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数据表
高压功率肖特基整流器
概述
高电压双
肖特基
整流器适用于开关
模式电源及其他电源转换器。
本装置适用于中压用
操作,并且特别地,在高频电路
其中,低开关损耗和低噪声的
所需。
该MBR10150C是标准的TO- 220F - 3可用,
TO- 220-3和TO- 220-3 (2)的包。
MBR10150C
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
T
J
V
F
(最大)
2
×
5A
150V
150°C
0.85V
机械特性
特点
高浪涌能力
150 ° C工作结温
10A合计( 5A每二极管腿)
保护环应力保护
无铅包可用
案例:环氧树脂,模压
环氧符合UL 94V- 0 @ 0.125英寸
重量(大约):
1.9Grams (TO- 220-3 ,TO- 220-3 (2)和
TO-220F-3)
表面处理:所有外部表面腐蚀
性和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的:
260 ° C最大10秒
应用
电源
输出整流
电源管理
仪器仪表
TO-220F-3
TO- 220-3 (可选)
TO- 220-3 (2)
MBR10150C图1.包装类型
2011年3月
修订版1.3
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
引脚配置
牛逼套餐
( TO- 220-3 ) (可选)
(TO- 220-3 ( 2))的
MBR10150C
TF包
(TO-220F-3)
图2. MBR10150C的引脚配置(顶视图)
MBR10150C图3.内部结构
2011年3月
修订版1.3
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
订购信息
MBR10150C
-
E1 :无铅
G1 :绿
空白:管
MBR10150C
电路类型
T: TO- 220-3 ( 2 )
TO- 220-3 (可选)
TF : TO- 220F - 3
TO- 220-3 (2)
TO-220F-3
产品型号
无铅
MBR10150CT-
E1
MBR10150CTF
-E1
标记ID
无铅
MBR10150CT-
E1
MBR10150CTF-
E1
绿色
MBR10150CT-
G1
MBR10150CTF-
G1
绿色
MBR10150CT-
G1
MBR10150CTF-
G1
填料
TYPE
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
在绿色封装与“G1 ”后缀的产品。
绝对最大额定值(每二极管腿) (注1 )
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
) T
C
=142°C
重复峰值正向电流
(额定V
R
,方波, 20kHz的)T
C
=142°C
非重复峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下半波,单相,
60Hz)
工作结温范围(注2 )
存储温度范围
变化的电压率(额定V
R
)
ESD (机器型号= C )
ESD(人体模型= 3B)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FRM
I
FSM
T
J
T
英镑
dv / dt的
价值
150
5
10
100
150
-55到150
10000
>400
>8000
单位
V
A
A
A
°C
°C
V / μs的
V
V
注1 :应力大于“绝对最大额定值”,可能会造成永久性的损坏
该设备。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或任何其他条件
超越那些在表示“推荐工作条件”是不是暗示。置身于“绝对
最大额定值“,长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 :产生必须小于从结到环境的热传导热: DP
D
/ DT
J
& LT ;
1/θ
JA
.
2011年3月
修订版1.3
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
推荐工作条件
参数
符号
θ
JC
最大热阻
θ
JA
连接点
环境
to
MBR10150C
条件
结到外壳
价值
TO-220-3/
TO- 220-3 (2)
TO-220F-3
TO-220-3/
TO- 220-3 (2)
TO-220F-3
3.0
4.5
60
60
单位
° C / W
电气特性
参数
最大正向
电压降(注3 )
符号
V
F
条件
I
F
= 5A ,T
C
=25°C
I
F
= 5A ,T
C
=125°C
评级
DC
T
C
=25°C
评级
DC
T
C
=125°C
电压,
价值
0.92
0.82
0.1
单位
V
最大瞬时反转
电流(注3)
I
R
mA
电压,
15.0
注3 :脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
2011年3月
修订版1.3
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
典型性能特性
MBR10150C
100
10000
正向电流(A )
1000
10
T
J
=150 C
o
反向电流(
A)
100
T
J
=150 C
1
o
T
J
=125 C
o
10
T
J
=125 C
o
1
0.1
0.1
T
J
=25 C
0.01
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.01
0
20
40
60
80
100
o
T
J
=25 C
120
140
160
o
正向电压( V)
反向电压( V)
图4.典型正向电压每二极管
图5.典型的反向电流每二极管
10
9
平均正向电流( A)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
100
105
110
115
120
125
130
135
o
140
145
150
155
外壳温度( C)
Figure6 。平均正向电流与
外壳温度(广场,每二极管)
2011年3月
修订版1.3
5
BCD半导体制造有限公司
查看更多MBR10150CTF-E1PDF信息
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MBR10150CTF-E1
    -
    -
    -
    -
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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    MBR10150CTF-E1
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    终端采购配单精选

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电话:0755-84507209
联系人:骆
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河World-A座2203A室
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
MBR10150CTF-E1
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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原厂一级代理,原装现货
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联系人:陈泽强
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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