3ms的,半正弦

A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N

销2
V
F
.84V
.90V
.95V
I
FM
= 15A;
T
J
= 25°C
I
FM
= 16A
I
R
0.1mA
1.0mA
15mA
50mA
100mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
英寸



.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.090
.110
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
*脉冲测试:脉冲宽度300μsec ,占空比2 %
www.cnelectr.com
MBR1520CT通MBR15100CT
图1
典型的正向特性
100
60
40
20
1520CT-1545CT
10
6
4
2
25°C
1安培
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
.3
.4
.5
.6
.7
.8
瞬时正向电流 - 安培
正向电压 - 伏特
科幻gure 3
远期降额曲线
15
150
13
125
11
100
75
安培
7
25
5
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
0
25
50
75
°C
平均正向整流电流 - 安培
环境温度 -
°C
100
125
150
0
1
4
6
8 10
周期
峰值正向浪涌电流 - 安培
周期在60Hz数 - 周期
20
40
60 80 100
50
图4
峰值正向浪涌电流
瞬时反向漏电流 - 微安
%的额定峰值反向电压 - 伏特
1580-15100CT
.2
T
J
=25°C
毫安0.1
.06
.04
.02
.01
.006
.004
4
.002
.001
20
50
75
100
125 150
175
1560CT
10
6
4
2
1
.6
.4
图2
典型的反向特性
9
安培
2
www.cnelectr.com
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
MBR1520CT
THRU
MBR15100CT
15安培
肖特基
特点
硅整流,多数传导金属花色
保护环的瞬态保护
低正向压降
高电流能力,高效率
标记:型号数量
无铅涂层/符合RoHS (注1 ) ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
工作温度: -55 ° C至+ 150°C
存储温度: -55°C至+ 175℃
MCC
最大
最大
目录
复发
RMS
反向峰值
电压
电压
MBR1520CT
20V
14V
MBR1530CT
30V
21V
MBR1535CT
35V
24.5V
MBR1540CT
40V
28V
MBR1545CT
45V
31.5V
MBR1560CT
60V
42V
MBR1580CT
80V
56V
MBR15100CT
100V
70V
垒整流器器
20至100伏特
TO-220AB
B
F
C
S
Q
T
A
U
1 2
H
K
3
最大额定值
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
L
G
N
销1
V
D
J
R
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
1520CT-45CT
1560CT
1580CT-100CT
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
1520CT-45CT
1560CT-100CT
1520CT-45CT
1560CT
1580CT-100CT
I
F( AV )
I
FSM
15 A
150A
T
C
= 125°C
8.3ms的,半正弦
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
3脚
销2
V
F
.84V
.90V
.95V
I
FM
= 15A;
T
J
= 25°C
I
FM
= 16A
尺寸
英寸
MM
最大
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
I
R
0.1mA
1.0mA
15mA
50mA
100mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
注意事项: 1。高低温焊料豁免应用,见欧盟指令附件7 。
www.mccsemi.com
修改:
8
1第3
2008/01/01
MBR1520CT通MBR15100CT
图1
典型的正向特性
100
60
40
20
1520CT-1545CT
10
6
4
2
25°C
1安培
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
.3
.4
.5
.6
.7
.8
1580-15100CT
.2
T
J
=25°C
毫安0.1
.06
.04
.02
.01
.006
.004
4
.002
.001
20
50
75
1560CT
10
6
4
2
1
.6
.4
MCC
TM
图2
微型商业组件
典型的反向特性
100
125 150
175
瞬时正向电流 - Amperesversus
正向电压 - 伏特
科幻gure 3
远期降额曲线
15
瞬时反向漏电流 - 微安
%的额定峰值反向电压 - 伏特
图4
峰值正向浪涌电流
150
13
125
11
100
75
安培
7
25
5
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
25
50
75
°C
平均正向整流电流 - 安培
环境温度 -
°C
100
125
150
0
1
2
4
6
8 10
周期
峰值正向浪涌电流 - 安培
周期在60Hz数 - 周期
20
40
60 80 100
50
9
安培
0
0
www.mccsemi.com
修改:
8
2 3
2008/01/01
MCC
TM
微型商业组件
订购信息
设备
(品名) -BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改,恕不另行通知任何权
此产品进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利,也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上,反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学,
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修改:
8
3 3
2008/01/01
MBR1530CT通MBR1545CT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
