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数据表
高压功率肖特基整流器
概述
高电压双肖特基整流器适用于开关
模式电源及其他电源转换器。
本装置适用于中压用
操作,并且特别地,在高频电路
其中,低开关损耗和低噪声的
所需。
该MBR10100C是标准的TO- 220-3提供,
TO- 220-3 (2)和TO- 220F -3包。
MBR10100C
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
T
J
V
F
(最大)
2×5A
100V
150°C
0.75V
机械特性
特点
高浪涌能力
150 ° C工作结温
10A合计( 5A每二极管腿)
保护环应力保护
无铅包可用
案例:环氧树脂,模压
环氧符合UL 94V- 0 @ 0.125英寸
重量(大约):
1.9Grams (TO- 220-3 ,TO- 220-3 (2)和
TO-220F-3)
表面处理:所有外部表面腐蚀
性和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的:
260 ° C最大10秒
应用
电源输出整流
电源管理
仪器仪表
TO-220F-3
TO- 220-3 (可选)
TO- 220-3 (2)
MBR10100C图1.包装类型
2011年3月
修订版1.3
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
引脚配置
牛逼套餐
( TO- 220-3 ) (可选)
(TO- 220-3 ( 2))的
MBR10100C
TF包
(TO-220F-3)
图2. MBR10100C的引脚配置(顶视图)
MBR10100C图3.内部结构
2011年3月
修订版1.3
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
订购信息
MBR10100C
-
E1 :无铅
G1 :绿
空白:管
MBR10100C
电路类型
T: TO- 220-3 ( 2 )
TO- 220-3 (可选)
TF : TO- 220F - 3
TO- 220-3 (2)
TO-220F-3
产品型号
无铅
MBR10100CT-
E1
MBR10100CTF
-E1
标记ID
无铅
MBR10100CT-
E1
MBR10100CTF-
E1
绿色
MBR10100CT-
G1
MBR10100CTF
-G1
绿色
MBR10100CT-
G1
MBR10100CTF-
G1
填料
TYPE
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
在绿色封装与“G1 ”后缀的产品。
2011年3月
修订版1.3
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
绝对最大额定值(每二极管腿) (注1 )
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
) T
C
=136°C
重复峰值正向电流
(额定V
R
,方波, 20kHz的)T
C
=134°C
非重复峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下半波,单相,
60Hz)
工作结温范围(注2 )
存储温度范围
变化的电压率(额定V
R
)
ESD (机器型号= C )
ESD(人体模型= 3B)
MBR10100C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FRM
I
FSM
T
J
T
英镑
dv / dt的
价值
100
5
10
100
150
-55到150
10000
& GT ; 400
> 8000
单位
V
A
A
A
°C
°C
V / μs的
V
V
注1 :应力大于“绝对最大额定值”,可能会造成永久性的损坏
该设备。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或任何其他条件
超越那些在表示“推荐工作条件”是不是暗示。置身于“绝对
最大额定值“,长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 :产生必须小于从结到环境的热传导热: DP
D
/ DT
J
& LT ;
1/θ
JA
.
推荐工作条件
参数
符号
θ
JC
最大热阻
θ
JA
连接点
环境
to
条件
结到外壳
价值
TO-220-3/
TO- 220-3 (2)
TO-220F-3
TO-220-3/
TO- 220-3 (2)
TO-220F-3
3.0
4.5
60
60
单位
° C / W
° C / W
2011年3月
修订版1.3
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压功率肖特基整流器
电气特性
参数
最大正向
电压降(注3 )
MBR10100C
符号
条件
I
F
= 5A ,T
C
=25°C
I
F
= 5A ,T
C
=125°C
I
F
= 10A ,T
C
=25°C
I
F
= 10A ,T
C
=125°C
价值
0.85
0.75
0.95
0.85
6.0
单位
V
F
V
最大瞬时反转
电流(注3)
I
R
评级
DC
T
C
=125°C
评级
DC
T
C
=25°C
电压,
电压,
mA
0.1
注3 :脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比Cycle≤2.0 % 。
2011年3月
修订版1.3
5
BCD半导体制造有限公司
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    MBR10100CTF-G1
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