额定值和特性曲线（ MBR1035CT MBR10200CT THRU ）
版本： G10
MBR1035
THRU
MBR10200
10.0安培。肖特基势垒整流器
电压范围
35至200伏特
当前
10.0安培
特点
采用塑料材料进行保险商实验室
分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒0.25“ （ 6.35mm）时，从案例
.412(10.5)
最大
TO-220A
.185(4.70)
.175(4.44)
迪亚
.154(3.91)
.148(3.74)
.27(6.86)
.23(5.84)
.594(15.1)
.587(14.9)
.055(1.40)
.045(1.14)
.113(2.87)
.103(2.62)
PIN1
.16(4.06)
.14(3.56)
2
.11(2.79)
.10(2.54)
.56(14.22)
.53(13.46)
机械数据
案例： JEDEC TO - 220A模压塑体
码头：每MIL -STD- 750，方法铅焊
2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5 - 磅。最大
重量0.08盎司， 2.24克
.037(0.94)
.027(0.68)
.205(5.20)
.195(4.95)
.025(0.64)
.014(0.35)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
评分在25℃环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号
MBR膜生物反应器MBR膜生物反应器MBR
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
参见图。 1
峰值重复正向电流（方波，
为20KHz ）在Tc = 135
o
C
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC
法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向电压在
（注2 ）
I
F
= 10A ， TC = 25
O
C
I
F
= 10A ，TC = 125
O
C
I
F
= 20A ， TC = 25
O
C
I
F
= 20A ，TC = 125
O
C
最大瞬时反向电流
@ TC = 25 ℃时额定阻断电压DC （注2 ）
@ T = 125 ℃
典型结电容（注3 ）
M
AXIMUM
T
有源冰箱
R
ESISTANCE
, J
油膏
to
例
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
V
F
1035
35
24
35
1045
45
31
45
1050
50
35
50
1060 1090
60
90
42
63
60
90
10
20.0
150
MBR膜生物反应器
10100 10200
100
200
70
140
100
200
单位
V
V
V
A
A
A
1.0
10,000
0.70
0.57
0.84
0.72
0.1
15.0
350
3.5
-65到+150
-65到+175
280
0.80
0.70
0.95
0.85
0.5
A
V /美
0.85
0.71
-
-
0.1
6.0
200
2.0
1.05
-
-
V
I
R
Cj
R
θ
JC
T
J
T
英镑
0.009
10
mA
mA
pF
℃/W
℃
℃
工作结温范围
存储温度范围
注：1. 2.0us脉冲宽度， F = 1.0千赫
2.脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
3.安装在第2散热器的尺寸英寸× 3英寸× 0.25英寸的Al-板。
- 88 -
额定值和特性曲线（ MBR1035 THRU MBR10200 ）
FIG.1-正向电流降额曲线
12
175
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 （ A）
平均正向电流。 （ A）
电阻或
感性负载
10
150
8
125
100
6
75
50
4
2
0
0
50
外壳温度。 （ C）
o
MBR1035-MBR1045
MBR1050-MBR10200
25
100
150
0.1
1
10
循环次数在60Hz
100
FIG.3-典型正向
特征
40
FIG.4-典型的反向特性
50
10
瞬时正向电流。 （ A）
Tj=125
0
C
瞬时反向电流。 （MA ）
10
Tj=125
0
C
1
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
1
Tj=25
0
C
0.1
Tj=75
0
C
0.1
0.01
Tj=25
0
C
MBR1035-MBR1045
MBR1050-MBR1060
MBR1090-MBR10100
MBR10200
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压。 （V ）
0.4
MBR1035-MBR1060
MBR1090-MBR1020
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容
4,000
FIG.6-典型瞬态热特性
100
1,000
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
瞬态热阻抗。 （
O
C / W ）
100
结电容。 （PF ）
10.0
1
100
0.1
MBR1035-MBR1045
MBR1050 & MBR1060
MBR1090-MBR10200
1.0
10
的反向电压。 （V ）
0.1
0.01
0.1
1
10
100
T，脉冲持续时间（秒）
- 89 -
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MBR1020
THRU
MBR10100
10 AMP
肖特基势垒
整流器器
20至100伏特
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
Microsemi的
目录
数
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
TO-220AC
B
C
K
L
M
D
A
针
1
2
MBR1020
MBR1030
MBR1035
MBR1040
MBR1045
MBR1060
MBR1080
MBR10100
MBR1020
MBR1030
MBR1035
MBR1040
MBR1045
MBR1060
MBR1080
MBR10100
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
56V
70V