尺寸TO- 220AB
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR1530CT
MBR1535CT
MBR1540CT
MBR1545CT
符号
I
(AV)
I
FSM
dv / dt的
V
F
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
15
150
10000
I
F
= 7.5A @T
J
=125
o
C
I
F
= 15A @T
J
=25
o
C
I
F
= 15A @T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.57
0.84
0.72
0.1
15
3.0
400
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
变化的电压率(额定V
R
)
最大正向
电压(注1 )
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻(注2 )
典型结电容每元(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
mA
o
C / W
pF
o
o
C
C
注: 1。 300US脉冲宽度,占空比2 % 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AB模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意
MBR1530CT通MBR1545CT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
15
峰值正向浪涌电流,
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
图2 - 最大非重复浪涌电流
150
125
100
75
50
25
0
1
2
5
10
20
50
100
10
5
电阻或
感性负载
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
100
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流( A)
瞬时
反向电流(毫安)
10
T
J
= 125 C
10
1.0
0.1
T
J
= 75 C
1.0
0.01
T
J
= 25 C
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1999额定峰值反向电压百分比(% )
T
J
= 25 C
脉宽300US
2 %的占空比
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向电压,伏
图5 - 典型结电容
10000
电容(PF )
1000
T
J
= 25°C , F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压,伏
BL
特点
银河电子
MBR1530CT - - - MBR15100CT
电压范围: 30 -
100
V
电流: 15 A
肖特基势垒整流器
高S恳请能力。
对我们来说, E在低电压,高频率逆变器,免费
111wheeling,
和极性保护应用。
金属源ilicon结,男ajority载流子导电。
高电流能力,低正向压降。
保护环,过电压保护。
TO-220AB
机械数据
CAS E: JEDEC TO - 220AB ,男olded PLAS抽动身体
长期inals :信息,S olderable每MIL -STD- 750 ,
1 1
方法2026
极性:米arked
POS银行足球比赛:任何
重量:
0.08盎司, 2.24克
mm
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单相半波,60赫兹,电阻或电感load.For容性负载,减免电流20 % 。
MBR
MBR
MBR膜生物反应器MBR膜生物反应器MBR膜生物反应器
单位
1530CT
1535CT 1540CT 1545CT 1550CT 1560CT 1580CT 15100CT
最大的经常峰值反向电压
最大RMS V oltage
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD总装置
m
整流电流@T
C
= 105°C
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
b
正弦-W AVE叠加在额定负荷
最大正向
电压
(注1 )
(I
F
=7.5A,T
C
=25
(I
F
=7.5A,T
C
=125
(I
F
= 15A ,T
C
=25
(I
F
=15A,T
C
=125
最大反向电流
在额定阻断电压DC
)
)
)
)
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
30
21
30
35
25
35
40
28
40
45
32
45
15
150
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
-
0.75
0.65
-
-
1.0
50
3.0
-
55
---- + 150
-
55
---- + 150
0.80
-
-
-
0.1
6.0
3)
mA
/W
V
V
F
0.57
0.84
0.72
0.1
15
@T
C
=25
@T
C
=125
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
最大热阻
(Note2)
工作结温范围
存储温度范围
注: 1.脉冲测试: 300μS脉冲宽度, 1 %的关税CY CLE 。
结2.热电阻的情况下。
3.T
C
=100
www.galaxycn.com
文档编号0267036
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - 峰值正向浪涌电流
平均正向输出电流,
安培
峰值正向浪涌电流,
MBR1530CT---MBR15100CT
图2 - 前降额曲线
150
15
120
安培
8.3ms单半正弦波
T
J
=125
12
90
9
60
6
30
3
0
1
0
25
50
75
100
125
150
10
100
循环次数的AT 60H的
Z
温度,
图3 - 典型正向特性
图4 - 典型的反向特性
瞬时正向电流,
瞬时反向电流,
毫安
10
MBR1550CT-MBR1560CT
MBR1530CT-MBR1545CT
2
0
0
1
0
0
MBR1530CT-MBR1545CT
MBR1580CT-MBR15100CT
安培
1
MBR1580CT-MBR15100CT,T
C
=100℃
10
MBR1550CT-MBR1560CT
.1
MBR1550CT-MBR1560CT
P ü LS东西ID吨H = 3 0 0
1 %D ü吨 乐
s
MBR1530CT-MBR1545CT,MBR1580CT-MBR15100CT
1
.
