MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
新产品
威世半导体
转。电压
90 100V
正向电流
10A
双高压肖特基整流器
ITO - 220AB （ MBRF10H90CT ， MBRF10H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
TO- 220AB （ MBR10H90CT ， MBR10H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
3脚
销2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
尺寸以英寸
（毫米）
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB10H90CT ， MBRB10H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
0.42
(10.66)
0.245 (6.22)
民
K
安装垫
布局
TO-263AB
0.63
(17.02)
0.33
(8.38)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.12
(3.05)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
机械数据
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
适用于低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
文档编号88668
24-Apr-03
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR10H90CT
90
90
90
10
5
150
0.5
MBR10H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
在T
C
= 105°C
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
at
at
at
at
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
5.0A ，T
J
= 25°C
5.0A ，T
J
= 125°C
10A ，T
J
= 25°C
10A ，T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
符号
价值
0.76
0.61
0.85
0.71
3.5
4.5
单位
V
F
V
A
mA
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
（注4 ）
I
R
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每腿典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.2
MBRF
4.2
MBRB
2.2
单位
O
C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR10H90CT ， MBR10100CT
MBRF10H90CT ， MBRF10100CT
MBRB10H90CT ， MBRB10100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
文档编号88668
24-Apr-03
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
6.0
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向降额曲线
每腿
175
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
5.0
150
4.0
125
100
75
50
25
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
F
- 正向电流（A ）
100
T
J
= 175°C
10
T
J
= 150°C
10000
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
1000
T
J
= 150°C
125°C
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
100
100°C
10
1
0.1
25°C
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
0.1
T
J
= 25°C
T
J
= – 40°C
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0.01
0.01
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
每腿
1000
100
图。 6 - 典型瞬态
每腿热阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
反向电压（ V）
文档编号88668
24-Apr-03
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
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MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
新产品
威世半导体
转。电压
90 100V
正向电流
10A
双高压肖特基整流器
ITO - 220AB （ MBRF10H90CT ， MBRF10H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
TO- 220AB （ MBR10H90CT ， MBR10H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
3脚
销2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
尺寸以英寸
（毫米）
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB10H90CT ， MBRB10H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
0.42
(10.66)
0.245 (6.22)
民
K
安装垫
布局
TO-263AB
0.63
(17.02)
0.33
(8.38)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.12
(3.05)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
机械数据
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
适用于低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
文档编号88668
24-Apr-03
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
www.vishay.com
1
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR10H90CT
90
90
90
10
5
150
0.5
MBR10H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
在T
C
= 105°C
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
at
at
at
at
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
5.0A ，T
J
= 25°C
5.0A ，T
J
= 125°C
10A ，T
J
= 25°C
10A ，T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
符号
价值
0.76
0.61
0.85
0.71
3.5
4.5
单位
V
F
V
A
mA
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
（注4 ）
I
R
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每腿典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.2
MBRF
4.2
MBRB
2.2
单位
O
C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR10H90CT ， MBR10100CT
MBRF10H90CT ， MBRF10100CT
MBRB10H90CT ， MBRB10100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
文档编号88668
24-Apr-03
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
6.0
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向降额曲线
每腿
175
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
5.0
150
4.0
125
100
75
50
25
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
F
- 正向电流（A ）
100
T
J
= 175°C
10
T
J
= 150°C
10000
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
1000
T
J
= 150°C
125°C
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
100
100°C
10
1
0.1
25°C
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
0.1
T
J
= 25°C
T
J
= – 40°C
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0.01
0.01
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
每腿
1000
100
图。 6 - 典型瞬态
每腿热阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
反向电压（ V）
文档编号88668
24-Apr-03
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
www.vishay.com
3
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
新产品
威世半导体
转。电压
90 100V
正向电流
10A
