SPICE模型： MBR10100CT
MBR1070CT - MBR10100CT
10A高压肖特基整流器
特点
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肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品，符合RoHS （注3 ）
1
2
3
TO-220AB
L
B
C
D
K
A
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
G
民
14.48
10.00
2.54
5.90
2.80
12.70
2.40
0.69
3.54
4.07
1.15
0.30
2.04
最大
15.75
10.40
3.43
6.40
3.93
14.27
2.70
0.93
3.78
4.82
1.39
0.50
2.79
机械数据
·
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案例： TO- 220AB
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
极性：对人体标示
码头：完成 - 亮锡。每焊
MIL- STD- 202方法208
安装位置：任意
标记：型号数量
重量：2.24克数（大约）
J
E
N
J
K
L
M
N
P
H H
销1
销2
3脚
P
例
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 100°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压降
@ I
F
= 5.0A ，T
C
= 125°C
@ I
F
= 5.0A ，T
C
= 25°C
@ I
F
= 10A ，T
C
= 125°C
@ I
F
= 10A ，T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
1070CT
70
49
MBR
1080CT
80
56
10
120
0.75
0.85
0.85
0.95
0.1
50
300
3.0
10,000
MBR
1090CT
90
63
MBR
10100CT
100
70
单位
V
V
A
A
V
FM
V
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
mA
pF
K / W
V / ms的
°C
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率
工作和存储温度范围
注意事项：
-65到+150
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用，看
欧盟指令附件注5和7 。
DS30028修订版2 - 2
1 2
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MBR1070CT-MBR10100CT
Diodes公司
8
I
F
，正向电流（A）
10
100
I
（AV）
，平均正向电流（A）
10
6
4
1.0
2
0
0
50
100
150
T
C
，外壳温度（
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
300
4000
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
250
C
j
，电容（pF ）
200
1000
150
100
50
100
0
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
100
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型结电容
订购信息
设备
MBR10xxCT*
（注4 ）
包装
TO-220AB
航运
50/Tube
* XX =设备类型，例如， MBR1080CT
注意事项：
4.包装信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdf 。
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