MBR1050CT通MBR1060CT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C（ TAB ）
A
C
A
C
A
尺寸TO- 220AB
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
MBR1050CT
MBR1060CT
符号
I
（AV）
I
FSM
dv / dt的
V
F
V
RRM
V
50
60
V
RMS
V
35
42
V
DC
V
50
60
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=105
o
C
最大额定值
10
125
10000
I
F
= 5A @T
J
=25
o
C
I
F
= 5A @T
J
=125
o
C
I
F
= 10A @T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.65
0.80
0.90
0.1
15
3.0
220
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向
电压（注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
典型结电容每元（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
mA
o
C / W
pF
o
o
C
C
注： 1。 300US脉冲宽度，占空比2 ％ 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 220AB模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量0.08盎司， 2.24克
*安装位置：任意
上海Lunsure电子
科技有限公司
联系电话： 0086-21-37185008
传真： 0086-21-57152769
特点
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
MBR1030CT
THRU
MBR1060CT
10 AMP
肖特基势垒
整流器器
30-60伏
TO-220AB
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
设备
记号
:
最大
复发
PEAK
反向
电压
30V
35V
40V
45V
50V
60V
最大
RMS
电压
21V
24.5V
28V
31.5V
35V
42V
最大
DC
闭塞
电压
30V
35V
40V
45V
50V
60V
目录
数
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
MBR1050CT
MBR1060CT
B
C
K
针
L
M
D
A
E
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
MBR1050CT
MBR1060CT
F
G
I
J
N
H H
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
I
F（ AV ）
I
FSM
10A
125A
T
C
= 105°C
销1
8.3ms的，半正弦
3脚
销2
例
MM
14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03
15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
V
F
.70V
.80V
.57V
.65V
0.1mA
15mA
I
FM
= 5A
T
J
= 25°C
I
FM
= 5A
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
IR
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.090
.110
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
C
J
170pF
220pF
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比2 ％
www
cnelectr.com
.
MBR1050CT通MBR1060CT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C（ TAB ）
A
C
A
C
A
尺寸TO- 220AB
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
MBR1050CT
MBR1060CT
符号
I
（AV）
I
FSM
dv / dt的
V
F
V
RRM
V
50
60
V
RMS
V
35
42
V
DC
V
50
60
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=105
o
C
最大额定值
10
125
10000
I
F
= 5A @T
J
=25
o
C
I
F
= 5A @T
J
=125
o
C
I
F
= 10A @T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.65
0.80
0.90
0.1
15
3.0
220
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向
电压（注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
典型结电容每元（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
mA
o
C / W
pF
o
o
C
C
注： 1。 300US脉冲宽度，占空比2 ％ 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 220AB模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量0.08盎司， 2.24克
*安装位置：任意
MBR1030CT-MBR1060CT
肖特基势垒刘坤，李正熙
产品概述
TO-220
TO- 220塑封装晶体管
特点
肖特基势垒芯片
保护环片施工瞬态保护
低功耗，高效率
极低的正向电压降
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
1
.
阳极
2.阴极
3.阳极
123
1
无铅;符合RoHS标准
电气特性
（环境温度Tamb =
25
o
C
除非另有规定）
符号
特征
2
3
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
1030CT 1035CT 1040CT 1045CT 1050CT 1060CT
单位
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
PMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
=105℃
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷
@ T≤在2.0μs
正向电压降
@ I
F
= 5.0A ，T
C
=125℃
@ I
F
= 5.0A ，T
C
= 25℃
@ I
F
= 10A ，T
C
= 25℃
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@ T
C
= 25℃
@ T
C
=125℃
（ JEDEC的方法）
重复峰值反向浪涌电流
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
21
24.5
28
10
31.5
35
42
V
A
30
35
40
45
50
60
V
I
FSM
125
A
I
RRM
0.57
V
FM
0.70
0.84
I
RM
C
j
T
j
, T
英镑
1.0
0.70
0.80
0.95
0.1
15
150
-65到+150
A
V
mA
pF
℃
典型结电容（注2 ）
工作和存储温度范围
注：1.热阻结到外壳安装散热器。
2.测得1.OMHz和应用的4.0V直流反向电压。
2007年1月29日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
1
MBR1030CT-MBR1060CT
肖特基势垒刘坤，李正熙
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而，硅标准公司不做任何
担保或保证，明示或暗示，作为对这些信息的可靠性，准确性，及时性或完整性不承担任何
其使用的责任，或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
2007年1月29日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
2
MBR1040CT~MBR10200CT
10安培肖特基二极管
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率。
高电流能力
Guardring为overvlotage保护
适用于低电压，高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
.058(1.47)
.042(1.07)
40至200伏特
当前
10安培
MECHANICALDATA
案例： TO- 220AB模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：作为标记。
安装位置：任意
重量： 0.0655盎司， 1.859克。
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币（S EE
科幻克0.1）
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E
哈lfsi NE - 华已经s提高erimposedonrated
1。· A D （J E D权证M E吨浩四）
米喜米庵F orward V oltageat 5 A， perleg
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
J
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G （E T）
J
= 1 2 5
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究（E S）我S T A N权证
P·E R A T I纳克次S T R A克é UNC T I O 4 N
TE米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B○升
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV）
MB的R 1 0 4 0 CT MB的R 1 0 4 5 CT MB的R 1 0 5 0 CT MB的R 1 0 6 0 CT MB的R 1 0 8 0 CT MB的R 1 0 9 0 CT MB的R 1 0 1 0 0 CT MB的R 1 0 1 5 0 CT MB R1 0 2 0 0 CT
加利它s
V
V
V
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
10
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
I
F S M
150
A
V
F
0 .7
0 .7 5
0 .0 5
20
2
0 .8
0.9
V
I
R
mA
O
R
θ
J·C
T
J
, T
s TG
-5 5 + 1 5 0
C /
W
C
-6 5 + 1 7 5
O
注意事项：
这两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-APR.30.2009
PAGE 。 1
思雨
R
MBR1040CT MBR10200CT ......
