MBM29QM12DH
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（续）
该器件可提供真正的高性能非易失性闪存解决方案。该器件提供快速页面
为20 ns为60 ns的随机访问时间的访问次数，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ） ，写使能（ WE） ，
和输出使能（OE ）控制。页大小是8个字。
双动作功能通过将存储器空间划分为四个存储体提供同步操作。该
设备可以通过允许主机系统编程或擦除在一个银行提高整个系统的性能，
随即，同时从其他银行的读取零延迟。这种释放系统从
等待完成程序或擦除操作。
该设备命令集与JEDEC标准E兼容
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PROM中。命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。寄存器的内容作为输入到内部语句
机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址和
所需的编程数据和擦除操作。读出的数据的设备类似于阅读
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件。
该装置是由执行程序指令序列编程。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证
正确的单元格边距。典型地，每个32K字扇区可被编程并在约0.3秒，进行验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和
验证正确的单元格边距。
任何个别扇区通常被擦除并以0.5秒为验证。 （如果已预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时，该设备被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
，输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时已完成，
该装置内部复位到读模式。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该设备的内存电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒 - Nordhiem隧道。这句话被编程一个字时使用的EPROM
热电子注入编程机制。
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