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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第937页 > MBR140SFT3
MBR140SFT1
表面贴装
肖特基功率整流器
塑料SOD- 123封装
。 。 。利用肖特基势垒原则具有大面积
金属与硅功率二极管。非常适用于低电压，高
高频整流或续流和极性保护
二极管表面贴装应用中，紧凑的尺寸和重量
对于系统的关键。这个包还提供了一个简单的工作
与替代无铅34封装形式。由于其体积小，
它非常适合于便携式和电池供电产品，如使用
蜂窝和无绳电话，充电器，笔记本电脑，打印机，
掌上电脑和PCMCIA卡。典型的应用是交流/直流和直流 - 直流
转换器，电池反接保护，以及多电源的“ O型圈”
电压和任何其它应用中的性能和尺寸都
关键的。国家的最先进的这些设备具有以下特点：
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
1.0安培
40伏
Guardring应力保护
低正向电压
125°C的工作结温
环氧会见UL94 ， V0 1/8 “
包装最优设计自动化委员会汇编
ESD额定值：机器型号，C
ESD额定值：
人体模型， 3B
SOD123FL
CASE 498
塑料
器件标识
机械特性
卷轴选项： MBR140SFT1 = 3000元7 “卷轴/ 8毫米磁带
卷轴选项：
MBR140SFT3 = 10,000元13 “卷轴/ 8毫米磁带
器件标识： L4F
极性代号：负极带
重量： 11.7毫克（大约）
案例：环氧树脂，模压
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
L4F
D
L4F
D
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
MBR140SFT1
MBR140SFT3
包
SOD123FL
航运
3000 /磁带&卷轴
SOD- 123FL万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年9月 - 第2版
出版订单号：
MBR140SFT1/D
MBR140SFT1
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均整流正向电流（额定V
R
, T
L
= 112°C)
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 100千赫，T
L
= 95°C)
非重复性峰值浪涌电流
（非重复峰值浪涌电流，半波，单相， 60赫兹）
储存温度
工作结温
变化的电压率（额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
J
dv / dt的
价值
40
单位
V
1.0
2.0
30
-55到150
-55至125
10,000
A
A
A
°C
°C
V / ms的
热特性
热电阻 - 结到铅（注1 ）
热电阻 - 结到铅（注2 ）
热电阻 - 结到环境（注1 ）
热电阻 - 结到环境（注2 ）
1.安装有最低建议焊盘尺寸， PC板FR4 。
2.在装有1 。铜垫（铜面积700毫米
2
).
R
TJL
R
TJL
R
TJA
R
TJA
26
21
325
82
° C / W
电气特性
最大正向电压（注3 ） ，参见图2
(I
F
= 0.1 A)
(I
F
= 1.0 A)
(I
F
= 3.0 A)
最大瞬时反向电流（注3 ） ，参见图4
(V
R
= 40 V)
(V
R
= 20 V)
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
s,
占空比
≤
2%.
I
R
V
F
T
J
= 25°C
0.36
0.55
0.85
T
J
= 25°C
0.5
0.15
T
J
= 85°C
0.30
0.515
0.88
T
J
= 85°C
25
18
mA
V
http://onsemi.com
2
MBR140SFT1
i
F
，正向电流（安培）
100
I
F
，正向电流（安培）
10
10
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
T
J
= 40°C
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
v
F
，正向电压（伏）
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
V
F
，最大正向电压
（伏）
图1.典型正向电压
I
R
，最大反向电流（安培）
图2.最大正向电压
100E3
I
R
，反向电流（ AMPS ）
T
J
= 125°C
T
J
= 85°C
1.0E+0
10E3
100E3
T
J
= 85°C
10E3
1.0E3
100E6
T
J
= 25°C
10E6
1.0E3
T
J
= 25°C
100E6
1.0E6
0
10E6
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
图3.典型的反向电流
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25 35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
L
，焊接温度（ ° C）
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
dc
方
WAVE
I
pk
/I
o
=
p
I
pk
/I
o
= 5
P
FO
，平均功耗（瓦）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
图4.最大反向电流
I
O
，平均正向电流（安培）
FREQ = 20千赫
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
I
pk
/I
o
=
p
方
I
pk
/I
o
= 5
WAVE
dc