肖特基势垒整流器
反向电压40至200 V
正向电流10A
特征
特点
·大电流承受½力。High
电流能力
·正向压降½。Low
正向电压降
·½功耗高效率。Low
功耗，高效率
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
铅和符合RoHS规范体
肖特基二极管
反向电压
40---200V
正向电流
10 A
TO-220AB
机械数据
机械数据
·封装:
塑料封装
案例：模压塑料
·极性:
标记模压或印于本½
极性：符号模压或标记体
·安装½½:
任意
单位：英寸（毫米）
1
2
3
安装位置：任意
·安装扭距:
推荐
0.3牛*米
安装扭矩：
推荐0.3牛顿米
极限值和温度特性
TA = 25°
除非另有规定。
最大额定值&热特性
符号
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
符号
1040CT 1045CT 1050CT 1060CT 10100CT 10150CT 10200CT
单½
单位
V
V
V
A
A
最大可重复峰值反向电压
最大重复峰值反向电压
V
RRM
40
28
40
45
31
45
50
35
50
60
42
60
10
125
3.5
-55 --- +150
100
70
100
150
105
150
200
140
200
最大均方根电压
最大RMS电压
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
R
θJC
TJ ， TSTG
最大直流阻断电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
典型热阻
典型热阻
℃
/W
℃
工½结温和存储温度
工作结存储温度范围
电特性
TA = 25°
除非另有规定。
电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
符号
1040CT 1045CT 1050CT 1060CT 10100CT 10150CT 10200CT
符号
V
F
I
R
单½
单位
V
mA
pF
最大正向电压
最大正向电压
I
F
=5A
T
J
= 25℃
T
J
= 100℃
0.70
0.5
10
400
0.80
0.85
0.95
0.5
5
310
0.99
最大反向电流
最大反向电流
典型结电容
V
R
=
4.0V ， F = 1MHz的
典型结电容
Cj
大昌电子
大昌电子
思雨
R
MBR2040CT MBR20200CT ......
特性曲线
特性曲线
正向特性曲线（典型值）
典型正向特性
正向电流降额曲线
正向电流降额曲线
100
平均正向电流
I
F（ AV ）
(A)
正向平均整流电流（ A）
I
F（ A）
I
F
正向电流（A ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75 100 125 150 175
管½温度 Tc(°C)
外壳温度（ ° C）
10
正向电流
I
F
(A)
2
TJ = 25 C
1
0.1
0.4
0.6
0.8
MBR1040CT MBR1045CT
MBR1050CT MBR1060CT
MBR10100CT
MBR10150CT MBR10200CT
1.0
1.2
1.4
正向电压 V
F
(V)
V
F
正向电压（ V）
浪涌特性曲线（最大值）
最大不重复
峰值正向浪涌电流
150
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
120
峰值正向浪涌电流 I
FSM
(A)
90
60
30
0
1
2
4 6 10
20
40
100
通过电流的周期
在60赫兹的周期数。
大昌电子
大昌电子
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MBR1030CT
THRU
MBR1060CT
10 AMP
肖特基势垒
整流器器
30-60伏
TO-220AB
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
Microsemi的
目录
数
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
30V
35V
40V
45V
50V
60V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
30V
35V
40V
45V
50V
60V
B
C
K
针
1
2
3
L
M
D
A
E
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
MBR1050CT
MBR1060CT
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
MBR1050CT
MBR1060CT
21V
24.5V
28V
31.5V
35V
42V
F
G
I
J
N
H H
销1
销2
例
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
I
F（ AV ）
I
FSM
10A
125A
T
C
= 105°C
8.3ms的，半正弦
3脚
MM
14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03
15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
V
F
.70V
.80V
.57V
.65V
0.1mA
15mA
I
FM
= 5A
T
J
= 25°C
I
FM
= 5A
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
IR
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.090
.110
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
C
J
170pF
220pF
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比2 ％
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mccsemi.com
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MBR1030CT - MBR1060CT
10A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
L
B
C
K
D
A
1
2
3
TO-220AB
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
民
14.22
9.65
2.54
5.84
12.70
2.29
0.51
3.53
3.56
1.14
0.30
2.03
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
2.79
1.14
4.09
4.83
1.40
0.64
2.92
E
J
N
G
H
J
K
L
M
N
P
