MBR0540T1 ， MBR0540T3
表面贴装
肖特基功率整流器
SOD- 123功率表面贴装封装
肖特基整流电源采用肖特基势垒
以产生最佳的正向电压的阻挡金属原理
落反向电流平衡。非常适用于低电压，高
频率整顿，或者作为一个续流和极性保护
二极管表面贴装应用中，紧凑的尺寸和重量
对于系统的关键。这个包提供了一个替代的
无铅34 MELF风格包。
特点
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
0.5安培， 40伏
Guardring应力保护
极低的正向电压
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
包装最优设计自动化委员会汇编
无铅包可用
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
卷轴选项： 3000元7寸盘/ 8毫米磁带
卷轴选项： 10,000 13英寸卷筒/ 8毫米磁带
器件标识： B4
极性代号：负极带
重量： 11.7毫克（大约）
案例：环氧模塑
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
标记图
B4 MG
G
B4 =器件代码
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MBR0540T1
MBR0540T1G
MBR0540T3
MBR0540T3G
包
SOD123
SOD123
（无铅）
SOD123
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 修订版6
出版订单号：
MBR0540T1/D
MBR0540T1 ， MBR0540T3
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
C
= 115°C)
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 115°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹）
存储/工作温度范围
工作结温
变化的电压率
（额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FRM
I
FSM
价值
40
单位
V
0.5
1.0
5.5
A
A
A
T
英镑
, T
C
T
J
dv / dt的
-55到+150
-55到+150
1000
°C
°C
V / ms的
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
等级
热电阻 - 结到铅（注1 ）
热电阻 - 结到环境（注2 ）
符号
R
TJL
R
TJA
价值
118
206
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压（注3 ）
(i
F
= 0.5 A)
(i
F
= 1 A)
最大瞬时反向电流（注3 ）
(V
R
= 40 V)
(V
R
= 20 V)
1.安装有最低建议焊盘尺寸， PC板FR4 。
2.1英寸的方形焊盘尺寸（ 1 ×0.5英寸为每根引线）上FR4板。
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
女士，
占空比
≤
2.0%.
I
R
v
F
T
J
= 25°C
0.51
0.62
T
J
= 25°C
20
10
T
J
= 100°C
0.46
0.61
T
J
= 100°C
13,000
5,000
mA
V
http://onsemi.com
2
MBR0540T1 ， MBR0540T3
dc
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
方波
I
pk
/I
o
=
p
I
pk
/I
o
= 5
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
FREQ = 20千赫
PFO ，平均功耗（瓦）
I O ，平均正向电流（ AMPS ）
0.8
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
I
O
，平均正向电流（安培）
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
I
pk
/I
o
= 5
方波
I
pk
/I
o
=
p
dc
T
L
，焊接温度（ ° C）
图5.电流降额
图6.前向功率耗散
TJ ，降级运行温度（
°
C)
100
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
126
124
122
120
118
116
114
112
110
0
5.0
10
15
20
25
30
149°C/W
180°C/W
206°C/W
228°C/W
35
40
R
TJA
= 118 ° C / W
10
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，采用直流反接电压（伏）
图7.电容
图8.典型工作温度降额*
*反向功耗和热失控的可能性，必须在任何操作此设备时，应考虑
反向电压条件下。的T计算
J
因此，必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
T
J
= T
JMAX
- R（T） （ Pf的+ Pr的），其中
T
J
可以由下式计算：
R（T ）=在给定条件下的热阻抗，
PF =正向功耗，
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许的牛逼
J
由于仅直流条件下反向偏压并且被计算为
T
J
= T
JMAX
- R（T）镨，其中r （t）的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
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4
MBR0540T1 ， MBR0540T3
表面贴装
肖特基功率整流器
SOD- 123功率表面贴装封装
肖特基整流电源采用肖特基势垒
以产生最佳的正向电压的阻挡金属原理
落反向电流平衡。非常适用于低电压，高
频率整顿，或者作为一个续流和极性保护
二极管表面贴装应用中，紧凑的尺寸和重量
对于系统的关键。这个包提供了一个替代的
无铅34 MELF风格包。
特点
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
0.5安培， 40伏
Guardring应力保护
极低的正向电压
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
包装最优设计自动化委员会汇编
无铅包可用
机械特性
SOD123
CASE 425
风格1
卷轴选项： 3000元7寸盘/ 8毫米磁带
卷轴选项： 10,000 13英寸卷筒/ 8毫米磁带
器件标识： B4
极性代号：负极带
重量： 11.7毫克（大约）
案例：环氧模塑
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
标记图
B4 M
B4
M
=器件代码
=日期代码
订购信息
设备
MBR0540T1
MBR0540T1G
MBR0540T3
MBR0540T3G
包
SOD123
SOD123
（无铅）
SOD123
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 修订版5
出版订单号：
MBR0540T1/D
MBR0540T1 ， MBR0540T3
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
C
= 115°C)
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 115°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹）
存储/工作温度范围
工作结温
变化的电压率
（额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FRM
I
FSM
价值
40
单位
V
0.5
1.0
5.5
A
A
A
T
英镑
, T
C
T
J
dv / dt的
-55到+150
-55到+150
1000
°C
°C
V / ms的
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
等级
热电阻 - 结到铅（注1 ）
热电阻 - 结到环境（注2 ）
符号
R
TJL
R
TJA
价值
118
206
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压（注3 ）
(i
F
= 0.5 A)
(i
F
= 1 A)
最大瞬时反向电流（注3 ）
(V
R
= 40 V)
(V
R
= 20 V)
1.安装有最低建议焊盘尺寸， PC板FR4 。
2.1英寸的方形焊盘尺寸（ 1 ×0.5英寸为每根引线）上FR4板。
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
女士，
占空比
≤
2.0%.
I
R
v
F
T
J
= 25°C
0.51
0.62
T
J
= 25°C
20
10
T
J
= 100°C
0.46
0.61
T
J
= 100°C
13,000
5,000
mA
V
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2
MBR0540T1 ， MBR0540T3
dc
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
方波
I
pk
/I
o
=
p
I
pk
/I
o
= 5
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
FREQ = 20千赫
PFO ，平均功耗（瓦）
I O ，平均正向电流（ AMPS ）
0.8
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
I
O
，平均正向电流（安培）
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
I
pk
/I
o
= 5
方波
I
pk
/I
o
=
p
dc
T
L
，焊接温度（ ° C）
图5.电流降额
图6.前向功率耗散
TJ ，降级运行温度（
°
C)
100
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
126
124
122
120
118
116
114
112
110
0
5.0
10
15
20
25
30
149°C/W
180°C/W
206°C/W
228°C/W
35
40
R
TJA
= 118 ° C / W
10
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，采用直流反接电压（伏）
图7.电容
图8.典型工作温度降额*
*反向功耗和热失控的可能性，必须在任何操作此设备时，应考虑
反向电压条件下。的T计算
J
因此，必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
T
J
= T
JMAX
- R（T） （ Pf的+ Pr的），其中
T
J
可以由下式计算：
R（T ）=在给定条件下的热阻抗，
PF =正向功耗，
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许的牛逼
J
由于仅直流条件下反向偏压并且被计算为
T
J
= T
JMAX
- R（T）镨，其中r （t）的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
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