MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MBR10150CT
10安培高压
功率肖特基
高结温度能力
较好的折中之间的泄漏电流
和正向压降Volage
低漏电流
垒整流器器
150Volts
TO-220AB
B
C
K
E
针
1
3
最大额定值
工作恩膏温度： 150℃
存储温度： - 50 ° C至+ 150°C
每 IODE热阻4 ° C / W结到管壳
总热阻2.4 ° C / W结到管壳
MCC
目录
数
MBR 10150 CT
最大
复发
反向峰值
电压
150 V
最大
RMS
电压
105V
最大
DC
闭塞
电压
150 V
L
M
D
A
F
G
I
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
MBR10150CT
I
F（ AV ）
I
FSM
10 A
120A
T
C
= 155
°C
8.3ms的正弦半
H H
销1
3脚
销2
例
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
英寸
.600
.620
.393
.409
.104
.116
.244
.259
.356
.361
.137
.154
.511
.551
.094
.106
.024
.034
.019
.027
.147
.151
.173
.181
.048
.051
0.102吨页。
MM
15.25
15.75
10.00
10.40
2.65
2.95
6.20
6.60
9.05
9.15
3.50
3.93
13.00
14.00
2.40
2.70
0.61
0.88
0.49
0.70
3.75
3.85
4.40
4.60
1.23
1.32
2.6吨YP 。
V
F
V
F
.92V
.75V
I
FM
= 5A
T
J
= 25°C
I
FM
= 5A
T
J
= 125°C
最大
反向电流
额定DC阻断
电压
I
R
50
A
7米一
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
*脉冲测试：脉冲Width380μsec ，占空比2 ％
www.mccsemi.com
MBR10150CT
MCC
图。 2 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5，每二极管） 。
IF （ AV ） （A ）
6
RTH （ J- A）=的Rth （J -C ）
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（每二极管） 。
PF （AV） （W）的
5.0
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 0.1
4.5
4.0
δ
= 0.05
3.5
δ
=1
3.0
2.5
2.0
1.5
T
1.0
0.5
IF （ AV ） （A ）
tp
δ
= TP / T
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
5
4
3
2
1
0
δ
= TP / T
tp
T
Rth(j-a)=15°C/W
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
175
0
25
图。 3 ：
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间（最大值，每
二极管） 。
IM （ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-3
I
M
t
图。 4 ：
热阻抗的相对变化
结到外壳与（每二极管）脉冲持续时间。
第Z （J -C ） / Rth的（J -C ）
1.0
0.8
Tc=50°C
0.6
0.4
0.2
δ
= 0.5
Tc=75°C
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Tc=125°C
T
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
单脉冲
TP （多个）
1E-2
1E-1
0.0
1E-3
δ
= TP / T
tp
1E+0
图。 5 ：
反向漏电流与反向
应用（典型值，每个二极管）电压
IR（ μA ）
1E+5
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
VR （ V）
0
25
50
75
100
125
150
Tj=75°C
Tj=175°C
Tj=150°C
Tj=125°C
图。 6 ：
结电容与反向
施加电压（典型值，每二极管） 。
C（ pF）的
200
100
50
F=1MHz
Tj=25°C
Tj=25°C
20
VR （ V）
10
1
2
5
10
20
50
100
200
www.mccsemi.com
MBR10150CT
MCC
图。 8 ：
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面（环氧树脂印刷
电路板，铜箔厚度： 35μm的）
（仅STPS10150CG ） 。
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
80
图。 7 ：
正向压降与前进
电流（最大值，每个二极管） 。
IFM （ A）
100.0
Tj=125°C
典型值
70
60
50
Tj=25°C
10.0
Tj=125°C
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
1.0
VFM （ V）
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
S（平方厘米）
10
12
14
16
18
20
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上海Lunsure电子
科技有限公司
联系电话： 0086-21-37185008
传真： 0086-21-57152769
MBR10150CT
特点
高结温度能力
较好的折中之间的泄漏电流
和正向压降Volage
低漏电流
10安培高压
功率肖特基
垒整流器器
150Volts
TO-220AB
B
C
K
针
最大额定值
工作恩膏温度： 150℃
存储温度： - 50 ° C至+ 150°C
每 IODE热阻4 ° C / W结到管壳
总热阻2.4 ° C / W结到管壳
目录
数
MBR 10150 CT
最大
复发
反向峰值
电压
150 V
最大
RMS
电压
105V
最大
DC
闭塞
电压
150 V
L
M
D
A
E
F
G
I
J
N
H H
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
MBR10150CT
I
F（ AV ）
I
FSM
10 A
120A
T
C
= 155
°C
8.3ms的正弦半
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
