MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MBR1030CT
THRU
MBR1060CT
10 AMP
肖特基势垒
整流器器
30-60伏
TO-220AB
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
Microsemi的
目录
数
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
30V
35V
40V
45V
50V
60V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
30V
35V
40V
45V
50V
60V
B
C
K
针
1
2
3
L
M
D
A
E
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
MBR1050CT
MBR1060CT
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
MBR1050CT
MBR1060CT
21V
24.5V
28V
31.5V
35V
42V
F
G
I
J
N
H H
销1
销2
例
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
I
F（ AV ）
I
FSM
10A
125A
T
C
= 105°C
8.3ms的，半正弦
3脚
MM
14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03
15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
V
F
.70V
.80V
.57V
.65V
0.1mA
15mA
I
FM
= 5A
T
J
= 25°C
I
FM
= 5A
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
IR
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.090
.110
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
C
J
170pF
220pF
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比2 ％
www
mccsemi.com
.
MBR1030CT - MBR1060CT
10A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
L
B
C
K
D
A
1
2
3
TO-220AB
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
民
14.22
9.65
2.54
5.84
12.70
2.29
0.51
3.53
3.56
1.14
0.30
2.03
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
2.79
1.14
4.09
4.83
1.40
0.64
2.92
E
J
N
G
H
J
K
L
M
N
P
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：对人体标示
重量：2.24克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
H H
销1
销2
3脚
P
例
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 105°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
重复峰值反向浪涌电流
正向电压降
@ t
2.0ms
@ I
F
= 5.0A ，T
C
= 125°C
@ I
F
= 5.0A ，T
C
= 25°C
@ I
F
= 10A ，T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
符号1030CT
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
I
RRM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
30
21
MBR
1035CT
35
24.5
MBR
1040CT
40
28
MBR
1045CT
45
31.5
MBR
1050CT
50
35
MBR
1060CT
60
42
单位
V
V
A
A
A
10
125
1.0
0.57
0.70
0.84
0.1
15
150
30
1000
-65到+150
0.70
0.80
0.95
V
mA
pF
K / W
V / ms的
°C
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
工作和存储温度范围
注意事项：
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
DS30027修订版A- 2
1 2
MBR1030CT-MBR1060CT
MBR1030CT通MBR1045CT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C（ TAB ）
A
C
A
C
A
尺寸TO- 220AB
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
符号
I
（AV）
I
FSM
dv / dt的
V
F
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=105
o
C
最大额定值
10
125
10000
I
F
= 5A @T
J
=25
o
C
I
F
= 5A @T
J
=125
o
C
I
F
= 10A @T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.57
0.70
0.84
0.1
15
3.0
170
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向
电压（注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
典型结电容每元（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
mA
o
C / W
pF
o
o
C
C
注： 1。 300US脉冲宽度，占空比2 ％ 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 220AB模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量0.08盎司， 2.24克
*安装位置：任意
BL
特点
银河电子
MBR1030CT - - - MBR1060CT
电压范围： 30 - 60 V
电流： 10 A
双
肖特基整流器
高S恳请能力。
对我们来说， E在低电压，高频率逆变器，免费
111wheeling,
和极性保护应用。
金属源ilicon结，男ajority载流子导电。
高电流能力，低正向压降。
保护环，过电压保护。
TO-220AB
机械数据
CAS E： JEDEC TO - 220AB ，男olded PLAS抽动身体
长期inals ：信息，S olderable每MIL -STD- 750 ，
1 1
方法2026
极性：米arked
重量0.08盎司， 2.24克s
POS银行足球比赛：任何
mm
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单相半波，60赫兹，电阻或电感load.For容性负载，减免电流20 ％ 。
MBR
1030CT
最大的经常峰值反向电压
最大RMS V oltage
