MBR1035-MBR1060
MBR1035 - MBR1060
特点
低功耗，高效率。
高浪涌能力。
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用。
金属硅交界处，多数载流子
传导。
高电流能力，低正向
电压降。
保护环，过电压保护。
PIN 1 +
+
PIN 2 -
个案的实证
例
1
2
TO-220AC
肖特基整流器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
1035
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
35
价值
1045
45
10
150
-65到+175
-65到+150
1050
50
1060
60
单位
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
功耗
热阻，结到环境
热阻，结领导
参数
价值
2.0
60
2.0
单位
W
° C / W
° C / W
电气特性
符号
V
F
正向电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
1035
I
F =
10 A，T
C
= 25°C
I
F =
10 A，T
C
= 125°C
I
F =
20 A，T
C
= 25°C
I
F =
20 A，T
C
= 125°C
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
峰值重复反向浪涌电流
2.0我们脉宽， F = 1.0千赫
-
0.57
0.84
0.72
设备
1045
1050
0.80
0.70
0.95
0.85
0.1
15
1.0
0.5
1060
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
I
R
I
RRM
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR1035 - MBR1060 ，版本C
MBR1035-MBR1060
肖特基整流器器
（续）
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
10
MBR1035-MBR1045
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
12
175
150
125
100
75
50
25
0.1
8
MBR1050-MBR1060
6
4
2
0
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.00毫米） LOAD
长度
0
25
50
75
100
125
环境温度[摄氏度]
150
175
1
10
循环次数在60Hz
100
图1.正向电流降额曲线
图2.不重复浪涌电流
50
T
A
= 150
C
T
A
= 25
C
20
10
反向电流，I
R
[马]
MBR1035-MBR1045
T
A
= 125
C
正向电流I
F
[A]
10
1
MBR1035-MBR1045
MBR1050-MBR1060
T
A
= 75
C
1
MBR1050-MBR1060
0.1
MBR1035-MBR1045
0.1
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.01
T
A
= 25
C
MBR1050-MBR1060
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压，V
F
[V]
1
1.2
0.001
0
20
40
60
80
100
120
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
图4.反向电流与反向电压
5000
瞬态热阻抗[ C / W ]
100
总电容，C
T
[ pF的]
2000
1000
MBR1035-MBR1045
10
500
MBR1050-MBR1060
1
200
100
0.1
1
10
反向电压， V
R
[V]
100
0.1
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间[S]
100
图5.总电容
图6.热阻抗特性
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR1035 - MBR1060 ，版本C
商标
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ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
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如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
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