销1
3脚
销2
例
MM
14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03
15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
V
F
V
F
.92V
.75V
I
FM
= 5A
T
J
= 25°C
I
FM
= 5A
T
J
= 125°C
最大
反向电流
额定DC阻断
电压
I
R
50
A
7米一
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.090
.110
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
*脉冲测试：脉冲Width380μsec ，占空比2 ％
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MBR10150CT
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（每二极管） 。
PF （AV） （W）的
5.0
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 0.1
4.5
4.0
δ
= 0.05
3.5
δ
=1
3.0
2.5
2.0
1.5
T
1.0
0.5
IF （ AV ） （A ）
tp
δ
= TP / T
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
图。 2 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5，每二极管） 。
IF （ AV ） （A ）
6
RTH （ J- A）=的Rth （J -C ）
5
4
3
2
1
0
δ
= TP / T
tp
T
Rth(j-a)=15°C/W
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
175
0
25
图。 3 ：
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间（最大值，每
二极管） 。
IM （ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-3
I
M
t
图。 4 ：
热阻抗的相对变化
结到外壳与（每二极管）脉冲持续时间。
第Z （J -C ） / Rth的（J -C ）
1.0
0.8
Tc=50°C
0.6
0.4
0.2
δ
= 0.5
Tc=75°C
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Tc=125°C
T
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
单脉冲
TP （多个）
1E-2
1E-1
0.0
1E-3
δ
= TP / T
tp
1E+0
图。 5 ：
反向漏电流与反向
应用（典型值，每个二极管）电压
IR（ μA ）
1E+5
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
VR （ V）
0
25
50
75
100
125
150
Tj=75°C
Tj=175°C
Tj=150°C
Tj=125°C
图。 6 ：
结电容与反向
施加电压（典型值，每二极管） 。
C（ pF）的
200
100
50
F=1MHz
Tj=25°C
Tj=25°C
20
VR （ V）
10
1
2
5
10
20
50
100
200
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MBR10150CT
图。 7 ：
正向压降与前进
电流（最大值，每个二极管） 。
图。 8 ：
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面（环氧树脂印刷
电路板，铜箔厚度： 35μm的）
（仅STPS10150CG ） 。
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
80
IFM （ A）
100.0
Tj=125°C
典型值
70
60
50
Tj=25°C
10.0
Tj=125°C
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
1.0
VFM （ V）
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
S（平方厘米）
10
12
14
16
18
20
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MBR10150CT ， MBRF10150CT
双共阴极高压肖特基势垒整流器
反向电压150伏特正向电流10.0安培
特点
Guardring过电压保护
低功耗，高效率
低正向压降
高频率运行
浸焊260℃ 40秒
对于高频率逆变器，续流和极性使用
保护应用
机械数据
案例： TO- 220AB ， ITO - 220AB环氧符合UL- 94V- 0
可燃性等级
终端：雾锡镀（ E3后缀）的线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
最大10英寸磅：安装扭矩
极性：标示
重量0.08盎司， 2.24克
TO-220AB
ITO-220AB
单位：毫米
360
最大额定值和电气特性
( T
C
= 25
o
C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流（参照图1）
设备总
每腿
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
MBR10150CT
150
150
150
10
5.0
160
1.0
10,000
单位
伏
伏
伏
安培
安培
AMP
V/
us
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
= 2.0
u
S， 1KHz的
变化的电压率（额定V
R
)
每站最大瞬时正向电压（注4 ）
在我
F
= 5.0A ，T
J
=25
o
C
在我
F
= 5.0A ，T
J
=125 C
在我
F
= 10A ，T
J
=25 C
在我
F
= 10A ，T
J
=125 C
最大反向电流每
腿在工作峰值反向
电压（注4 ）
T
J
=25 C
T
J
=125
o
C
o
o
o
o
0.88
V
F
0.72
0.96
0.80
5.0
I
R
1.0
R
θ
JC
V
ISOL
T
J
, T
英镑
MBR 2.4 / 4.5 MBRF
4500 （注1 ）
3500 （注2）
1500 （注3）
-55到+150
o
伏
uA
mA
C / W
每腿典型热阻
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片采用t = 1.0秒，相对湿度< 30 ％
工作结存储温度范围
