MBR0540T1 , MBR0540T3
表面贴装
肖特基功率整流器
SOD- 123功率表面贴装封装
肖特基整流电源采用肖特基势垒
以产生最佳的正向电压的阻挡金属原理
落反向电流平衡。非常适用于低电压,高
频率整顿,或者作为一个续流和极性保护
二极管表面贴装应用中,紧凑的尺寸和重量
对于系统的关键。这个包提供了一个替代的
无铅34 MELF风格包。
特点
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
0.5安培, 40伏
Guardring应力保护
极低的正向电压
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
包装最优设计自动化委员会汇编
无铅包可用
机械特性
SOD123
CASE 425
风格1
卷轴选项: 3000元7寸盘/ 8毫米磁带
卷轴选项: 10,000 13英寸卷筒/ 8毫米磁带
器件标识: B4
极性代号:负极带
重量: 11.7毫克(大约)
案例:环氧模塑
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
标记图
B4 M
B4
M
=器件代码
=日期代码
订购信息
设备
MBR0540T1
MBR0540T1G
MBR0540T3
MBR0540T3G
包
SOD123
SOD123
(无铅)
SOD123
SOD123
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年3月 - 修订版5
出版订单号:
MBR0540T1/D
MBR0540T1 , MBR0540T3
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
, T
C
= 115°C)
重复峰值正向电流
(额定V
R
,方波, 20千赫,T
C
= 115°C)
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下半,
单相, 60赫兹)
存储/工作温度范围
工作结温
变化的电压率
(额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FRM
I
FSM
价值
40
单位
V
0.5
1.0
5.5
A
A
A
T
英镑
, T
C
T
J
dv / dt的
-55到+150
-55到+150
1000
°C
°C
V / ms的
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
等级
热电阻 - 结到铅(注1 )
热电阻 - 结到环境(注2 )
符号
R
TJL
R
TJA
价值
118
206
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压(注3 )
(i
F
= 0.5 A)
(i
F
= 1 A)
最大瞬时反向电流(注3 )
(V
R
= 40 V)
(V
R
= 20 V)
1.安装有最低建议焊盘尺寸, PC板FR4 。
2.1英寸的方形焊盘尺寸( 1 ×0.5英寸为每根引线)上FR4板。
3.脉冲测试:脉冲宽度
≤
250
女士,
占空比
≤
2.0%.
I
R
v
F
T
J
= 25°C
0.51
0.62
T
J
= 25°C
20
10
T
J
= 100°C
0.46
0.61
T
J
= 100°C
13,000
5,000
mA
V
http://onsemi.com
2
MBR0540T1 , MBR0540T3
dc
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
方波
I
pk
/I
o
=
p
I
pk
/I
o
= 5
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
FREQ = 20千赫
PFO ,平均功耗(瓦)
I O ,平均正向电流( AMPS )
0.8
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
I
O
,平均正向电流(安培)
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
I
pk
/I
o
= 5
方波
I
pk
/I
o
=
p
dc
T
L
,焊接温度( ° C)
图5.电流降额
图6.前向功率耗散
TJ ,降级运行温度(
°
C)
100
T
J
= 25°C
C,电容(pF )
126
124
122
120
118
116
114
112
110
0
5.0
10
15
20
25
30
149°C/W
180°C/W
206°C/W
228°C/W
35
40
R
TJA
= 118 ° C / W
10
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
V
R
,反向电压(伏)
V
R
,采用直流反接电压(伏)
图7.电容
图8.典型工作温度降额*
*反向功耗和热失控的可能性,必须在任何操作此设备时,应考虑
反向电压条件下。的T计算
J
因此,必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
T
J
= T
JMAX
- R(T) ( Pf的+ Pr的),其中
T
J
可以由下式计算:
R(T )=在给定条件下的热阻抗,
PF =正向功耗,
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许的牛逼
J
由于仅直流条件下反向偏压并且被计算为
T
J
= T
JMAX
- R(T)镨,其中r (t)的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
http://onsemi.com
4
MBR0540T1 , MBR0540T3
表面贴装
肖特基功率整流器
SOD- 123功率表面贴装封装
肖特基整流电源采用肖特基势垒
以产生最佳的正向电压的阻挡金属原理
落反向电流平衡。非常适用于低电压,高
频率整顿,或者作为一个续流和极性保护
二极管表面贴装应用中,紧凑的尺寸和重量
对于系统的关键。这个包提供了一个替代的
无铅34 MELF风格包。
特点
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
0.5安培, 40伏
Guardring应力保护
极低的正向电压
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
包装最优设计自动化委员会汇编
无铅包可用
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
卷轴选项: 3000元7寸盘/ 8毫米磁带
卷轴选项: 10,000 13英寸卷筒/ 8毫米磁带
器件标识: B4
极性代号:负极带
重量: 11.7毫克(大约)
案例:环氧模塑
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
标记图
B4 MG
G
B4 =器件代码