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD总device11111111
m
整流电流@T
C
= 105°C
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
b
正弦-W AVE叠加在额定负荷
最大FORW ARD
每腿压
（注1 ）
MBR
1035CT
35
25
35
MBR
MBR
MBR
MBR
1040CT
1045CT
1050CT 1060CT
40
28
40
10.0
125.0
45
32
45
50
35
50
60
42
60
单位
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
30
21
30
(I
F
=5.0A,T
C
=125 )
(I
F
= 5.0A ，T
C
=25 )
(I
F
= 10 A，T
C
=25
)
0.57
0.70
0.80
0.95
0.1
15.0
30
-
55
---- + 150
-
55
---- + 150
www.galaxycn.com
V
F
0.70
0.84
V
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
C
=25
@T
C
=125
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
K / W
每站最大热电阻
工作结温范围
存储温度范围
注： 1.脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的关税CY CLE 。
2. 2.0
的脉动宽度中，f = 1.0KH
Z
3.热阻f光盘结点到外壳。
文档编号0267017
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - 正向电流降额曲线
12.5
MBR1030CT - - - MBR1060CT
cc
峰值正向浪涌
当前，安培
图2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流PERLEG
150
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
负载电阻或电感
平均正向
当前，安培
10
7.5
5.0
2.5
0
125
100
75
50
25
0
0
50
100
150
1
10
100
外壳温度
图3 - 典型正向
11111vCHARACTERISTIC
PERLEG
正向
当前，安培
40
10
T
J
=125
脉冲宽度= 300
s
1 ％占空比
T
J
=25
循环次数在60Hz
图4 - 典型的反向特性
bn
111
瞬时反向
当前，毫安
40
10
T
J
=125
1
T
J
=75
1
0.1
0.1
MBR1030CT-MBR1045CT
MBR1050CT&MBR1060CT
0.01
MBR1030CT-MBR1045CT
MBR1050CT&MBR1060CT
T
J
=25
0.01
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.11.2
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
百分比额定峰值反向电压，
1FIG.5--TYPICAL
结电容PERLEG
4000
图6 - 典型的瞬态热阻抗
PERLEG
cc
c
结电容， pF的
1000
瞬态热
阻抗/ W
T
J
=25
f=1.0MHz
Vsig=50MVp-p
100
10
100
1
10
0.1
MBR1030CT-MBR1045CT
MBR1050CT&MBR1060CT
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压，伏
PULSE DURATON二段。
www.galaxycn.com
文档编号0267017
BL
银河电子
2.
MBR1020CT~MBR10100CT
10安培肖特基二极管
电压
20至100伏特
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率。
高电流能力
Guardring为overvlotage保护
适用于低电压，高频率逆变器的使用
无铅产品可供选择： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
.038(0.96)
.019(0.50)
TO-220AB
单位：英寸（毫米）
当前
10安培
.419(10.66)
.387(9.85)
.139(3.55)
民
.196(5.00)
.163(4.16)
.054(1.39)
.045(1.15)
.269(6.85)
.226(5.75)
.624(15.87)
.50(12.7)MIN
续流和polarlity保护应用。
.177(4.5)MAX
.548(13.93)
.025(0.65)MAX
MECHANICALDATA
案例： TO- 220AB模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：标示。
安装位置：任意
重量0.08盎司， 2.24克。
.1(2.54)
.1(2.54)
AC
CT阳性
AC
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币（S eefig 1 ）
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE -
WA已经s提高erimposedonratedload （ JEDEC浩会见四）
米喜米庵F orward V oltageat 5 A， perleg
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
c
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G （E T）
c
= 1 2 5
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究（E S）我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 法兰
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM BOLMBR 1 0 2 0 CTMBR 1 0 3 0 CTMBR 1 0 4 0 CTMBR 1 0 4 5 CTMBR 1 0 5 0 CTMBR 1 0 6 0 CTMBR 1 0 8 0 CTMBR 1 0 1 0 0 CTUNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
0 .6 5
0 .1
20
2
- 5 0到+ 1 5 0
- 5 0到+ 1 7 5
O
20
14
20
30
21
30
40
28
40
45
3 1 .5
45
10
150
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
0 .7 5
0 .8
V
I
R
mA
RθJ
T
J
T
英镑
C / W
O
C
C
O
注意事项：
这两个粘接和芯片结构可供选择。
REV.0-MAR.30.2005
PAGE 。 1
MBR1030CT
THRU
MBR10200CT
10.0安培。肖特基势垒整流器
电压范围
30至200伏特
当前
10.0安培
特点
采用塑料材料进行保险商实验室
分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒0.25“ （ 6.35mm）时，从案例
TO-220
机械数据
案例： JEDEC TO - 220A模压塑体
码头：每MIL -STD- 750方法2026无铅焊
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5 - 磅。最大
