数据表
高压功率肖特基整流器
概述
高电压双肖特基整流器适用于开关
模式电源及其他电源转换器。这
装置适用于中压操作使用
化，特别是，在高频电路中
低开关损耗和低噪声是必需的。
MBR1060C可在TO- 220-3 ， TO- 220-3 （ 2 ）
和TO- 220F -3包。
MBR1060C
主要产品特性
I
F（ AV）
V
RRM
T
J
V
F
（最大）
2×5A
60V
150
o
C
0.65V
特点
·
·
·
·
·
高浪涌能力
150
o
C的工作结温
10A合计（ 5A每个二极管腿）
保护环应力保护
无铅封装
机械特性
·
·
·
案例：环氧树脂，模压
环氧符合UL 94V- 0 @ 0.125英寸
重量（大约）：
1.9克（TO- 220-3 ，TO- 220-3 （2）和
TO-220F-3)
表面处理：所有外部表面耐腐蚀
和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260
o
C最大10秒
·
·
·
应用
·
·
·
电源输出整流
电源管理
仪器仪表
TO-220F-3
TO- 220-3 （可选）
TO- 220-3 （2）
MBR1060C图1.包装类型
2011年3月修订版1.3
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
订购信息
MBR1060C
MBR1060C
电路类型
包
T： TO- 220-3 （ 2 ）
TO- 220-3 （可选）
TF ： TO- 220F - 3
-
E1 ：无铅
G1 ：绿
空白：管
包
产品型号
无铅
MBR1060CTF-E1
标记ID
绿色
MBR1060CT-G1
MBR1060CTF-G1
无铅
MBR1060CT-E1
MBR1060CTF-E1
绿色
MBR1060CT-G1
MBR1060CTF-G1
包装类型
管
管
TO- 220-3 （2） MBR1060CT -E1
TO-220F-3
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。与产品
"G1"后缀是绿色封装。
2011年3月修订版1.3
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
绝对最大额定值（每个二极管腿） （注1 ）
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
) T
C
=140
o
C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20kHz的）T
C
=139
o
C
非重复峰值浪涌电流（浪涌应用在额定
负载条件下半波，单相，60赫兹）
工作结温（注2 ）
存储温度范围
变化的电压率（额定V
R
)
ESD （机器型号= C ）
ESD（人体模型= 3B）
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV）
I
FRM
I
FSM
T
J
T
英镑
dv / dt的
价值
60
单位
V
MBR1060C
5
10
100
150
-55到150
10000
>400
>8000
A
A
A
o
C
o
C
V / μs的
V
V
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只，设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
注2 ：产生必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
<1/θ
JA
.
热特性
参数
符号
θ
JC
最大热阻
θ
JA
结到环境
条件
结到外壳
TO-220-3/
TO- 220-3 （2）
TO-220F-3
TO-220-3/
TO- 220-3 （2）
TO-220F-3
价值
3.0
3.5
60
60
单位
o
C / W
2011年3月修订版1.3
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
电气特性（每个二极管腿）
参数
符号
条件
I
F
= 5A ，T
C
=25
o
C
最大瞬时
电压降（注3 ）
前锋
V
F
I
F
= 5A ，T
C
=125
o
C
I
F
=10A,
I
F
=10A,
最大瞬时反向电流
租金（注3 ）
I
R
T
C
=25
o
C
T
C
=125
o
C
价值
0.75
0.65
0.90
0.80
0.1
mA
15.0
V
单位
MBR1060C
额定直流电压，T
C
=25
o
C
额定直流电压，T
C
=125 C
o
注3 ：脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比Cycle≤2.0 ％ 。
2011年3月修订版1.3
5
BCD半导体制造有限公司
QQ：2880707522 复制