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
MBR0540T1
MBR0540T1G
MBR0540T3
MBR0540T3G
包
SOD123
SOD123
(无铅)
SOD123
SOD123
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年11月 - 修订版6
出版订单号:
MBR0540T1/D
MBR0540T1 , MBR0540T3
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
, T
C
= 115°C)
重复峰值正向电流
(额定V
R
,方波, 20千赫,T
C
= 115°C)
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下半,
单相, 60赫兹)
存储/工作温度范围
工作结温
变化的电压率
(额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FRM
I
FSM
价值
40
单位
V
0.5
1.0
5.5
A
A
A
T
英镑
, T
C
T
J
dv / dt的
-55到+150
-55到+150
1000
°C
°C
V / ms的
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
等级
热电阻 - 结到铅(注1 )
热电阻 - 结到环境(注2 )
符号
R
TJL
R
TJA
价值
118
206
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压(注3 )
(i
F
= 0.5 A)
(i
F
= 1 A)
最大瞬时反向电流(注3 )
(V
R
= 40 V)
(V
R
= 20 V)
1.安装有最低建议焊盘尺寸, PC板FR4 。
2.1英寸的方形焊盘尺寸( 1 ×0.5英寸为每根引线)上FR4板。
3.脉冲测试:脉冲宽度
≤
250
女士,
占空比
≤
2.0%.
I
R
v
F
T
J
= 25°C
0.51
0.62
T
J
= 25°C
20
10
T
J
= 100°C
0.46
0.61
T
J
= 100°C
13,000
5,000
mA
V
http://onsemi.com
2
MBR0540T1 , MBR0540T3
dc
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
方波
I
pk
/I
o
=
p
I
pk
/I
o
= 5
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
FREQ = 20千赫
PFO ,平均功耗(瓦)
I O ,平均正向电流( AMPS )
0.8
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
I
O
,平均正向电流(安培)
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
I
pk
/I
o
= 5
方波
I
pk
/I
o
=
p
dc
T
L
,焊接温度( ° C)
图5.电流降额
图6.前向功率耗散
TJ ,降级运行温度(
°
C)
100
T
J
= 25°C
C,电容(pF )
126
124
122
120
118
116
114
112
110
0
5.0
10
15
20
25
30
149°C/W
180°C/W
206°C/W
228°C/W
35
40
R
TJA
= 118 ° C / W
10
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
V
R
,反向电压(伏)
V
R
,采用直流反接电压(伏)
图7.电容
图8.典型工作温度降额*
*反向功耗和热失控的可能性,必须在任何操作此设备时,应考虑
反向电压条件下。的T计算
J
因此,必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
T
J
= T
JMAX
- R(T) ( Pf的+ Pr的),其中
T
J
可以由下式计算:
R(T )=在给定条件下的热阻抗,
PF =正向功耗,
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许的牛逼
J
由于仅直流条件下反向偏压并且被计算为
T
J
= T
JMAX
- R(T)镨,其中r (t)的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
http://onsemi.com
4
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MBR0540T1 / D
超前信息
表面贴装
肖特基功率整流器
SOD- 123功率表面贴装封装
MBR0540T1
肖特基整流电源采用肖特基原则屏障
肖特基势垒
金属能产生最佳的正向压降,反向电流的折衷。理想情况下
整流器器
适用于低电压,高频率精馏,或作为续流和极性
0.5安培
保护二极管表面贴装应用中,紧凑的尺寸和重量
40伏
关键系统。这个包提供了一个替代的无铅34 MELF
风格包。国家的最先进的这些设备具有以下特点:
Guardring应力保护
极低的正向电压
环氧会见UL94 , VO 1/8 “
包装最优设计自动化委员会汇编
机械特性:
卷轴选项: 3000元7寸盘/ 8毫米磁带
CASE 425-04 ,风格1
卷轴选项: 10,000 13英寸卷筒/ 8毫米磁带
SOD–123
器件标识: B4
极性代号:负极带
重量: 11.7毫克(大约)
案例:环氧模塑
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的: 260 °C最大。为10秒
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均整流正向电流(额定VR , TC = 115 ° C)
重复峰值正向电流
(额定VR ,方波, 20千赫, TC = 115 ° C)
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下,半波,单相, 60赫兹)
存储/工作温度
工作结温
变化的电压率(额定VR , TJ = 25 ° C)
符号
VRRM
VRWM
VR
IO
IFRM
IFSM
TSTG , TC
TJ
dv / dt的
价值
40
单位
V
0.5
1.0
5.5
-55到150
-55到150
1,000
A
A
A
°C
°C
V/
m
s
° C / W
热特性
热电阻 - 结到铅( 2 )
热电阻 - 结到环境( 3 )
Rtjl
RTJA
118
206
电气特性
最大正向电压( 1 )
(IF = 0.5 A)
(IF = 1 )
最大瞬时反向电流
( VR = 40 V )
( VR = 20V)
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
≤
250
s,
占空比
≤
2.0%.