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：对人体标示
重量：2.24克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
H H
销1
销2
3脚
P
例
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 105°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
重复峰值反向浪涌电流
正向电压降
@ t
2.0ms
@ I
F
= 5.0A ，T
C
= 125°C
@ I
F
= 5.0A ，T
C
= 25°C
@ I
F
= 10A ，T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
符号1030CT
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
I
RRM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
30
21
MBR
1035CT
35
24.5
MBR
1040CT
40
28
MBR
1045CT
45
31.5
MBR
1050CT
50
35
MBR
1060CT
60
42
单位
V
V
A
A
A
10
125
1.0
0.57
0.70
0.84
0.1
15
150
30
1000
-65到+150
0.70
0.80
0.95
V
mA
pF
K / W
V / ms的
°C
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
工作和存储温度范围
注意事项：
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
DS30027修订版A- 2
1 2
MBR1030CT-MBR1060CT
BL
特点
银河电子
MBR1030CT - - - MBR1060CT
电压范围： 30 - 60 V
电流： 10 A
双
肖特基整流器
高S恳请能力。
对我们来说， E在低电压，高频率逆变器，免费
111wheeling,
和极性保护应用。
金属源ilicon结，男ajority载流子导电。
高电流能力，低正向压降。
保护环，过电压保护。
TO-220AB
机械数据
CAS E： JEDEC TO - 220AB ，男olded PLAS抽动身体
长期inals ：信息，S olderable每MIL -STD- 750 ，
1 1
方法2026
极性：米arked
重量0.08盎司， 2.24克s
POS银行足球比赛：任何
mm
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单相半波，60赫兹，电阻或电感load.For容性负载，减免电流20 ％ 。
MBR
1030CT
最大的经常峰值反向电压
最大RMS V oltage
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD总device11111111
m
整流电流@T
C
= 105°C
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
b
正弦-W AVE叠加在额定负荷
最大FORW ARD
每腿压
（注1 ）
MBR
1035CT
35
25
35
MBR
MBR
MBR
MBR
1040CT
1045CT
1050CT 1060CT
40
28
40
10.0
125.0
45
32
45
50
35
50
60
42
60
单位
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
30
21
30
(I
F
=5.0A,T
C
=125 )
(I
F
= 5.0A ，T
C
=25 )
(I
F
= 10 A，T
C
=25
)
0.57
0.70
0.80
0.95
0.1
15.0
30
-
55
---- + 150
-
55
---- + 150
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V
F
0.70
0.84
V
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
C
=25
@T
C
=125
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
K / W
每站最大热电阻
工作结温范围
存储温度范围
注： 1.脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的关税CY CLE 。
2. 2.0
的脉动宽度中，f = 1.0KH
Z
3.热阻f光盘结点到外壳。
文档编号0267017
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - 正向电流降额曲线
12.5
MBR1030CT - - - MBR1060CT
cc
峰值正向浪涌
当前，安培
图2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流PERLEG
150
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
负载电阻或电感
平均正向
当前，安培
10
7.5
5.0
2.5
0
125
100
75
50
25
0
0
50
100
150
1
10
100
外壳温度
图3 - 典型正向
11111vCHARACTERISTIC
PERLEG
正向
当前，安培
40
10
T
J
=125
脉冲宽度= 300
s
1 ％占空比
T
J
=25
循环次数在60Hz
图4 - 典型的反向特性
bn
111
瞬时反向
当前，毫安
40
10
T
J
=125
1
T
J
=75
1
0.1
0.1
MBR1030CT-MBR1045CT
MBR1050CT&MBR1060CT
0.01
MBR1030CT-MBR1045CT
MBR1050CT&MBR1060CT
T
J
=25
0.01
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.11.2
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
百分比额定峰值反向电压，
1FIG.5--TYPICAL
结电容PERLEG
4000
图6 - 典型的瞬态热阻抗
PERLEG
cc
c
结电容， pF的
1000
瞬态热
阻抗/ W
T
J
=25
f=1.0MHz
Vsig=50MVp-p
100
10
100
1
10
0.1
MBR1030CT-MBR1045CT
MBR1050CT&MBR1060CT
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压，伏
PULSE DURATON二段。
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2.
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