双高压肖特基整流器
ITO - 220AB （ MBRF10H90CT ， MBRF10H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
TO- 220AB （ MBR10H90CT ， MBR10H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
3脚
销2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
尺寸以英寸
（毫米）
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB10H90CT ， MBRB10H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
0.42
(10.66)
0.245 (6.22)
民
K
安装垫
布局
TO-263AB
0.63
(17.02)
0.33
(8.38)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.12
(3.05)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
机械数据
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
适用于低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
文档编号88668
24-Apr-03
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR10H90CT
90
90
90
10
5
150
0.5
MBR10H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
在T
C
= 105°C
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
at
at
at
at
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
5.0A ，T
J
= 25°C
5.0A ，T
J
= 125°C
10A ，T
J
= 25°C
10A ，T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
符号
价值
0.76
0.61
0.85
0.71
3.5
4.5
单位
V
F
V
A
mA
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
（注4 ）
I
R
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每腿典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.2
MBRF
4.2
MBRB
2.2
单位
O
C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR10H90CT ， MBR10100CT
MBRF10H90CT ， MBRF10100CT
MBRB10H90CT ， MBRB10100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
文档编号88668
24-Apr-03
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
6.0
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向降额曲线
每腿
175
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
5.0
150
4.0
125
100
75
50
25
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
F
- 正向电流（A ）
100
T
J
= 175°C
10
T
J
= 150°C
10000
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
1000
T
J
= 150°C
125°C
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
100
100°C
10
1
0.1
25°C
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
0.1
T
J
= 25°C
T
J
= – 40°C
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0.01
0.01
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
每腿
1000
100
图。 6 - 典型瞬态
每腿热阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
反向电压（ V）
文档编号88668
24-Apr-03
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
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3
MBR10H100CT
最大额定值
（每二极管腿）
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
) T
C
= 168°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫）T
C
= 165°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结温（注1 ）
储存温度
变化的电压率（额定V
R
)
控制雪崩能量（参见图10和11的测试条件下）
ESD额定值：机器型号= C
人体模型= 3B
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
T
J
T
英镑
dv / dt的
W
AVAL
价值
100
单位
V
5.0
10
180
+175
*65
到+175
10,000
100
＆ GT ; 400
> 8000
A
A
A
°C
°C
V / ms的
mJ
V
热特性
最大热阻 - 结到外壳
- 结到环境
R
QJC
R
qJA
2.0
60
° C / W
电气特性
（每二极管腿）
最大正向电压（注2 ）
(I
F
= 5.0 A，T
C
= 25°C)
(I
F
= 5.0 A，T
C
= 125°C)
(I
F
= 10 A，T
C
= 25°C)
(I
F
= 10 A，T
C
= 125°C)
最大瞬时反向电流（注2 ）
（额定直流电压，T
C
= 125°C)
（额定直流电压，T
C
= 25°C)
v
F
0.73
0.61
0.85
0.71
i
R
4.5
0.0035
mA
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.生成必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
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2
MBR10H100CT
+V
DD
I
L
10 mH的线圈
V
D
MERCURY
开关
I
D
I
L
I
D
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
BV
DUT
S
1
DUT
图10.测试电路
图11电流电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图10是用来展示控制雪崩
此设备的能力。水银开关代替
一个电子开关，以模拟在嘈杂的环境
当正在打开开关。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
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5
MBR10H100CT - MBR10H200CT
Pb
RoHS指令
合规
10.0安培。肖特基势垒整流器
TO-220AB
特点
采用塑料材料进行包销商
实验室分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
对于电源的使用 - 输出整流，功率
管理，仪器仪表
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
o
260℃ / 10秒0.25“ （ 6.35mm）时，从案例
机械数据
案例： JEDEC TO - 220AB模压塑体
终端：纯锡电镀，无铅。每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5 - 磅。最大
重量0.08盎司， 2.24克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
MBR
类型编号
符号
10H100CT
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
100
最大RMS电压
V
RMS
70
最大直流阻断电压
V
DC
100
最大正向平均整流电流
O
在Tc = 125℃
峰值重复正向电流（额定V
R
,
o
方波，为20KHz ）在Tc = 125℃
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC
法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压：
o
（注2 ）
I
F
= 5A ，T
C
=25 C
o
I
F
= 5A ，T
C
=125 C
o
I
F
= 10A ，T
C
=25 C
o
I
F
= 10A ，T
C
=125 C
最大瞬时反向电流
o
@ T = 25℃时额定阻断电压DC
o
（注2 ）
@ T = 125℃
变化的电压率（额定V
R
)
最典型热阻（注3 ）
MBR
10H150CT
150
105
150
10
32
120
MBR
10H200CT
200
140
200
单位
V
V
V
A
A
A
I
（AV）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
V
F
0.85
0.75
0.95
0.85
1.0
0.5
0.88
0.75
0.97
0.85
A
V
I
R
dv / dt的
R
θJC
5
1.0
10,000
1.5
uA
mA
V /美
o
C / W
o
工作结温范围
-65到+175
T
J
C
o
存储温度范围
-65到+175
T
英镑
C
注意事项：
1. 2.0us脉冲宽度， F = 1.0千赫
2.脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
从结3.热阻时的每腿，山在2散热器尺寸×3英寸x 0.25英寸
铝板材。
版本： A07
额定值和特性曲线（ MBR10H100CT THRU MBR10H200CT ）
FIG.1-正向电流降额曲线
12
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流
180
峰值正向浪涌电流。 （ A）
平均正向电流。 （ A）
电阻或