E
F
G
I
H
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MBR1020-1045
MBR1045-1060
MBR1080-10100
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
MBR1020-1045
MBR1060-10100
典型结
电容
I
F（ AV ）
I
FSM
10A
150A
T
C
= 125°C
8.3ms的，半正弦
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
销1
销2
例
MM
14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
4.83
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03
15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
5.33
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
V
F
.84V
.95V
.84V
I
FM
= 20 A MPER
T
A
= 25°C
I
FM
= 10 A MPER
IR
0.1毫安牛逼
J
= 25°C
0.15mA
400pF
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.190
.210
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
C
J
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比1 ％
www.mccsemi.com
MBR1035 MBR1060 THRU
肖特基整流器器
反向电压
-
35至60伏特
TO-220AC
0.185 (4.70)
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
DIA 。
0.148 (3.74)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.175 (4.44)
正向电流
-
10.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，
低正向压降
高浪涌能力
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
针
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
机械数据
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
销1
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
销2
例
尺寸以英寸（毫米）
案例：
JEDEC TO- 220AC模压塑体
终端：
导致每MIL -STD- 750 ，
方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
5 - 磅。最大。
重量：
0.08盎司， 1.81克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
MBR1035
MBR1045
MBR1050
MBR1060
单位
最大重复峰值反向电压
最大工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
（参见图1）
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
（AV）
I
FRM
35
35
35
45
45
45
10.0
20.0
50
50
50
60
60
60
伏
伏
伏
安培
安培
在T重复峰值正向电流
C
=135°C
（方波20 KH
Z)
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流
变化的电压率（额定V
R
)
最大瞬时
在正向电压
（注2 ）
I
F
= 10A ，T
C
=25°C
I
F
= 10A ，T
C
=125°C
I
F
= 20A ，T
C
=25°C
I
F
= 20A ，T
C
=125°C
（注1 ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
V
F
-
0.57
0.84
0.72
1.0
150.0
0.5
10,000
0.80
0.70
0.95
0.85
0.10
15.0
2.0
-65到+150
-65到+175
安培
安培
Vμs
伏
最大瞬间反向电流在额定
阻断电压DC
T
C
= 25°C
（注2 ）
T
C
=125°C
最大热阻，结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
注意事项：
（1）在2.0μs的脉冲宽度中，f = 1.0的KH
Z
（2 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
° C / W
°C
°C
4/98
额定值和特性曲线MBR1035 MBR1060 THRU
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
175
图。 1 - 正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流，
安培
12
负载电阻或电感
150
125
100
75
50
25
0.1
平均正向电流，
安培
10
8
6
4
2
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 & MBR1060
1
10
100
周期数的AT 60 H
Z
0
0
50
100
150
图。 4 - 典型的反向
特征
外壳温度
20
图。 3 - 典型正向
特征
瞬时反向电流，
毫安
10
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 & MBR1060
50
瞬时正向电流，
安培
T
J
=125°C
1
10
T
J
=125°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
1
T
J
=25°C
0.1
T
J
=75°C
0.1
0.01
T
J
=25°C
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 & MBR1060
0.01
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压，