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
O
，平均正向电流（安培）
图5.电流降额
图6.前向功率耗散
http://onsemi.com
3
MBR140SFT1
1000
T
J
，降级运行
温度（℃）
125
R
qJA
= 25.6 ° C / W
115
130°C/W
105
324.9°C/W
95
85
235°C/W
75
65
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
R
，反向电压（伏）
55
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
R
，采用直流反接电压（伏）
C，电容（pF ）
T
J
= 25°C
100
图7.电容
图8.典型工作温度
降额*
*反向功耗和热失控的可能性，必须在任何重新操作此设备时，应考虑
诗句电压条件下。的T计算
J
因此，必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
T
J
可以由下式计算：
T
J
= T
JMAX
- R（T） （ Pf的+ Pr的），其中
R（T ）=在给定条件下的热阻抗，
PF =正向功耗，
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许的牛逼
J
由于仅直流条件下反向偏压并且被计算为T
J
= T
JMAX
- R（T ） PR，
其中，r （t）的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
R（T ） ，瞬态热阻
1000
D = 0.5
100
0.2
0.1
0.05
P
（ PK）
0.01
1
单脉冲
0.1
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
100
1000
测试类型>闽垫<管芯尺寸38x38 @ 75 ％密尔
t
1
t
2
10
占空比D = T
1
/t
2
qJA
= 321.8
° C / W
图9.热响应
http://onsemi.com
4
MBR140SFT1
包装尺寸
SOD123LF
CASE 498-01
发行
B
L
E
A
H
C
D
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括塑模
闪光灯。
4.尺寸D和J来衡量
上引平部分： 0.10之间
和0.25毫米的导管尖端。
暗淡
A
B
C
D
E
H
J
K
L
MILLIMETERS
民
最大
1.50
1.80
2.50
2.90
0.90
1.00
0.70
1.10
0.55
0.95
0.00
0.10
0.10
0.20
3.40
3.80
0
°
8
°
英寸
民
最大
0.059
0.071
0.098
0.114
0.035
0.039
0.028
0.043
0.022
0.037
0.000
0.004
0.004
0.008
0.134
0.150
0
°
8
°
极性检测指示灯
根据系统需要可选
K
L
J
http://onsemi.com
5
MBR140SFT1
表面贴装
肖特基功率整流器
塑料SOD- 123封装
。 。 。利用肖特基势垒原则具有大面积
金属与硅功率二极管。非常适用于低电压，高
高频整流或续流和极性保护
二极管表面贴装应用中，紧凑的尺寸和重量
对于系统的关键。这个包还提供了一个简单的工作
与替代无铅34封装形式。由于其体积小，
它非常适合于便携式和电池供电产品，如使用
蜂窝和无绳电话，充电器，笔记本电脑，打印机，
掌上电脑和PCMCIA卡。典型的应用是交流/直流和直流 - 直流
转换器，电池反接保护，以及多电源的“ O型圈”
电压和任何其它应用中的性能和尺寸都
关键的。国家的最先进的这些设备具有以下特点：
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
1.0安培
40伏
Guardring应力保护
低正向电压
125°C的工作结温
环氧会见UL94 ， V0 1/8 “
包装最优设计自动化委员会汇编
ESD额定值：机器型号，C
ESD额定值：
人体模型， 3B
SOD123FL
CASE 498
塑料
器件标识
机械特性
卷轴选项： MBR140SFT1 = 3000元7 “卷轴/ 8毫米磁带
卷轴选项：
MBR140SFT3 = 10,000元13 “卷轴/ 8毫米磁带
器件标识： L4F
极性代号：负极带
重量： 11.7毫克（大约）
案例：环氧树脂，模压
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
L4F
D
L4F
D
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
MBR140SFT1
MBR140SFT3
包
SOD123FL
航运
3000 /磁带&卷轴
SOD- 123FL万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年9月 - 第2版
出版订单号：
MBR140SFT1/D
MBR140SFT1
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均整流正向电流（额定V
R
, T
L
= 112°C)
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 100千赫，T
L
= 95°C)
非重复性峰值浪涌电流
（非重复峰值浪涌电流，半波，单相， 60赫兹）
储存温度
工作结温
变化的电压率（额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
J
dv / dt的
价值
40
单位
V
1.0
2.0
30
-55到150
-55至125
10,000
A
A
A
°C
°C
V / ms的
热特性
热电阻 - 结到铅（注1 ）
热电阻 - 结到铅（注2 ）
热电阻 - 结到环境（注1 ）
热电阻 - 结到环境（注2 ）
1.安装有最低建议焊盘尺寸， PC板FR4 。
2.在装有1 。铜垫（铜面积700毫米
2
).