2
.
4
.
6
.
8
1.0
1 .
2
1 .
4
1 .
6
1 .
8
2.0
2.2
.01
T
C
=125℃
T
C
=25℃
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压
,%
正向电压,伏
www.galaxycn.com
文档编号0267036
BL
银河电子
2.
MBR1530CT - MBR1560CT
15A的肖特基势垒整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压,高频率逆变器,免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品,符合RoHS (注3 )
1
2
3
TO-220AB
L
B
C
D
K
A
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
14.48
10.00
2.54
5.90
2.80
12.70
2.40
0.69
3.54
4.07
1.15
0.30
2.04
最大
15.75
10.40
3.43
6.40
3.93
14.27
2.70
0.93
3.78
4.82
1.39
0.50
2.79
机械数据
案例: TO- 220AB
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:完成 - 亮锡。每焊
MIL- STD- 202方法208
极性:对人体标示
标记:型号数量
重量:2.24克数(大约)
J
E
G
N
H
J
K
L
M
N
H H
销1
销2
3脚
P
P
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
@ T
C
= 125°C
(注1 )
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压降
@ I
F
= 15A ,T
C
= 125°C
@ I
F
= 7.5A ,T
C
= 125°C
@ I
F
= 15A ,T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
(注2 )
(注1 )
平均整流输出电流
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
符号1530CT
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
30
21
MBR
1535CT
35
24.5
MBR
1540CT
40
28
MBR
1545CT
45
31.5
MBR
1550CT
50
35
MBR
1560CT
60
42
单位
V
V
A
A
15
150
0.72
0.57
0.84
0.1
15
300
1.7
1000
-65到+150
10,000
0.80
0.65
0.90
1.0
50
V
FM
I
RM
C
T
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
V
mA
pF
° C / W
V / ms的
°C
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型的总电容
典型热阻结到外壳
变化的电压率(额定V
R
)
工作和存储温度范围
注意事项:
1.热阻结到外壳上安装散热片。
a
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用,看
欧盟指令附件注5和7 。
DS23013牧师9 - 2
1第3
www.diodes.com
MBR1530CT - MBR1560CT
Diodes公司
20
50
I
(AV)
,平均正向电流( A)
16
I
F
瞬时正向电流(A)
MBR1530 - MBR1545
10
12
8
MBR1550 / MBR1560
1.0
4
0
0
50
100
150
T
C
,外壳温度(
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
300
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
4000
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
250
200
C
T
,电容(pF )
1000
150
100
50
0
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
100
100
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型的总电容(每件)
I
R
,瞬时反向电流(mA)
10
T
j
= 150
°
C
1.0
T
j
= 125
°
C
0.1
T
j
= 75
°
C
0.01
T
j
= 25
°
C
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
DS23013牧师9 - 2
2 3
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MBR1530CT - MBR1560CT
订购信息
设备
MBR15xxCT*
(注4 )
包装
TO-220AB
航运
50/Tube
* XX =设备类型,例如, MBR1545CT
注意事项:
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
DS23013牧师9 - 2
3 3
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MBR1530CT - MBR1560CT
东莞市华远电子有限公
东莞施华元电子有限公司。
电话
86-769-5335378
86-769-5305266
FEX 86-769-5316189
TO- 220塑封装晶体管
MBR1530CT-MBR1560CT
肖特基势垒整流器
特点
肖特基芯片
保护环片施工瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压,高频率逆变器,免费使用
续流和极性保护应用
TO—220
1.ANODE
2.CATHODE
123
3.ANODE
1
2
3
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
PMS反向电压
平均整流输出电流
(注1 )
@ T