注意事项：
伏
o
C
1.固定夹（案例），其中铅不与0.110"重叠偏移散热器
2.固定夹（案例），其中导线做重叠散热器
3.螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为< 4.9毫米（ 0.19" ）
4.脉冲测试： 300US脉冲宽度， 1 ％的占空比
361
MOSPEC
肖特基势垒整流器器
使用肖特基原则能够高难熔金属
工作温度金属。
专有的阻隔技术允许
运行可靠高达175 ℃的结温。典型的应用是在
开关模式稳压电源，如适配器， DC / DC转换器，自由
续流和极性保护二极管。
*低
正向电压。
*低
开关噪声。
*高
电流容量
*保证
反向雪崩。
*保护环
应力保护。
*低
功率损耗&高效率。
＊175℃
工作结温
*低
多数载波存储电荷传导。
●塑料
使用的材料进行保险商实验室
MBR10150CT
肖特基势垒
整流器
10安培
150伏
可燃性分类94V -O
＊
ESD ： 4KV （分钟）人体模型
*在
符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
TO-220AB
最大额定值
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均正向电流整流器
共有设备（额定V
R
), T
C
=125℃
重复峰值正向电流
（速度V
R
，方波， 20kHz的）
非重复性峰值浪涌电流（浪涌应用在
率负载条件halfware ，单相， 60Hz）的
工作和存储结温范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
T
J
, T
英镑
MBR10150CT
150
单位
V
MILLIMETERS
民
最大
14.68
15.32
9.78
10.42
5.02
6.52
13.06
14.62
3.57
4.07
2.42
2.66
1.12
1.36
0.72
0.96
4.22
4.98
1.14
1.38
2.20
2.98
0.33
0.55
2.48
2.98
3.70
3.90
105
5.0
10
10
125
-65到+175
V
A
A
A
℃
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
O
热阻
典型热阻结到外壳
R
θJC
4.0
℃/w
电气特性
特征
最大正向电压
( I
F
= 5.0安培牛逼
C
= 25℃)
( I
F
= 5.0安培牛逼
C
= 125℃)
最大瞬时反向电流
（额定直流电压，T
C
= 25℃)
（额定直流电压，T
C
= 125℃)
符号
V
F
MBR10150CT
0.95
0.85
0.01
10
单位
V
共阴极
后缀“C”
I
R
mA
MBR1040CT~MBR10200CT
10安培肖特基二极管
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率。
高电流能力
Guardring为overvlotage保护
适用于低电压，高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
.058(1.47)
.042(1.07)
40至200伏特
当前
10安培
MECHANICALDATA
案例： TO- 220AB模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：作为标记。
安装位置：任意
重量： 0.0655盎司， 1.859克。
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币（S EE
科幻克0.1）
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E
哈lfsi NE - 华已经s提高erimposedonrated
1。· A D （J E D权证M E吨浩四）
米喜米庵F orward V oltageat 5 A， perleg
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
J
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G （E T）
J
= 1 2 5
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究（E S）我S T A N权证
P·E R A T I纳克次S T R A克é UNC T I O 4 N
TE米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B○升
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV）
MB的R 1 0 4 0 CT MB的R 1 0 4 5 CT MB的R 1 0 5 0 CT MB的R 1 0 6 0 CT MB的R 1 0 8 0 CT MB的R 1 0 9 0 CT MB的R 1 0 1 0 0 CT MB的R 1 0 1 5 0 CT MB R1 0 2 0 0 CT
加利它s
V
V
V
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
10
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
I
F S M
150
A
V
F
0 .7
0 .7 5
0 .0 5
20
2
0 .8
0.9
V
I
R
mA
O
R
θ
J·C
T
J
, T
s TG
-5 5 + 1 5 0
C /
W
C
-6 5 + 1 7 5
O
注意事项：
这两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-APR.30.2009
PAGE 。 1
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MBR10150CT
特点
10安培高压
功率肖特基
高结温度能力
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
低漏电流
标记：型号数量
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
垒整流器器
150Volts
TO-220AB
B
F
Q
T
A
U
1 2
H
K
3
C
S
最大额定值
工作恩膏温度： 150℃
存储温度： - 50 ° C至+ 150°C
每 IODE热阻4 ° C / W结到管壳
MCC
目录
数
MBR 10150 CT
最大
复发
反向峰值
电压
150 V
最大
RMS
电压
105V
最大
DC
闭塞
电压
150 V
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
MBR10150CT
I
F（ AV ）
I
FSM
10 A
120A
T
C
= 125
°C
8.3ms的正弦半
L
G
N
销1
3脚
V
D
J
R
销2
例
V
F
.92V