R
TJL
R
TJL
R
TJA
R
TJA
26
21
325
82
° C / W
电气特性
最大正向电压（注3 ） ，参见图2
(I
F
= 0.1 A)
(I
F
= 1.0 A)
(I
F
= 3.0 A)
最大瞬时反向电流（注3 ） ，参见图4
(V
R
= 40 V)
(V
R
= 20 V)
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
s,
占空比
≤
2%.
I
R
V
F
T
J
= 25°C
0.36
0.55
0.85
T
J
= 25°C
0.5
0.15
T
J
= 85°C
0.30
0.515
0.88
T
J
= 85°C
25
18
mA
V
http://onsemi.com
2
MBR140SFT1
i
F
，正向电流（安培）
100
I
F
，正向电流（安培）
10
10
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
T
J
= 40°C
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
v
F
，正向电压（伏）
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
V
F
，最大正向电压
（伏）
图1.典型正向电压
I
R
，最大反向电流（安培）
图2.最大正向电压
100E3
I
R
，反向电流（ AMPS ）
T
J
= 125°C
T
J
= 85°C
1.0E+0
10E3
100E3
T
J
= 85°C
10E3
1.0E3
100E6
T
J
= 25°C
10E6
1.0E3
T
J
= 25°C
100E6
1.0E6
0
10E6
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
图3.典型的反向电流
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25 35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
L
，焊接温度（ ° C）
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
dc
方
WAVE
I
pk
/I
o
=
p
I
pk
/I
o
= 5
P
FO
，平均功耗（瓦）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
图4.最大反向电流
I
O
，平均正向电流（安培）
FREQ = 20千赫
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
I
pk
/I
o
=
p
方
I
pk
/I
o
= 5
WAVE
dc
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
O
，平均正向电流（安培）
图5.电流降额
图6.前向功率耗散
http://onsemi.com
3
MBR140SFT1
1000
T
J
，降级运行
温度（℃）
125
R
qJA
= 25.6 ° C / W
115
130°C/W
105
324.9°C/W
95
85
235°C/W
75
65
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
R
，反向电压（伏）
55
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
R
，采用直流反接电压（伏）
C，电容（pF ）
T
J
= 25°C
100
图7.电容
图8.典型工作温度
降额*
*反向功耗和热失控的可能性，必须在任何重新操作此设备时，应考虑
诗句电压条件下。的T计算
J
因此，必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
T
J
可以由下式计算：
T
J
= T
JMAX
- R（T） （ Pf的+ Pr的），其中
R（T ）=在给定条件下的热阻抗，
PF =正向功耗，
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许的牛逼
J
由于仅直流条件下反向偏压并且被计算为T
J
= T
JMAX
- R（T ） PR，
其中，r （t）的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
R（T ） ，瞬态热阻
1000
D = 0.5
100
0.2
0.1
0.05
P
（ PK）
0.01
1
单脉冲
0.1
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
100
1000
测试类型>闽垫<管芯尺寸38x38 @ 75 ％密尔
t
1
t
2
10
占空比D = T
1
/t
2
qJA
= 321.8
° C / W
图9.热响应
http://onsemi.com
4
MBR140SFT1
包装尺寸
SOD123LF
CASE 498-01
发行
B
L
E
A
H
C
D
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括塑模
闪光灯。
4.尺寸D和J来衡量
上引平部分： 0.10之间
和0.25毫米的导管尖端。
暗淡
A
B
C
D
E
H
J
K
L
MILLIMETERS
民
最大
1.50
1.80
2.50
2.90
0.90
1.00
0.70
1.10
0.55
0.95
0.00
0.10
0.10
0.20
3.40
3.80
0
°
8
°
英寸
民
最大
0.059
0.071
0.098
0.114
0.035
0.039
0.028
0.043
0.022
0.037
0.000
0.004
0.004
0.008
0.134
0.150
0
°
8
°
极性检测指示灯
根据系统需要可选
K
L
J
http://onsemi.com
5
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MSM519200-80SJ
MI-P5RK-MYY
MXP3000
MLL5533D-1
MR-2021
MI-P5J-MWX
MI-P22J-IXV
MI-P5RY-MXZ
MAX550BCPA
M74HC21B1R
MXR-8RD-6PD
M4A3-384/192-12FAC
MAX17015ETP
MA50101GBN
MR2S16ACYS35
M93C46
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