重量0.08盎司， 2.24克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
评分在25℃环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在Tc = 125
O
C
峰值重复正向电流（额定V
R
,
方波，为20KHz ）在Tc = 125
o
C
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
V
F
I
R
dv / dt的
Rθ
JC
T
J
T
英镑
MBR膜生物反应器MBR膜生物反应器MBR膜生物反应器MBR膜生物反应器MBR
1030 1035 1040 1045 1050 1060 1010 1015 1020
CT CT CT CT CT CT 0CT 0CT 0CT
单位
V
V
V
A
A
A
A
30
21
30
35
24
35
40
28
40
45
31
45
50
35
50
10
32
120
0.5
60
42
60
100 150 200
70 105 140
100 150 200
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压：
o
（注2 ）
I
F
= 5A ，T
C
=25 C
o
I
F
= 5A ，T
C
=125 C
最大瞬时反向电流
@ TC = 25 ℃时额定阻断电压DC
（注2 ）
变化的电压率（额定V
R
)
0.70
0.57
0.1
0.80
0.65
0.85 0.88 0.99
0.75 0.78 0.87
0.8
0.2
V
mA
V /美
℃/W
℃
℃
最典型热阻（注3 ）
工作结温范围
10,000
1.5
-65到+150
-65到+175
存储温度范围
注：1. 2.0us脉冲宽度， F = 1.0千赫
2.脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
从结3.热阻时的每腿，山在2散热器尺寸×3英寸x 0.25英寸铝板材。
- 128 -
额定值和特性曲线（ MBR1030CT MBR10200CT THRU ）
FIG.1-正向电流降额曲线
6
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流
180
峰值正向浪涌电流。 （ A）
平均正向电流。 （ A）
电阻或
感性负载
5
150
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
4
120
90
3
60
2
1
0
0
50
100
o
外壳温度。 （ C）
150
30
0
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
FIG.3-典型正向
特征
40
Tj=25
0
C
MBR1050CT-MBR1060CT
FIG.4-典型的反向特性
50
10
瞬时反向电流。 （MA ）
瞬时正向电流。 （ A）
10
Tj=125
0
C
MBR1030CT-MBR1045CT
1
MBR10100CT
1
Tj=75
0
C
0.1
MBR10150CT
0.1
MBR10200CT
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
0.01
0
0.01
Tj=25
0
C
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压。 （V ）
0.4
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容
5,000
FIG.6-典型瞬态热特性
每腿
100
1,000
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
瞬态热阻抗。 （
O
C / W ）
100
结电容。 （PF ）
10.0
500
1
100
0.1
1.0
10
的反向电压。 （V ）
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间。 （秒）
10
100
- 129 -
SPICE模型： MBR1030CT MBR1040CT MBR1045CT MBR1050CT MBR1060CT
MBR1030CT - MBR1060CT
10A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品，符合RoHS （注3 ）
K
C
D
A
1
2
3
TO-220AB
L
B
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
民
14.48
10.00
2.54
5.90
2.80
12.70
2.40
0.69
3.54
4.07
1.15
0.30
2.04
最大
15.75
10.40
3.43
6.40
3.93
14.27
2.70
0.93
3.78
4.82
1.39
0.50
2.79
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
案例： TO- 220AB
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
极性：对人体标示
码头：完成 - 亮锡。每焊
MIL- STD- 202方法208
标记：型号数量
重量：2.24克数（大约）
J
E
G
N
H
J
K
L
P
H H
销1
销2
3脚
M
N
P
例
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 105°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
重复峰值反向浪涌电流
正向电压降
@ t
2.0ms
@ I
F
= 5.0A ，T
C
= 125°C
@ I
F
= 5.0A ，T
C
= 25°C
@ I
F
= 10A ，T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
符号1030CT
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
I
RRM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
30
21
MBR
1035CT
35
24.5
MBR
1040CT
40
28
MBR
1045CT
45
31.5
MBR
1050CT
50
35
MBR
1060CT
60
42
单位
V
V
A
A
A
10
125
1.0
0.57
0.70
0.84
0.1
15
150
30
1000
-65到+150
0.70
0.80
0.95
V
mA
pF
K / W
V / ms的
°C
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
工作和存储温度范围
注意事项：
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用，看
欧盟指令附件注5和7 。
DS30027修订版2 - 2
1 2
www.diodes.com
MBR1030CT-MBR1060CT
Diodes公司
I
F
，正向电流（A）
10
100
I
（AV）
，平均正向电流（A）
8
MBR1030CT - MBR1045CT
10
6
4
MBR1050CT / MBR1060CT
1.0
2
0
0
50
100
150
T
C
，外壳温度（
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
1000
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
300
200
150
C
j
，结电容（pF ）
250
100
100
50