伏
0.001
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压％
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
100
图。 5 - 典型结电容
4,000
结电容， pF的
瞬态热阻抗，
° C / W
1,000
T
J
=25°C
F = 1.0 MHz的
Vsig=50mVp-p
10.0
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 & MBR1060
1
100
0.1
1
10
100
反向电压，伏
0.1
0.01
0.1
1
t
,
脉冲持续时间，秒。
10
100
MBR1030 - MBR1060
10A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护中的应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
TO-220AC
L
B
C
K
D
A
销1
销2
暗淡
M
民
14.22
9.65
2.54
5.84
12.70
0.51
3.53
3.56
1.14
0.30
2.03
4.83
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
1.14
4.09
4.83
1.40
0.64
2.92
5.33
A
B
C
D
E
G
E
J
R
PIN 1 +
PIN 2 -
+
例
J
N
G
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
重量：2.24克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
K
L
M
N
P
R
P
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@T
C
= 125°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
工作和存储温度范围
注意事项：
@I
F
= 10A ，T
C
= 25°C
@I
F
= 10A ，T
C
= 125°C
@T
C
= 25°C
@T
C
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
MBR
1030
30
21
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
1035
35
24.5
MBR
1040
40
28
10
150
0.84
0.57
0.1
15
400
2.5
1000
MBR
1045
45
31.5
MBR
1050
50
35
MBR
1060
60
42
单位
V
V
A
A
0.95
0.70
0.1
25
V
mA
pF
° C / W
V / ms的
°C
-65到+150
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
DS23009修订版G- 2
1 2
MBR1030-MBR1060
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MBR1035 / D
SWITCHMODE
电源整流器
。 。 。利用肖特基势垒原理与铂阻挡金属。这些
先进设备，最先进的设备具有以下特点：
Guardring应力保护
低正向电压
150 ° C工作结温
保证反向雪崩
环氧会见UL94 ， VO 1/8 “
MBR1035
MBR1045
MBR1045是
摩托罗拉的首选设备
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端信息是
随手可焊
无铅焊接温度的目的： 260 °C最大。为10秒
运50个单位的塑料管
标记： B1035 ， B1045
3
1, 4
肖特基势垒
整流器
10安培
2045伏
4
1
3
CASE 221B -03
TO–220AC
塑料
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均整流正向电流（额定VR ）
TC = 135℃
重复峰值正向电流
（额定VR ，方波， 20千赫） TC = 135℃
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
峰值重复反向浪涌电流
(2.0
s,
1.0千赫），见图12
工作结温
储存温度
变化的电压率（额定VR ）
符号
VRRM
VRWM
VR
IF （ AV ）
IFRM
IFSM
IRRM
TJ
TSTG
dv / dt的
MBR1035
35
MBR1045
45
单位
伏
10
20
150
1.0
10
20
150
1.0
安培
安培
安培
AMP
°C
°C
V / μs的
*
65 150
*
65至+175
1000
2.0
*
65 150
*
65至+175
10000
2.0
热特性
最大热阻，结到外壳
R
θJC
° C / W
电气特性
最大正向电压（ 1 ）
（ IF = 10A的， TC = 125°C ）
（ IF = 20安培， TC = 125°C ）
（ IF = 20安培， TC = 25 ° C）
最大瞬时反向电流（ 1 ）
（额定直流电压， TC = 125°C ）
（额定直流电压， TC = 25°C ）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%.
开关模式是摩托罗拉公司的一个商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
vF
0.57
0.72
0.84
iR
15
0.1
15
0.1
0.57
0.72
0.84
伏
mA
REV 2
整流器器
公司1996年
数据
摩托罗拉，
设备
1
MBR1035 MBR1045
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
施加额定电压
I
15
I
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
20
16
施加额定电压
14
I
12
10
8.0
6.0
dc
4.0
2.0
0
0
20
40
I
（容性负载）
PK
I
方
WAVE
I
PK
AV
+
p
（阻性负载）
方
WAVE
PK
AV
+
p
（阻性负载）
I
PK
10 （容性负载）
I
AV
+
5
10
20
5.0
dc
0
110
120
130
140
150
160
TC ，外壳温度（ ° C）
AV
+
20, 10, 5
80
100
120
140
160
60
TA ，环境温度（ ° C）
图5.电流降额，无限散热器
PF （ AV ）正向平均功耗（瓦）