=105℃
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
( JEDEC的方法)
@ I
=7.5A T
=125℃ 
@ T
= 25℃
@ T
=125℃
V
FM
I
RM
C
j
T
j
,T
英镑
-65
0.57
0.70
0.1
15
300
to
+150
0.65
0.75
1.0
50
V
mA
pF
I
FSM
150
A
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
21
24.5
28
15
31.5
35
42
V
A
30
35
40
45
50
60
V
2
除非
MBR
1530CT
否则
MBR
1535CT
特定网络版)
MBR
1545CT
MBR
1550CT
MBR
1560CT
单位
MBR
1540CT
                        @ I
=7.5A, T
= 25℃
典型结电容(注2 )
工作和存储温度范围
注:1.热阻结到外壳安装散热器。
2.测得1.OMHz和应用4.0VD的反向电压
TO- 220-3L封装外形尺寸
D
A
C1
φ
E1
F
L1
b1
E
A1
b
L
e
e1
C
符号
A
A1
b
b1
c
c1
D
E
E1
e
e1
F
L
L1
φ
单位:毫米
4.470
2.520
0.710
1.170
0.310
1.710
10.010
8.500
12.060
2.540TYP
4.980
2.590
13.400
3.560
3.790
5.180
2.890
13.800
3.960
3.890
最大
4.670
2.820
0.910
1.370
0.530
1.370
10.310
8.900
12.460
尺寸以英寸
最大
0.184
0.111
0.036
0.054
0.021
0.054
0.406
0.350
0.491
0.100TYP
0.196
0.102
0.528
0.140
0.149
0.204
0.114
0.543
0.156
0.153
1.176
0.099
0.028
0.046
0.012
0.046
0.394
0.335
0.475
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
MBR1520CT
THRU
MBR15100CT
15安培
肖特基
硅整流,多数Conducton的金属花色
保护环的瞬态保护
低正向压降
高电流能力,高效率
低功耗
垒整流器器
20至100伏特
TO-220AB
B
L
M
C
K
1
2
3
最大额定值
工作温度: -55 ° C至+ 150°C
存储温度: -55°C至+ 175℃
MCC
目录
MBR1520CT
MBR1530CT
MBR1535CT
MBR1540CT
MBR1545CT
MBR1560CT
MBR1580CT
MBR15100CT
最大
复发
反向峰值
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
最大
RMS
电压
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
56V
70V
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
D
A
E
F
G
I
J
N
H H
销1
3脚
销2
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
1520CT-45CT
1560CT
1580CT-100CT
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
1520CT-45CT
1560CT-100CT
1520CT-45CT
1560CT
1580CT-100CT
I
F( AV )
I
FSM
15 A
150A
T
C
= 125°C
8.3ms的,半正弦


A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N

MM

14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03


15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92

V
F
.84V
.90V
.95V
I
FM
= 15A;
T
J
= 25°C
I
FM
= 16A
I
R
0.1mA
1.0mA
15mA
50mA
100mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
英寸



.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.090
.110
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
*脉冲测试:脉冲宽度300μsec ,占空比2 %
www.mccsemi.com
MBR1520CT通MBR15100CT
图1
典型的正向特性
100
60
40
20
1520CT-1545CT
10
6
4
2
25°C
1安培
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
.3
.4
.5
.6
.7
.8
1580-15100CT
.2
T
J
=25°C
毫安0.1
.06
.04
.02
.01
.006
.004
4
.002
.001
20
50
75
1560CT
10
6
4
2
1
.6
.4
MCC
图2
典型的反向特性
100
125 150
175
瞬时正向电流 - 安培
正向电压 - 伏特
科幻gure 3
远期降额曲线
15
瞬时反向漏电流 - 微安
%的额定峰值反向电压 - 伏特
图4
峰值正向浪涌电流
150
13
125
11
100
75
安培
7
25
5
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
0
25
50
75
°C
平均正向整流电流 - 安培
环境温度 -
°C
100
125
150
0
1
4
6
8 10
周期
峰值正向浪涌电流 - 安培
周期在60Hz数 - 周期
20
40
60 80 100
50
9
安培
2
www.mccsemi.com
MBR1530CT - MBR1560CT
15A的肖特基势垒整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护应用
