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Compact技术
MBR1020CT通MBR10200CT
肖特基势垒整流器器
反向电压 -
20
to
200
伏
正向电流 -
10.0
安培
特点
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降
高电流能力
塑料材料进行UL认证94V- 0
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
TO-220AB
.189(4.82)
.173(4.4)
.055(1.4)
.043(1.1)
.026(0.68)
.403(10.26)
.385(9.8)
.129(3.3)
.1(2.54)
.153(3.9)
.145(3.7)
.251(6.4)
.228(5.8)
.624(15.87)
.578(14.7)
.036(0.92)
.028(0.72)
案例： TO- 220AB模压塑料
极性：颜色频带为负极
重量： 1.948克
安装位置：任意
.051(1.3)
.145(1.16)
.388(9.87)
.250(6.35)
.101(2.59)
.098(2.49)
.114(2.92)
.080(2.05)
最大额定值和电气特性
在25环境温度额定值，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
I
I
CTC-MBR-0001
1
2
MBR1020CT通MBR10200CT
.014(0.36)
机械数据
.549(13.96)
.499(12.7)
Compact技术
MBR1020CT通MBR10200CT
图。 1 ，典型正向电流降额曲线
20
正向电流（A ）
100.00
图。 2 ，典型正向特性
平均正向电流（ A）
15
10.00
10
1.00
5
0.10
MBR1020CT~MBR1040CT
MBR1050CT~MBR1060CT
MBR1080CT~MBR10100CT
MBR10150CT~MBR10200CT
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
环境温度（ ）
0.01
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
正向电压（ V）
0.8
0.9
图。 3最大非重复正向浪涌电流
150
图。 4 ，典型的反向特性
100.0000
峰值正向浪涌电流（ A）
反向漏电流（mA）
120
10.0000
1.0000
90
0.1000
100
60
0.0100
30
0.0010
25
0
1
10
循环次数在60Hz
100
0.0001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
百分比额定峰值反向电压（ ％ ）
图。 5 ，典型结电容
1000.0
MBR1020CT~MBR1040CT
MBR1050CT~MBR1060CT
800.0
结电容（pF ）
MBR1080CT~MBR10150CT
MBR10200CT
600.0
400.0
200.0
0.0
0
1
10
反向电压（ V）
100
CTC-MBR-0001
2
2
MBR1020CT通MBR10200CT
MBR1020CT~MBR10100CT
10安培肖特基二极管
电压
20至100伏特
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率。
高电流能力
Guardring为overvlotage保护
适用于低电压，高频率逆变器的使用
无铅产品可供选择： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
.038(0.96)
.019(0.50)
TO-220AB
单位：英寸（毫米）
当前
10安培
.419(10.66)
.387(9.85)
.139(3.55)
民
.196(5.00)
.163(4.16)
.054(1.39)
.045(1.15)
.269(6.85)
.226(5.75)
.624(15.87)
.50(12.7)MIN
续流和polarlity保护应用。
.177(4.5)MAX
.548(13.93)
.025(0.65)MAX
MECHANICALDATA
案例： TO- 220AB模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：标示。
安装位置：任意
重量0.08盎司， 2.24克。
.1(2.54)
.1(2.54)
AC
CT阳性
AC
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币（S eefig 1 ）
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE -
WA已经s提高erimposedonratedload （ JEDEC浩会见四）
米喜米庵F orward V oltageat 5 A， perleg
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
c
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G （E T）
c
= 1 2 5
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究（E S）我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 法兰
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM BOLMBR 1 0 2 0 CTMBR 1 0 3 0 CTMBR 1 0 4 0 CTMBR 1 0 4 5 CTMBR 1 0 5 0 CTMBR 1 0 6 0 CTMBR 1 0 8 0 CTMBR 1 0 1 0 0 CTUNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
0 .6 5
0 .1
20
2
- 5 0到+ 1 5 0
- 5 0到+ 1 7 5
O
20
14
20
30
21
30
40
28
40
45
3 1 .5
45
10
150
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
0 .7 5
0 .8
V
I
R
mA
RθJ
T
J
T
英镑
C / W
O
C
C
O
注意事项：
这两个粘接和芯片结构可供选择。
REV.0-MAR.30.2005
PAGE 。 1
MBR1020CT~MBR10100CT
额定值和特性曲线
40
平均正向电流，
安培
正向电流
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0
0
20,30,40,45V
10
8
6
4
2
1.0
.8
.6
.4
.2
.1
50,60,80,100V
MBR1020CT~MBR1045CT
MBR1050CT~MBR10100CT
50
100
150
T
J
= 25 C
脉冲宽度= 300我们
1 ％占空比
O
外壳温度
O
C
.3
正向电压，伏
.4
.5
.6
.7
.8
.9
1.0
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-最大 - 非重复浪涌
当前
10
瞬时反向电流，毫安
200
峰值正向浪涌电流，
TC = 125℃
1.0
O
175
150
125
100
75
50
25
0
1
2
5
10
20
50
100
8.3ms单半以来-WAVE
JEDEC的方法
0.1
TC = 75℃
O
0.01
TC=25
O
C
0 .001
20
40
60
80
100
NO 。周期在60Hz
百分之瞬时反向电压， ％
FIG.3-典型的反向特性
FIG.4-典型正向
CHRACTERISTICS
REV.0-MAR.30.2005
PAGE 。 2
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