图6.电流降额，R
q
JA = 16 ° C / W
9.0
8.0
7.0
I
正弦波
阻性负载
方
WAVE
dc
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
5.0
施加额定电压
R
q
JA = 60 ° C / W
I
I
3.0
4.0
（容性负载）
PK
I
6.0
AV
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
2.0
4.0
6.0
20
10
+
5
PK
AV
+
p
（阻性负载）
方
WAVE
2.0
dc
1.0
0
0
20
40
I
（容性负载）
PK
I
TJ = 150℃
AV
60
+
20, 10, 5
80
100
120
140
160
8.0
10
12
14
16
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
TA ，环境温度（ ° C）
图7.前向功率耗散
图8.电流降额，自由空气
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
tp
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.1
1.0
吨，时间（ ms）的
PPK
PPK
占空比D = TP / T1
峰值功率Ppk的，是一个高峰期
相当于平方功率脉冲。
时间
t1
T
JL = Ppk的
R
θJL
[D + (1 – D)
R（ T1 + TP ） + R （ TP ） - R（ T1 ） ]其中：
T
JL =上面的引线温度的增加，结温。
R（T） =在时间的瞬态热阻抗，吨，即归一化值：
R（ T1 + TP ） =瞬态热阻在时间的标准值，
T1 + TP 。
10
100
1000
图9.热响应
整流设备数据
3
MBR1035 MBR1045
高频率运行
由于电流流过肖特基整流器是大多数人的结果
载流子传导，它是不受结二极管的正向和
反向恢复瞬态由于少数载流子注入和
存储电荷。满意的电路分析工作，可以进行
通过使用模型，由一个理想二极管的并联一个
可变电容。 （参见图10 ）
整流效率测量显示操作
是令人满意的高达几兆赫。例如，相对
波形整流效率为70％左右
2.0兆赫，例如，直流功率之比RMS功率在负载
0.28在该频率，而完美的整改将产生
0.406的正弦波输入。然而，与普通的
结二极管，在波形效率的损失并不反映
功率损耗;它仅仅是反向电流流过的结果
二极管电容，从而降低了直流输出电压。
1500
1000
C，电容（pF ）
700
500
最大
300
典型
200
150
0.05 0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
VR ，反向电压（伏）
图10.电容
肖特基芯片 - 视图A -A
肖特基芯片（参见视图A -A ）
铝线
阳极
3
1
铝接触金属
PLATINUM阻挡金属
氧化
钝化
Guardring
摩托罗拉公司建立的质量和可靠性纳入其肖特基整流器。
首先是芯片，其具有之间的一个接口金属
阻挡层金属和铝接触金属，以消除任何
两者之间可能的相互作用。指定guardring
防止dv / dt的问题，所以缓冲器都不是强制性的。该
guardring还经营就像一个齐纳二极管来吸收过电压
瞬变。
第二是该包。肖特基芯片粘接到
采用特殊配方的焊铜散热器。这给出了
单位通过万经营热疲劳的能力
有一个周期
D
TJ 100℃ 。环氧模塑料
符合UL 94额定V0 @ 1/8“ 。在引线键合100％经过测试
组件，它们被制成。
三是电器检测，其中包括100 ％的dv / dt在1600
V/
m
s和反向雪崩的器件特性的一部分。
150 V， 10 MADC
2.0 k
VCC
12 V
2.0
s
1.0千赫
当前
振幅
调整
0-10 AMPS
2N6277
100
碳
1.0碳
1N5817
100
2N2222
D.U.T.
12伏直流
+
阴极
浸焊剂
铜导线
4
铜
UL认证EPOXY
图11.肖特基整流器
4.0
F
图12.测试电路的dv / dt和
反向浪涌电流
4
整流设备数据
MBR1035-MBR1060
MBR1035 - MBR1060
特点
低功耗，高效率。
高浪涌能力。
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用。
金属硅交界处，多数载流子
传导。
高电流能力，低正向
电压降。
保护环，过电压保护。
.113(2.87)
.103(2.62)
.594(15.1)
.587(14.91)
.27(6.86)
.23(5.84)
.412(10.5)
最大
迪亚
.154(3.91)
.148(3.74)
.185(4.70)
.175(4.44)
.055(1.40)
.045(1.14)
1
.16(4.06)
.14(3.56)
2
尺寸
在：
英寸（毫米）
.56(14.22)
.53(13.46)
.11(2.79)
.10(2.54)
TO-220AC
.037(0.94)
.027(0.68)
PIN 1 +
10安培肖特基势垒整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（重复）
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
R
θJL
T
英镑
T
J
平均整流电流
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） @ T
A
= 135°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结领导
存储温度范围
工作结温
T
A
= 25 ° C除非另有说明
.205(5.20)
.195(4.95)
PIN 2 -
个案的实证
+
例
.025(0.64)
.014(0.35)
参数
价值
10
20
150
2.0
16.6
60
2.0
-65到+175
-65到+150
单位
A
A
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
1035
1045
45
31
45
10,000
0.1
15
-
0.57
0.84
0.72
1.0
0.80
0.70
0.95
0.85
0.5
1050
50
35
50
1060
60
42
60
35
24
35
单位
V
V
V
V /美
mA
mA
V
V
V
V
A
反向重复峰值电压
最大RMS电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
变化的电压率（额定V
R
)
最大反向电流
@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
最大正向电压
I
F =
10 A，T
C
= 25°C
I
F =