( 2 )安装有最低建议焊盘尺寸, PC板FR4 。
(3)1英寸的方形垫尺寸(1× 0.5英寸为每根引线)上FR4板。
REV 2
VF
TJ = 25°C
0.51
0.62
TJ = 100℃
0.46
0.61
TJ = 100℃
5,000
13,000
V
IR
TJ = 25°C
20
10
m
A
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息,如有变更,恕不另行通知。
整流器器
公司1996年
数据
摩托罗拉,
设备
1
MBR0540T1
TJ ,降级运行温度(
°
C)
100
TJ = 25°C
C,电容(pF )
126
124
Rtja = 118 ° C / W
122
120
118
149°C/W
116
114
206°C/W
112
228°C/W
110
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
VR ,采用直流反接电压(伏)
180°C/W
10
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
VR ,反向电压(伏)
图7.电容
图8.典型工作温度降额*
R( T) ,瞬态热阻(标准化)
*反向功耗和热失控的可能性,必须在任何重新操作此设备时,应考虑
诗句电压条件下。 TJ的计算,因此必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
TJ可以由下式计算:
TJ = TJMAX - R(T ) (PF + PR) ,其中
R(T )=在给定条件下的热阻抗,
PF =正向功耗,
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许TJ由于只有直流条件下的反向偏置,计算为TJ = TJMAX - R(T ) PR,
其中,r (t)的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
50%
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
1.00E+00
1.00E–01
1.00E–02
Rtjl ( T) = Rtjl * R(T )
1.00E–03
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T,时间(S )
1.0
10
100
1,000
R( T) ,瞬态热阻(标准化)
图9.热响应结到铅
1.00E+00
50%
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
Rtjl ( T) = Rtjl * R(T )
1.00E–01
1.00E–02
1.00E–03
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T,时间(S )
1.0
10
100
1,000
图10.热响应结到环境
整流设备数据
3
MBR0540T1
推荐的足迹SOD- 123
0.91
0.036
2.36
0.093
4.19
0.165
SOD–123
包装尺寸
A
C
H
K
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并
具体来说不承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他
应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称,
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们:
美国/欧洲/点未列出:
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ,科罗拉多州丹佛市80217. 1-303-675-2140或1-800-441-2447
以客户为中心中心: 1-800-521-6274
M传真 :
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键1-602-244-6609
亚洲/太平洋网络C:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
摩托罗拉传真返回系统
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
- http://sps.motorola.com/mfax/
主页:
http://motorola.com/sps/
日本:
日本摩托罗拉有限公司: SPD ,战略规划办公室, 4-32-1 ,
西五反田,品川区,东京141 ,日本。 81-3-5487-8488
4
1
B
2
E
J
风格1 :
PIN 1阴极
2.阳极
D
案例425-04
版本C
1.22
0.048
mm
英寸
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
B
C
D
E
H
J
K
英寸
民
最大
0.055
0.071
0.100
0.112
0.037
0.053
0.020
0.028
0.004
–––
0.000
0.004
–––
0.006
0.140
0.152
MILLIMETERS
民
最大
1.40
1.80
2.55
2.85
0.95
1.35
0.50
0.70
0.25
–––
0.00
0.10
–––
0.15
3.55
3.85
整流器器
MBR0540T1/D
设备数据