富士通半导体
数据表
DS05-20884-2E
FL灰内存
CMOS
32M (4M
×
8 ）位的NAND型
MBM30LV0032
s
描述
该MBM30LV0032设备是采用3.3 V单4M
×
8位NAND快闪记忆体组织为528个字节
×
共16页
×
512块。每个528字节的页中包含16字节的任意选择备用区可被用于存储
ECC码（表示规格的条件下， ECC系统将被合并的。 ） 。计划和阅读
数据传输的存储阵列和页面寄存器528字节增量之间。一个528字节的页可以
在200编程
s
和一个8K字节数据块所用的典型条件下， 2毫秒被擦除。内部控制
所有的自动编程和擦除操作，包括数据利润率的验证。一个页面内的数据可以
读取每一个字节一个50ns的周期时间。的I / O引脚被用于地址和数据输入/输出，以及
作为命令的输入。该MBM30LV0032对于需要大规模非易失性存储应用的理想解决方案
如固态文件存储，数字记录，图像文件存储用于静态相机，并且需要其他用途
高密度和非易失性存储装置。
s
产品阵容
产品型号
工作温度
V
CC
读
功率耗散（最大）。
擦除/编程
TTL待机
CMOS待机
MBM30LV0032
-40 ° C至+ 85°C
+2.7 V至3.6 V
72毫瓦
72毫瓦
3.6毫瓦
0.18毫瓦
s
套餐
44引脚塑料TSOP （ II ）
侧面标
侧面标
(FPT-44P-M07)
（普通本德）
(FPT-44P-M08)
（反向弯曲）
MBM30LV0032
s
特点
3.3 V只工作电压（ 2.7 V至3.6 V ）
最大限度地降低系统级功耗要求
组织
存储单元阵列： （ 400 + 128K ）
×8
位
数据寄存器
: (512 + 16)
×8
位
自动编程和擦除
页编程： （ 512 + 16 ）字节
块擦除： （ 8K + 256 ）字节
528字节页读操作
随机访问： 7
s
（ MAX 。 ）
串行访问
： 35纳秒（ MAX）
快速编程和擦除
节目时间
: 200
s
（典型值） /页
块擦除时间（典型值）， 2毫秒/块
命令/地址/数据复用I / O端口
硬件数据保护
百万的写入/擦除周期保证（需ECC系统）
命令寄存器操作
包
44 （ 40 ） -pin TSOP II型（0.8 mm间距）
正向/反向类型
- 数据保存：10年
2
MBM30LV0032
s
PIN DESCRIOTIONS
引脚数
18至21
24至27
引脚名称
说明
数据输入/输出
在I / O端口用于传送命令，地址和输入/输出数据
流入和流出的装置。在I / O引脚都被当输出为高阻
禁用或装置没有被选中。
命令锁存使能
该CLE信号使采集制作命令到内部比较
命令寄存器。当CLE = “ H”时，命令被锁存到命令寄存器
从经WE信号的上升沿的I / O端口。
地址锁存使能
ALE信号使采集或者地址或数据存入内部地址
连衣裙/数据寄存器。 WE的上升沿锁存地址，当ALE为高电平，
数据时， ALE为低。
芯片使能
CE信号用于选择该设备。当CE为高电平时，器件进入
低功耗待机模式。如果CE在读取操作期间转变为高时，备用
模式将被输入。然而，如果该设备处于忙CE信号被忽略
状态（ R / B = L）
在编程或擦除操作。
读使能
对RE信号控制串行数据输出。 RE的下降沿驱动数据
到I / O总线，并增加由一个列地址计数器。
写使能
WE信号控制写入从I / O端口。数据，地址和命令上
在I / O端口都经WE脉冲的上升沿锁存。
写保护
WP信号防止意外擦除或编程设备能很好地协同
荷兰国际集团上电/掉电通过禁用内部高电压发生器。 WP应该是
保持较低的时候，直到V器件上电
CC
高于2.5 V时断电，
WP的时候应该是低V
CC
低于2.5 V.
备用区启用
在SE输入启用备用区中连续数据输入，页面程序，
和阅读1 。
准备好忙输出
的R / B的输出信号，用于指示所述装置的工作状态。中
编程，擦除，或读，R / B低，将返回高完成后，
操作。这个信号的输出缓冲器是一个开漏。
输出缓冲器电源
在VCCQ输入提供电源到I / O接口的逻辑。该电源线是elec-
从V trically隔离
CC
为支持5V容限I / O的目的。
电源
地
无连接
I / O0至I / O7
2
CLE
3
ALE
43
CE
42
RE
4
WE
5
WP
40
SE
41
R / B
23
44
1,22
6到17
28 39
V
CC
q
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
4
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