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膜生物反应器(F , B) 1035直通MBR (F , B) 1060
威世通用半导体
肖特基势垒整流器
TO-220AC
ITO-220AC
特点
低功耗,高效率
低正向压降
高正向浪涌能力
??高频工作
2
MBR10xx
销1
销2
2
1
MBRF10xx
销1
1
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
245 ° C(用于TO- 263AB封装)峰
浸焊260 ° C, 40秒(对于TO- 220AC和
ITO - 220AC封装)
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
销2
TO-263AB
K
2
1
MBRB10xx
销1
销2
K
散热器
典型应用
适用于低电压,高频整流用
开关模式电源,续流二极管,
直流 - 直流转换器和极性保护应用程序。
机械数据
案例:
TO- 220AC , ITO - 220AC , TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次,满足JESD 201级
1A晶须测试, HE3后缀为高可靠性等级
( AEC Q101标准) ,符合JESD 201 2级
晶须测试
极性:
由于标
安装扭矩:
最大10磅
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
10 A
35 V至60 V
150 A
0.57 V, 0.70 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流(图1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
在t重复峰值反向电流
p
= 2.0微秒, 1千赫
变化的电压率(额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
隔离电压( ITO - 220AC只)
从终端到散热片T = 1分
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
T
英镑
V
AC
1.0
10 000
- 65至+ 150
- 65 + 175
1500
MBR1035
35
MBR1045
45
10
150
0.5
MBR1050
50
MBR1060
60
单位
V
A
A
A
V / μs的
°C
°C
V
文档编号: 88669
修订: 07- 08年5月
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
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1
膜生物反应器(F , B) 1035直通MBR (F , B) 1060
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大瞬时
正向电压
(1)
测试条件
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
MBR1035
MBR1045
MBR1050
MBR1060
单位
-
0.57
0.84
0.72
0.10
15
0.80
0.70
0.95
0.85
V
F
V
最大瞬时
反向电流在额定DC
阻断电压
(1)
注意:
(1 )脉冲测试: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
I
R
mA
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
结点的最大热阻到外壳
符号
R
θJC
MBR
2.0
MBRF
4.0
MBRB
2.0
单位
° C / W
订购信息
(例)
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
注意:
( 1 )汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
MBR1045-E3/45
MBRF1045-E3/45
MBRB1045-E3/45
MBRB1045-E3/81
MBR1045HE3/45
(1)
MBRF1045HE3/45
(1)
MBRB1045HE3/45
(1)
MBRB1045HE3/81
(1)
单位重量(g )
1.80
1.94
1.33
1.33
1.80
1.94
1.33
1.33
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
磁带和卷轴
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
12
负载电阻或电感
175
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
峰值正向浪涌电流( A)
平均正向电流( A)
10
150
8
125
6
100
4
75
2
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
0
50
100
150
50
0
25
0.1
1
10
100
外壳温度( ° C)
环,在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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2
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文档编号: 88669
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膜生物反应器(F , B) 1035直通MBR (F , B) 1060
威世通用半导体
100
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流(A )
10
T
J
= 150 °C
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
1
T
J
= 25 °C
0.1
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
结电容(pF )
1000
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
100
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
100
100
10
T
J
= 125 °C
瞬态热阻抗( ℃/ W)
100
Instantenous反向电流(mA )
10
1
T
J
= 75 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
1
0.001
0
20
40
60
80
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间( S)
图4.典型的反向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
文档编号: 88669
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3
膜生物反应器(F , B) 1035直通MBR (F , B) 1060
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
TO-220AC
0.415 ( 10.54 ) MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 ( 3.91 ) DIA 。
0.148 ( 3.74 ) DIA 。
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
ITO-220AC
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
0.076 ( 1.93 ) REF 。
0.076 ( 1.93 ) REF 。
7 ° REF 。
0.140 ( 3.56 ) DIA 。
0.125 ( 3.17 ) DIA 。
0.135 ( 3.43 ) DIA 。
0.122 ( 3.08 ) DIA 。
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
2
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
7 ° REF 。
2
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 ( 3.81 )最低。
0.08 ( 2.032 ) MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 ( 8.38 )最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 ( 10.66 ) MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 ( 0 0.254 )
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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修订: 07- 08年5月
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日前,Vishay
放弃
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    终端采购配单精选

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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
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联系人:朱先生
地址:广东深圳福田区华强北上步工业区405栋6楼607
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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MBR1045-E3/45
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