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
0
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
100
10
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型结电容
订购信息
设备
MBR10xxCT*
（注4 ）
包装
TO-220AB
航运
50/Tube
* XX =设备类型，例如， MBR1045CT
注意事项：
4.包装信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdf 。
DS30027修订版2 - 2
2 2
www.diodes.com
MBR1030CT-MBR1060CT
上海Lunsure电子
科技有限公司
联系电话： 0086-21-37185008
传真： 0086-21-57152769
特点
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
MBR1030CT
THRU
MBR1060CT
10 AMP
肖特基势垒
整流器器
30-60伏
TO-220AB
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
设备
记号
:
最大
复发
PEAK
反向
电压
30V
35V
40V
45V
50V
60V
最大
RMS
电压
21V
24.5V
28V
31.5V
35V
42V
最大
DC
闭塞
电压
30V
35V
40V
45V
50V
60V
目录
数
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
MBR1050CT
MBR1060CT
B
C
K
针
L
M
D
A
E
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
MBR1050CT
MBR1060CT
F
G
I
J
N
H H
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
I
F（ AV ）
I
FSM
10A
125A
T
C
= 105°C
销1
8.3ms的，半正弦
3脚
销2
例
MM
14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03
15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
V
F
.70V
.80V
.57V
.65V
0.1mA
15mA
I
FM
= 5A
T
J
= 25°C
I
FM
= 5A
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
IR
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.090
.110
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
C
J
170pF
220pF
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比2 ％
www
cnelectr.com
.
MBR1030CT-MBR1060CT
肖特基势垒刘坤，李正熙
产品概述
TO-220
TO- 220塑封装晶体管
特点
肖特基势垒芯片
保护环片施工瞬态保护
低功耗，高效率
极低的正向电压降
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
1
.
阳极
2.阴极
3.阳极
123
1
无铅;符合RoHS标准
电气特性
（环境温度Tamb =
25
o
C
除非另有规定）
符号
特征
2
3
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
1030CT 1035CT 1040CT 1045CT 1050CT 1060CT
单位
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
PMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
=105℃
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷
@ T≤在2.0μs
正向电压降
@ I
F
= 5.0A ，T
C
=125℃
@ I
F
= 5.0A ，T
C
= 25℃
@ I
F
= 10A ，T
C
= 25℃
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@ T
C
= 25℃
@ T
C
=125℃
（ JEDEC的方法）
重复峰值反向浪涌电流
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
21
24.5
28
10
31.5
35
42
V
A
30
35
40
45
50
60
V
I
FSM
125
A
I
RRM
0.57
V
FM
0.70
0.84
I
RM
C
j
T
j
, T
英镑
1.0
0.70
0.80
0.95
0.1
15
150
-65到+150
A
V
mA
pF
℃
典型结电容（注2 ）
工作和存储温度范围
注：1.热阻结到外壳安装散热器。
2.测得1.OMHz和应用的4.0V直流反向电压。
2007年1月29日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
1
MBR1030CT-MBR1060CT
肖特基势垒刘坤，李正熙
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无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
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硅标准公司或任何第三方。
2007年1月29日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
2
MBR1030CT通MBR1045CT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C（ TAB ）
A
C
A
C
A
尺寸TO- 220AB
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
符号
I
（AV）
I
FSM
dv / dt的
V
F
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=105
o
C
最大额定值
10
125
10000
I
F
= 5A @T
J
=25
o
C
I
F
= 5A @T
J
=125
o
C
I
F
= 10A @T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.57
0.70
0.84
0.1
15
3.0
170
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向
电压（注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
典型结电容每元（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
mA
o
C / W
pF
o
o
C
C
注： 1。 300US脉冲宽度，占空比2 ％ 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 220AB模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量0.08盎司， 2.24克
*安装位置：任意
QQ：2880707522 复制