.75V
I
FM
= 5A
T
J
= 25°C
I
FM
= 5A
T
J
=
125°C
T
J
= 25°C
T
J
=
125°C
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
最大
反向电流
额定DC阻断
电压
I
R
50uA
7mA
注：1。高温焊料豁免适用，见欧盟指令附件7 。
www.mccsemi.com
修改：
7
1 4
2008/01/01
MBR10150CT
MCC
TM
微型商业组件
图。 1 ：
正向平均功耗与
FIG.2-正向电流降额曲线
平均正向电流（每二极管） 。
PF （AV） （W）的
5.0
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 0.1
4.5
4.0
δ
= 0.05
3.5
δ
=1
3.0
2.5
2.0
1.5
T
1.0
0.5
IF （ AV ） （A ）
tp
δ
= TP / T
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
10
平均正向电流。 （ A）
电阻或
感性负载
8
6
4
2
0
0
50
100
o
外壳温度。 （ C）
150
图。 3 ：
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间（最大值，每
二极管） 。
IM （ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-3
I
M
t
图。 4 ：
热阻抗的相对变化
结到外壳与（每二极管）脉冲持续时间。
第Z （J -C ） / Rth的（J -C ）
1.0
0.8
Tc=50°C
0.6
0.4
0.2
δ
= 0.5
Tc=75°C
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Tc=125°C
T
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
单脉冲
TP （多个）
1E-2
1E-1
0.0
1E-3
δ
= TP / T
tp
1E+0
图。 5 ：
反向漏电流与反向
应用（典型值，每个二极管）电压
IR（ μA ）
1E+5
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
VR （ V）
0
25
50
75
100
125
150
Tj=75°C
Tj=175°C
Tj=150°C
Tj=125°C
图。 6 ：
结电容与反向
施加电压（典型值，每二极管） 。
C（ pF）的
200
100
50
F=1MHz
Tj=25°C
Tj=25°C
20
VR （ V）
10
1
2
5
10
20
50
100
200
修改：
7
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2 4
2008/01/01
MBR10150CT
MCC
微型商业组件
TM
图。 7 ：
正向压降与前进
电流（最大值，每个二极管） 。
图。 8 ：
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面（环氧树脂印刷
电路板，铜箔厚度： 35μm的）
IFM （ A）
100.0
Tj=125°C
典型值
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
80
70
60
Tj=125°C
Tj=25°C
10.0
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
1.0
VFM （ V）
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
S（平方厘米）
10
12
14
16
18
20
修改：
7
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3 4
2008/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
（品名） -BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学，
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修改：
7
4 4
2008/01/01
思雨
R
MBR1040CT MBR10200CT ......
肖特基势垒整流器
反向电压40至200 V
正向电流10A
特征
特点
·大电流承受½力。High
电流能力
·正向压降½。Low
正向电压降
·½功耗高效率。Low
功耗，高效率
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
铅和符合RoHS规范体
肖特基二极管
反向电压
40---200V
正向电流
10 A
TO-220AB
机械数据
机械数据
·封装:
塑料封装
案例：模压塑料
·极性:
标记模压或印于本½
极性：符号模压或标记体
·安装½½:
任意
单位：英寸（毫米）
1
2
3
安装位置：任意
·安装扭距:
推荐
0.3牛*米
安装扭矩：
推荐0.3牛顿米
极限值和温度特性
TA = 25°
除非另有规定。
最大额定值&热特性
符号
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
符号
1040CT 1045CT 1050CT 1060CT 10100CT 10150CT 10200CT
单½
单位
V
V
V
A
A
最大可重复峰值反向电压
最大重复峰值反向电压
V
RRM
40
28
40
45
31
45
50
35
50
60
42
60
10
125
3.5
-55 --- +150
100
70
100
150
105
150
200
140
200
最大均方根电压
最大RMS电压
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
R
θJC
TJ ， TSTG
最大直流阻断电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
典型热阻
典型热阻
℃
/W
℃
工½结温和存储温度
工作结存储温度范围
电特性
TA = 25°
除非另有规定。
电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
MBR
符号
1040CT 1045CT 1050CT 1060CT 10100CT 10150CT 10200CT
符号
V
F
I
R
单½
单位
V
mA
pF
最大正向电压
最大正向电压
I
F
=5A
T
J
= 25℃
T
J
= 100℃
0.70
0.5
10
400
0.80
0.85
0.95
0.5
5
310
0.99
最大反向电流
最大反向电流
典型结电容
V
R
=
4.0V ， F = 1MHz的
典型结电容
Cj
大昌电子
大昌电子
思雨
R
MBR2040CT MBR20200CT ......
