MBR120VLSFT1
表面贴装
肖特基功率整流器
塑料SOD- 123封装
这个装置使用了肖特基原理具有大面积
金属与硅功率二极管。非常适用于低电压，高
高频整流或续流和极性保护
二极管表面贴装应用中，紧凑的尺寸和重量
对于系统的关键。这个包还提供了一个简单的工作
与替代无铅34封装形式。由于其体积小，
它非常适合于便携式和电池供电产品，如使用
蜂窝和无绳电话，充电器，笔记本电脑，打印机，
掌上电脑和PCMCIA卡。典型的应用是AC-DC和
DC-DC变换器，反向电池保护，和“或门”的
多个电源电压和任何其它应用中的性能
和大小是至关重要的。
特点
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肖特基势垒
整流器器
1.0安培
20伏
Guardring应力保护
优化非常低正向电压
125°C的工作结温
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
包装最优设计自动化委员会汇编
ESD额定值：机器型号，C ;
人体模型， 3B
无铅包可用
机械特性
SOD123FL
CASE 498
塑料
标记图
卷轴选项： MBR120VLSFT1 = 3000元7 “卷轴/ 8毫米磁带
MBR120VLSFT3 = 10,000元13 “卷轴/ 8毫米磁带
器件标识： L2V
极性代号：负极带
重量： 11.7毫克（大约）
案例：环氧树脂，模压
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
器件符合MSL 1的要求
L2V
M
G
G
L2V =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MBR120VLSFT1
MBR120VLSFT1G
MBR120VLSFT3
MBR120VLSFT3G
包
SOD123FL
SOD123FL
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
SOD- 123FL 10000 /磁带&卷轴
SOD- 123FL 10000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 第2版
出版订单号：
MBR120VLSFT1/D
MBR120VLSFT1
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
) T
L
= 119°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相， 60赫兹）
存储温度范围
工作结温
变化的电压率（额定V
R
)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
dv / dt的
价值
20
单位
V
1.0
45
-65到+125
-65到+125
1000
A
A
°C
°C
V / ms的
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
特征
热电阻 - 结到铅（注1 ）
热电阻 - 结到铅（注2 ）
热电阻 - 结到环境（注1 ）
热电阻 - 结到环境（注2 ）
1.安装有最低建议焊盘尺寸， PC板FR4 。
2.在装有1 。铜垫（铜面积700毫米
2
).
符号
R
TJL
R
TJL
R
TJA
R
TJA
价值
26
21
325
82
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注3 ）
(I
F
= 0.1 A)
(I
F
= 0.5 A)
(I
F
= 1.0 A)
最大瞬时反向电流（注3 ）
（额定直流电压）
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2%.
符号
V
F
0.275
0.315
0.340
I
R
0.60
15
0.205
0.270
0.300
mA
T
J
= 255C
T
J
= 855C
单位
V
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2
MBR120VLSFT1
500
T
J
= 25°C
T
J
，降级运行
温度（℃）
C，电容（pF ）
400
125
120
115
110
105
100
95
90
85
80
75
70
65
0
324.9°C/W
400°C/W
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
20
130°C/W
R
qJA
= 25.6 ° C / W
300
200
235°C/W
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，采用直流反接电压（伏）
图7.电容
图8.典型工作温度
降额*
*反向功耗和热失控的可能性，必须在任何重新操作此设备时，应考虑
诗句电压条件下。的T计算
J
因此，必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
T
J
可以由下式计算：
T
J
= T
JMAX
- R（T） （ Pf的+ Pr的），其中
R（T ）=在给定条件下的热阻抗，
PF =正向功耗，
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许的牛逼
J
由于仅直流条件下反向偏压并且被计算为T
J
= T
JMAX
- R（T ） PR，
其中，r （t）的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
R（T ） ，瞬态热阻
1000
D = 0.5
100
0.2
0.1
0.05
P
（ PK）
0.01
1
单脉冲
测试类型>闽垫<管芯尺寸38x38 @ 75 ％密尔
0.1
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
100
1000
t
1
t
2
10
占空比D = T
1
/t
2
qJA
= 321.8
° C / W
图9.热响应
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4
QQ：2881677436 复制