塑料材质:防火
分类额定值94V- 0
L
B
C
K
D
A
1
2
3
TO-220AB
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
14.22
9.65
2.54
5.84
12.70
2.29
0.51
3.53
3.56
1.14
0.30
2.03
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
2.79
1.14
4.09
4.83
1.40
0.64
2.92
E
J
N
G
H
J
K
L
M
N
P
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:对人体标示
标记:型号数量
重量:2.24克数(大约)
安装位置:任意
H H
PIN 1 +
PIN 2 -
PIN 3 +
+
P
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
@ T
C
= 125°C
(注1 )
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容
典型热阻结到外壳
变化的电压率(额定V
R
)
工作和存储温度范围
注意事项:
@ I
F
= 7.5A ,T
C
= 125°C
@ I
F
= 7.5A ,T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
(注2 )
(注1 )
平均整流输出电流
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
符号1530CT
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
30
21
MBR
1535CT
35
24.5
MBR
1540CT
40
28
MBR
1545CT
45
31.5
MBR
1550CT
50
35
MBR
1560CT
60
42
单位
V
V
A
A
15
150
0.57
0.70
0.1
15
300
1.7
1000
-65到+150
10,000
0.65
0.75
1.0
50
V
mA
pF
° C / W
V / ms的
°C
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
DS23013修订版F- 2
1 2
MBR1530CT - MBR1560CT
20
50
I
(AV)
,平均正向电流( A)
16
I
F
瞬时正向电流(A)
MBR1530 - MBR1545
10
12
8
MBR1550 / MBR1560
1.0
4
0
0.1
T
J
= 25
°
C
脉冲宽度= 300
s
2 %的占空比
0
50
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
C
,外壳温度(
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
300
250
200
150
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
4000
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
C
j
,电容(pF )
1000
100
50
0
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
100
100
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
I
R
,瞬时反向电流(mA)
10
T
j
= 150
°
C
1.0
T
j
= 125
°
C
0.1
T
j
= 75
°
C
0.01
T
j
= 25
°
C
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
DS23013修订版F- 2
2 2
MBR1530CT - MBR1560CT
MBR1530CT–MBR1560CT
Vishay的精简版,在功率半导体
15A的肖特基势垒整流器
特点
D
肖特基芯片
D
保护环死构建适应和支持瞬态
保护
D
低功耗,高效率
D
高电流能力和低正向电压
D
高浪涌能力
D
在低电压,高频率逆变器,
续流和极性保护
应用
95 9630
D
塑料材料 - UL认证防火
分类94V- 0
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向重复峰值电压
g
=工作峰值反向电压
DC阻断LT
= B1中的直流电压き
TEST
条件
TYPE
MBR1530CT
MBR1535CT
MBR1540CT
MBR1545CT
MBR1550CT
MBR1560CT
T
C
=125
°
C
符号
V
RRM
=V
RWM
V
=V
R
价值
30
35
40
45
50
60
150
15
–65...+150
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
°
C
峰值正向浪涌电流
平均正向电流
结温和存储温度范围
I
FSM
I
FAV
T
j
=T
英镑
牧师A2 , 24军, 98
1 (5)
MBR1530CT–MBR1560CT
Vishay的精简版,在功率半导体
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
g
测试条件
I
F
= 7.5A ,T
C
=125
°
C
I
F
= 15A ,T
C
=25
°
C
I
F
= 15A ,T
C
=125
°
C
I
F
= 7.5A ,T
C
=125
°
C
I
F
= 15A ,T
C
=25
°
C
I
F
= 15A ,T
C
=125
°
C
T
C
=25
°
C
T
C
=125
°
C
T
C
=25
°
C
T
C
=125
°
C
V
R
= 4V , F = 1MHz的
T
L
=常数。
TYPE
符号最小值典型值
MBR1530CT
V
F
–MBR1545CT
V
F
V
F
MBR1550CT
V
F
–MBR1560CT
V
F
V
F
MBR1530CT
I
R
–MBR1545CT
I
R
MBR1550CT
I
R
–MBR1560CT
I
R
C
D
300
R
thJC
1.7
MBR1530CT
–MBR1540CT
MBR1545CT
–MBR1560CT
dv / dt的
dv / dt的
最大
0.57
0.84