感性负载
10
150
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
8
120
6
90
4
60
2
0
0
30
0
25
50
125
o
外壳温度。 （ C）
75
100
150
175
1
10
循环次数在60Hz
100
FIG.3-典型正向特性
5
100
FIG.4-典型的反向特性
Tj=25
o
C
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
瞬时反向电流。 （MA ）
1
Tj=125
0
C
瞬时正向电流。 （ A）
Tj=125
0
C
10
Tj=25
0
C
0.1
5
Tj=75
0
C
0.01
1
0.001
Tj=25
0
C
0.1
0.0001
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
正向电压。 （V ）
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容
瞬态热阻抗。 （
O
C / W ）
5,000
100
FIG.6-典型瞬态热
特性每支架
结电容。 （PF ）
1,000
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
10.0
500
1
100
0.1
1.0
10
的反向电压。 （V ）
100
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间。 （秒）
10
100
版本： A07
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
新产品
威世半导体
转。电压
90 100V
正向电流
10A
双高压肖特基整流器
ITO - 220AB （ MBRF10H90CT ， MBRF10H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
TO- 220AB （ MBR10H90CT ， MBR10H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
3脚
销2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
尺寸以英寸
（毫米）
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB10H90CT ， MBRB10H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
0.42
(10.66)
0.245 (6.22)
民
K
安装垫
布局
TO-263AB
0.63
(17.02)
0.33
(8.38)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.12
(3.05)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
机械数据
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
适用于低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
文档编号88668
24-Apr-03
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
www.vishay.com
1
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR10H90CT
90
90
90
10
5
150
0.5
MBR10H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
在T
C
= 105°C
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
at
at
at
at
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
5.0A ，T
J
= 25°C
5.0A ，T
J
= 125°C
10A ，T
J
= 25°C
10A ，T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
符号
价值
0.76
0.61
0.85
0.71
3.5
4.5
单位
V
F
V
A
mA
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
（注4 ）
I
R
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每腿典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.2
MBRF
4.2
MBRB
2.2
单位
O
C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR10H90CT ， MBR10100CT
MBRF10H90CT ， MBRF10100CT
MBRB10H90CT ， MBRB10100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
文档编号88668
24-Apr-03
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
6.0
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向降额曲线
每腿
175
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
5.0
150
4.0
125
100
75
50
25
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
F
- 正向电流（A ）
100
T
J
= 175°C
10
T
J
= 150°C
10000
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
1000
T
J
= 150°C
125°C
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
100
100°C
10
1
0.1
25°C
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
0.1
T
J
= 25°C
T
J
= – 40°C
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0.01
0.01
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
每腿
1000
100
图。 6 - 典型瞬态
每腿热阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
反向电压（ V）
文档编号88668
24-Apr-03
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
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3
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
新产品
威世半导体
转。电压
90 100V
正向电流
10A
双高压肖特基整流器
ITO - 220AB （ MBRF10H90CT ， MBRF10H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
TO- 220AB （ MBR10H90CT ， MBR10H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
3脚
销2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
尺寸以英寸
（毫米）
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB10H90CT ， MBRB10H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
0.42
(10.66)
0.245 (6.22)
民
K
安装垫
布局
TO-263AB
0.63
(17.02)
0.33
(8.38)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.12
(3.05)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
机械数据
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
适用于低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
文档编号88668
24-Apr-03
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
www.vishay.com
1
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR10H90CT
90
90
90
10
5
150
0.5
MBR10H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
在T
C
= 105°C
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
at
at
at
at
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
5.0A ，T
J
= 25°C
5.0A ，T
J
= 125°C
10A ，T
J
= 25°C
10A ，T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
符号
价值
0.76
0.61
0.85
0.71
3.5
4.5
单位
V
F
V
A
mA
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
（注4 ）
I
R
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每腿典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.2
MBRF
4.2
MBRB
2.2
单位
O
C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR10H90CT ， MBR10100CT
MBRF10H90CT ， MBRF10100CT
MBRB10H90CT ， MBRB10100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
文档编号88668
24-Apr-03
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
6.0
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向降额曲线
每腿
175
