MBR120LSFT1
表面贴装
肖特基功率整流器
塑料SOD- 123封装
这个装置使用了肖特基原理具有大面积
金属与硅功率二极管。非常适用于低电压，高
高频整流或续流和极性保护
二极管表面贴装应用中，紧凑的尺寸和重量
对于系统的关键。这个包还提供了一个简单的工作
与替代无铅34封装形式。由于其体积小，
它非常适合于便携式和电池供电产品，如使用
蜂窝和无绳电话，充电器，笔记本电脑，打印机，
掌上电脑和PCMCIA卡。典型的应用是AC-DC和
DC-DC变换器，反向电池保护，和“或门”的
多个电源电压和任何其它应用中的性能
和大小是至关重要的。
特点
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
1.0安培
20伏
Guardring应力保护
低正向电压
125°C的工作结温
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
包装最优设计自动化委员会汇编
ESD额定值：机器型号，C
人体模型， 3B
无铅包可用
机械特性
SOD123FL
CASE 498
塑料
标记图
卷轴选项： MBR120LSFT1 = 3000元7 “卷轴/ 8毫米磁带
MBR120LSFT3 = 10,000元13 “卷轴/ 8毫米磁带
器件标识： L2L
极性代号：负极带
重量： 11.7毫克（大约）
案例：环氧树脂，模压
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
L2L
M
G
G
L2L
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MBR120LSFT1
包
航运
SOD- 123FL 3000 /磁带&卷轴
MBR120LSFT1G SOD- 123FL 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
MBR120LSFT3
SOD- 123FL 10000 /磁带&卷轴
MBR120LSFT3G SOD- 123FL 10000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 第2版
出版订单号：
MBR120LSFT1/D
MBR120LSFT1
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均整流正向电流（额定V
R
, T
L
= 115°C)
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 100千赫，T
L
= 110°C)
非重复性峰值浪涌电流
（非重复峰值浪涌电流，半波，单相， 60赫兹）
储存温度
工作结温
变化的电压率（额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
J
dv / dt的
价值
20
单位
V
1.0
2.0
50
-55到150
-55至125
10,000
A
A
A
°C
°C
V / ms的
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
等级
热电阻 - 结到铅（注1 ）
热电阻 - 结到铅（注2 ）
热电阻 - 结到环境（注1 ）
热电阻 - 结到环境（注2 ）
1.安装有最低建议焊盘尺寸， PC板FR4 。
2.在装有1 。铜垫（铜面积700毫米
2
).
符号
R
TJL
R
TJL
R
TJA
R
TJA
价值
26
21
325
82
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压（注3 ） ，参见图2
(I
F
= 0.1 A)
(I
F
= 1.0 A)
(I
F
= 3.0 A)
最大瞬时反向电流（注3 ） ，参见图4
(V
R
= 20 V)
(V
R
= 10 V)
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
女士，
占空比
≤
2%.
I
R
V
F
T
J
= 25°C
0.34
0.45
0.65
T
J
= 25°C
0.40
0.10
T
J
= 85°C
0.26
0.415
0.67
T
J
= 85°C
25
18
mA
V
http://onsemi.com
2
MBR120LSFT1
1000
T
J
，降级运行
温度（℃）
125
120
115
110
105
100
95
90
85
80
75
70
65
0
2.0
4.0
6.0
324.9°C/W
400°C/W
8.0
10
12
14
16
18
20
R
qJA
= 25.6 ° C / W
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
130°C/W
235°C/W
10
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
20
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，采用直流反接电压（伏）
图7.电容
图8.典型工作温度
降额*
*反向功耗和热失控的可能性，必须在任何重新操作此设备时，应考虑
诗句电压条件下。的T计算
J
因此，必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
T
J
可以由下式计算：
T
J
= T
JMAX
- R（T） （ Pf的+ Pr的），其中
R（T ）=在给定条件下的热阻抗，
PF =正向功耗，
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许的牛逼
J
由于仅直流条件下反向偏压并且被计算为T
J
= T
JMAX
- R（T ） PR，
其中，r （t）的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
R（T ） ，瞬态热阻
1000
D = 0.5
100
0.2
0.1
0.05
P
（ PK）
0.01
1
单脉冲
测试类型>闽垫<管芯尺寸38x38 @ 75 ％密尔
0.1
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
100
1000
t
1
t
2
10
占空比D = T
1
/t
2
qJA
= 321.8
° C / W
图9.热响应
http://onsemi.com
4
MBR120LSFT1
表面贴装
肖特基功率整流器
塑料SOD- 123封装
。 。 。利用肖特基势垒原则具有大面积
金属与硅功率二极管。非常适用于低电压，高
高频整流或续流和极性保护
二极管表面贴装应用中，紧凑的尺寸和重量
对于系统的关键。这个包还提供了一个简单的工作
与替代无铅34封装形式。由于其体积小，
它非常适合于便携式和电池供电产品，如使用
蜂窝和无绳电话，充电器，笔记本电脑，打印机，
掌上电脑和PCMCIA卡。典型的应用是交流/直流和直流 - 直流
转换器，电池反接保护，以及多电源的“ O型圈”
电压和任何其它应用中的性能和尺寸都
关键的。国家的最先进的这些设备具有以下特点：
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
1.0安培
20伏
Guardring应力保护
低正向电压
125°C的工作结温
环氧会见UL94 ， V0 1/8 “
包装最优设计自动化委员会汇编
ESD额定值：机器型号，C
ESD额定值：
人体模型， 3B
SOD–123FL
CASE 498
塑料
器件标识
机械特性
卷轴选项： MBR120LSFT1 = 3000元7 “卷轴/ 8毫米磁带
卷轴选项：
MBR120LSFT3 = 10,000元13 “卷轴/ 8毫米磁带
器件标识： L2L
极性代号：负极带
重量： 11.7毫克（大约）
案例：环氧树脂，模压
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
L2L
D
L2L
D
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
包
航运
3000 /磁带&卷轴
MBR120LSFT1 SOD- 123FL
MBR120LSFT3 SOD- 123FL万/磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年10月 - 第1版
出版订单号：
MBR120LSFT1/D
MBR120LSFT1
1000
T
J
，降级运行
温度（℃）
125
120
115
110
105
100
95
90
85
80
75
70
65
0
2.0
4.0
6.0
324.9°C/W
400°C/W
8.0
10
12
14
16
18
20
R
qJA
= 25.6 ° C / W
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
130°C/W
235°C/W
10
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
20
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，采用直流反接电压（伏）
图7.电容
图8.典型工作温度
降额*
*反向功耗和热失控的可能性，必须在任何重新操作此设备时，应考虑
诗句电压条件下。的T计算
J
因此，必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
T
J
= T
JMAX
- R（T） （ Pf的+ Pr的），其中
T
J
可以由下式计算：
R（T ）=在给定条件下的热阻抗，
PF =正向功耗，
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许的牛逼
J
由于仅直流条件下反向偏压并且被计算为T
J
= T
JMAX
- R（T ） PR，
其中，r （t）的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
R（T ） ，瞬态热阻
1000
D = 0.5
100
0.2
0.1
0.05
P
（ PK）
0.01
1
单脉冲
0.1
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
100
1000
测试类型>闽垫<管芯尺寸38x38 @ 75 ％密尔
t
1
t
2
10
占空比D = T
1
/t
2
qJA
= 321.8
° C / W
图9.热响应
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