0.72
0.65
0.90
0.80
0.1
15
1.0
50
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
pF
K / W
K / W
反向电流
二极管电容
热阻
结到外壳
变化的电压率
(额定V
R
)
1000
10000 K / W
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明)
I
FAV
- 平均正向电流( A)
20
16
12
I
F
- 正向电流( A)
50
中T = 25℃
j
I
F
脉冲宽度= 300
s
2 %的占空比
10
MBR1530 - MBR1545
8
1.0
MBR1550 - MBR1560
4
0
0
50
100
150
0.1
0.2
15342
0.4
0.6
0.8
1.0
15341
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
F
- 正向电压( V)
图1.最大。平均正向电流与
环境温度
图2.典型。正向电流与正向电压
2 (5)
牧师A2 , 24军, 98
MBR1530CT–MBR1560CT
Vishay的精简版,在功率半导体
I
FSM
- 峰值正向浪涌电流( A)
300
I
R
- 反向电流(mA )
250
200
150
100
50
0
1
15343
10
T
j
= 150°C
1.0
T
j
= 125°C
0.1
0.01
T
j
= 75°C
T
j
= 25°C
10
循环次数在60赫兹
100
15345
0.001
0
20
40
60
80
100 120 140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图3.最大。峰值正向浪涌电流与
周期数
4000
C
D
- 二极管电容(pF )
图5.典型。反向的电流与百分比
额定峰值反向电压
T
j
= 25°C
F = 1 MHz的
VSIG = 50mV的P-P
1000
100
0.1
15344
1.0
10
100
V
R
- 反向电压( V)
图4.典型。二极管电容与反向电压
牧师A2 , 24军, 98
3 (5)
MBR1530CT–MBR1560CT
Vishay的精简版,在功率半导体
尺寸(mm)
14468
案例:模压塑料
极性:对人体标示
约。重量: 2.24克
安装位置:任意
标记:型号数量
4 (5)
牧师A2 , 24军, 98
MBR1530CT–MBR1560CT
Vishay的精简版,在功率半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到已知的大气中
臭氧消耗物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的
申请时,买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,因
直接或间接的个人损害,伤害或死亡索赔等意外或相关
未经授权的使用。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
牧师A2 , 24军, 98
5 (5)
MBR1530CT通MBR1545CT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
尺寸TO- 220AB
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR1530CT
MBR1535CT
MBR1540CT
MBR1545CT
符号
I
(AV)
I
FSM
dv / dt的
V
F
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
15
150
10000
I
F
= 7.5A @T
J
=125
o
C
I
F
= 15A @T
J
=25
o
C
I
F
= 15A @T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.57
0.84
0.72
0.1
15
3.0
400
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
变化的电压率(额定V
R
)
最大正向
电压(注1 )
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻(注2 )
典型结电容每元(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
mA
o
C / W
pF
o
o
C
C
注: 1。 300US脉冲宽度,占空比2 % 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AB模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意
MBR1530CT通MBR1545CT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
15
峰值正向浪涌电流,
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
图2 - 最大非重复浪涌电流
150
125
100
75
50
25
0
1
2
5
10
20
50
100
10
5
电阻或
感性负载
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
100
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流( A)
瞬时
反向电流(毫安)
10
T
J
= 125 C
10
1.0
0.1
T
J
= 75 C
1.0
0.01
T
J
= 25 C
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1999额定峰值反向电压百分比(% )
T
J
= 25 C
脉宽300US
2 %的占空比
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向电压,伏
图5 - 典型结电容
10000
电容(PF )
1000
T
J
= 25°C , F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压,伏
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