10 A，T
C
= 125°C
I
F =
20 A，T
C
= 25°C
I
F =
20 A，T
C
= 125°C
峰值重复反向浪涌
当前
2.0我们脉宽， F = 1.0千赫
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR1035 - MBR1060 ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
MBR1030通MBR1045
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AC
A
C（ TAB ）
A
C
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.580
0.560 0.650
0.380 0.420
0.139 0.161
2.300 0.420
0.100 0.135
0.045 0.070
-
0.250
0.025 0.035
0.190 0.210
0.140 0.190
0.015 0.022
0.080 0.115
0.025 0.055
横行
分钟。
马克斯。
12.70 14.73
14.23 16.51
9.66 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.42
1.15
1.77
-
6.35
0.64
0.89
4.83
5.33
3.56
4.82
0.38
0.56
2.04
2.49
0.64
1.39
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR1030
MBR1035
MBR1040
MBR1045
符号
I
（AV）
I
FSM
dv / dt的
V
F
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
10
150
10000
I
F
= 20A @T
J
=25
o
C
I
F
= 20A @T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.84
0.57
0.1
15
2.5
400
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
V
mA
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向
电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注1 ）
典型结电容（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
C / W
pF
o
o
C
C
注：1.热阻结到管壳。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 220AC模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量0.08盎司， 2.24克
*安装位置：任意
10A肖特基
屏障RECTITIER
MBR1035 MBR1060
10A肖特基整流器
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
护过电压保护
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25 ''（ 6.35mm）时，从壳体
TO-220AC
机械数据
案例：
终端：
极性
安装位置：
安装扭矩：
重量：
JEDEC TO - 220AC ，模压塑体
镀线索，每MIL -STD- 750 ，方法2026
由于标
任何
最大10磅
0.08盎司， 2.24克
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
最大重复峰值反向
电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
当前
峰值正向浪涌电流每支架
工作结温范围
存储温度范围
MBR1035
35
35
MBR1045
45
45
10
MBR1050
50
50
MBR1060
60
60
单位
V
V
A
见图1
8.3ms单半正弦
波叠加
在额定负荷（ JEDEC
法）
条件
V
RRM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
T
英镑
150
-65到+150
-65到+150
A
°C
°C
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联系电话： （ 800 ） -TAITRON （ 800 ） -247-2232
传真： （ 800 ） -TAITFA
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2007-10-26
第1页4
10A肖特基整流器
MBR1035 - MBR1060
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
最大正向
每脚电压（注1 ）
最大瞬时反转
电流在额定阻断电压DC
从最大热阻
结到外壳
MBR1035
-
0.57
0.10
15
2.0
MBR1045
MBR1050
MBR1060
单位
V
mA
° C / W
条件
IF = 10A TC = 25℃
IF = 10A锝= 125°C
TC = 25℃
Tc=125°C
0.80
0.70
V
F
I
R
R
θ -JC
注1 ：
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
典型特性曲线
FIG.1-正向电流降额曲线
IF （ AV）平均正向电流（ A）
Fig.2-最大。非重复性峰值正向浪涌电流
正向电流（A ）
壳温度（ ° C）
FIG.3-典型正向特性
IF正向电流（A）
瞬时反向电流
（MA ）
循环次数在60Hz
FIG.4-典型的反向特性
正向电压（ V）
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1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
版本A / AH 2007-10-26
第2页4
10A肖特基整流器
MBR1035 - MBR1060
FIG.5-典型结电容
结电容（pF ）
反向电压（ V）
尺寸以英寸（毫米）
TO-220AC
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第3页4
10A肖特基整流器
MBR1035 - MBR1060
如何联系我们：
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