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
5.0
150
4.0
125
100
75
50
25
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
F
- 正向电流（A ）
100
T
J
= 175°C
10
T
J
= 150°C
10000
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
1000
T
J
= 150°C
125°C
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
100
100°C
10
1
0.1
25°C
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
0.1
T
J
= 25°C
T
J
= – 40°C
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0.01
0.01
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
每腿
1000
100
图。 6 - 典型瞬态
每腿热阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
反向电压（ V）
文档编号88668
24-Apr-03
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
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3
额定值和特性曲线（ MBR10H100CT THRU MBR10H200CT ）
版本： E10
CREAT的艺术
MBR10H100CT - MBR10H200CT
10.0AMPS 。肖特基势垒整流器
TO-220AB
Pb
RoHS指令
合规
特点
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
对于电源的使用 - 输出整流，功率
管理，仪器仪表
保护环的过压保护
高温焊接保证：
260 ℃ / 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G"
机械数据
案例： JEDEC TO - 220AB模压塑体
终端：纯锡电镀，无铅，焊
每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5英寸 - 磅，最大
重量： 1.88克
尺寸以英寸（毫米）
标记图
MBR10HXXCT =具体设备守则
G
Y
WW
=绿色复合
=年
=工作周
最大额定值和电气特性
等级25
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20kHz的）
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压为： （注2 ）
IF = 5A ，T
A
=25℃
IF = 5A ，T
A
=125℃
IF = 10A ，T
A
=25℃
IF = 10A ，T
A
=125℃
最大瞬间反向电流在额定
阻断电压DC @ T
A
=25
℃
@ T
A
=125
℃
变化的电压率（额定V
R
)
最典型热阻
工作结温范围
存储温度范围
注1 ： 2.0uS脉冲宽度， F = 1.0千赫
注2 ：脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
MBR
10H100CT
100
70
100
MBR
10H150CT
150
105
150
10
10
120
1.0
MBR
10H200CT
200
140
200
单位
V
V
V
A
A
A
0.5
0.88
0.75
0.97
0.85
5
1
10,000
1.5
- 65 + 175
- 65 + 175
A
0.85
V
F
0.75
0.95
0.85
I
R
dv / dt的
R
θJC
T
J
T
英镑
V
uA
mA
V /美
O
C / W
O
O
C
C
版本： F11
额定值和特性曲线（ MBR10H100CT THRU MBR10H200CT ）
FIG.1-正向电流降额曲线
12
平均正向
A
电流（A ）
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度（
o
C)
电阻或
INDUCTIVELOAD
180
150
120
90
60
30
0
1
图。 2 - 最大非重复正向
浪涌电流
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
峰值正向浪涌
A
电流（A ）
10
循环次数在60赫兹
100
图。 3典型正向CHARACTERISRICS
1000
瞬时反向
A
电流（mA ）
TA=25℃
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
图。 4-典型的反向特性
10
1
TA=125℃
0.1
TA=75℃
正向
A
电流（A ）
100
TA=125℃
10
TA=25℃
1
0.01
0.001
TA=25℃
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压（ V）
0.0001
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5典型结电容
10000
结电容（pF ）
A
100
图。 6典型的瞬态热
特性每支架
1000
TA=25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
瞬态热
阻抗（
℃
/W)
100
10
1
100
0.1
1
10
反向电压（ V）
0.1
0.01
0.1
1
10
100
叔脉冲持续时间（秒）
版本： F11
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
新产品
威世半导体
转。电压
90 100V
正向电流
10A
双高压肖特基整流器
ITO - 220AB （ MBRF10H90CT ， MBRF10H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
TO- 220AB （ MBR10H90CT ， MBR10H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
3脚
销2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
尺寸以英寸
（毫米）
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB10H90CT ， MBRB10H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
0.42
(10.66)
0.245 (6.22)
民
K
安装垫
布局
TO-263AB
0.63
(17.02)
0.33
(8.38)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.12
(3.05)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
机械数据
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
适用于低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
文档编号88668
24-Apr-03
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR10H90CT
90
90
90
10
5
150
0.5
MBR10H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
在T
C
= 105°C
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
at
at
at
at
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
5.0A ，T
J
= 25°C
5.0A ，T
J
= 125°C
10A ，T
J
= 25°C
10A ，T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
符号
价值
0.76
0.61
0.85
0.71
3.5
4.5
单位
V
F
V
A
mA
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
（注4 ）
I
R
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每腿典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.2
MBRF
4.2
MBRB
2.2
单位
O
C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR10H90CT ， MBR10100CT
MBRF10H90CT ， MBRF10100CT
MBRB10H90CT ， MBRB10100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
文档编号88668
24-Apr-03
MBR10H100CT ， MBRF10H100CT & MBRB10H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
6.0
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向降额曲线
每腿
175
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
5.0
150
4.0
125
100
75
50
25
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
F
- 正向电流（A ）
100
T
J
= 175°C
10
T
J
= 150°C
10000
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
1000
T
J
= 150°C
125°C
I
R
- 瞬时
反向电流（ μA ）
100
100°C
10
1
0.1
25°C
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
0.1
T
J
= 25°C
T
J
= – 40°C
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0.01
0.01
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
每腿
1000
100
图。 6 - 典型瞬态
每腿热阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
反向电压（ V）
文档编号88668
24-Apr-03
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
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