特性曲线
特性曲线
正向特性曲线（典型值）
典型正向特性
正向电流降额曲线
正向电流降额曲线
100
平均正向电流
I
F（ AV ）
(A)
正向平均整流电流（ A）
I
F（ A）
I
F
正向电流（A ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75 100 125 150 175
管½温度 Tc(°C)
外壳温度（ ° C）
10
正向电流
I
F
(A)
2
TJ = 25 C
1
0.1
0.4
0.6
0.8
MBR1040CT MBR1045CT
MBR1050CT MBR1060CT
MBR10100CT
MBR10150CT MBR10200CT
1.0
1.2
1.4
正向电压 V
F
(V)
V
F
正向电压（ V）
浪涌特性曲线（最大值）
最大不重复
峰值正向浪涌电流
150
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
120
峰值正向浪涌电流 I
FSM
(A)
90
60
30
0
1
2
4 6 10
20
40
100
通过电流的周期
在60赫兹的周期数。
大昌电子
大昌电子
MBR10150CT通MBR10200CT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C（ TAB ）
A
C
A
C
A
尺寸TO- 220AB
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
V
RRM
V
150
200
V
RMS
V
105
140
V
DC
V
150
200
MBR10150CT
MBR10200CT
符号
I
（AV）
I
FSM
dv / dt的
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=120
o
C
最大额定值
10
120
10000
o
I
F
= 5A @T
J
=25 C
o
I
F
= 5A @T
J
=125 C
I
F
= 10A @T
J
=25
o
C
I
F
= 10A @T
J
=125
o
C
单位
A
A
V /美
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向
电压（注1 ）
V
F
0.95
-
0.95
0.80
0.05
15
4.5
-55到+150
-55到+150
o
V
I
R
R
OJC
T
J
T
英镑
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
mA
C / W
o
o
C
C
注： 1。 300US脉冲宽度，占空比2 ％ 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 220AB模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量0.08盎司， 2.24克
*安装位置：任意
半导体
技术参数
开关型电源中的应用。
转换&斩波应用。
A
MBR10150CT
肖特基型二极管
O
C
F
特点
平均输出整流电流
: I
O
=10A.
反向重复峰值电压
: V
RRM
=150V.
快速反向恢复时间：吨
rr
=35ns.
I
K
M
L
J
D
N
N
E
G
B
Q
P
H
最大额定值（ TA = 25
特征
反向重复峰值电压
平均输出整流
电流（注）
峰值一个周期正向浪涌
电流（不重复60赫兹）
结温
存储温度范围
)
符号
V
RRM
I
O
等级
150
10
单位
V
A
1.阳极
2.阴极
3.阳极
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
15.95 MAX
B
1.3+0.1/-0.05
C
_
D
0.8 + 0.1
_
E
3.6 + 0.2
_
F
2.8 + 0.1
3.7
G
H
0.5+0.1/-0.05
1.5
I
_
J
13.08 + 0.3
K
1.46
_
1.4 + 0.1
L
_
1.27+ 0.1
M
_ 0.2
2.54 +
N
_
4.5 + 0.2
O
_
2.4 + 0.2
P
_
9.2 + 0.2
Q
I
FSM
T
j
T
英镑
130
-40
-55
150
150
A
TO-220AB
注： centertap全波连接的平均正向电流。
2
1
3
电气特性（ TA = 25 ）
特征
峰值正向电压
重复峰值
反向电流
反向恢复时间
热阻
注：一个单元的值
（注）
（注）
（注）
（注）
符号
V
FM
I
RRM
t
rr
R
日（J -C ）
I
FM
=5A
V
RRM
Rated
I
F
= 1.0A ，的di / dt = -30A /
Juction到案
测试条件
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
0.90
150
35
2.2
ns
单位
V
/W
2008. 1. 3
版本号： 0
1/2
QQ：2881677436 复制
