富士通半导体
数据表
DS05-20903-1E
FL灰内存
CMOS
64 M (4M
×
16 ）位
MirrorFlash
TM
MBM29PL65LM
-90/10
s
描述
MBM29PL65LM是67,108,864位容量的3.0 V - 只闪存使字写，既across-的
芯片，全面擦除和由这单位，个人扇区擦除。
其CMOS外围电路有助于即使在高速显著节省功耗待机动
通过模式操作。
MBM29PL65LM由4M ×16位字模式，并删除128个扇区，在以往32K字。它的封装类型
是48针TSOP
.
嵌入式程序算法
TM
当与擦除或编程命令序列，自动执行时间
编程脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
由于其通过写入命令电气数据擦除和编程能力MBM29PL65LM ，使
在内部系统中重新写入数据。这是一个真正可靠的设备广阔的应用可能性。
s
产品阵容
产品型号
V
CC
V
CCQ
最大地址访问时间
最大CE访问时间
最大页面读取时间
MBM29PL65LM-90
3.0 V至3.6 V
V
CC
90纳秒
90纳秒
25纳秒
MBM29PL65LM-10
3.0 V至3.6 V
V
CC
100纳秒
100纳秒
30纳秒
s
包
48引脚塑料TSOP （ 1 ）
侧面标
(FPT-48P-M19)
注意事项：
在字节模式编程（
×
8 ）禁止。
禁止编程地址已经包含数据。 （它是强制性的，以清除至overprogram同先前的数据
地址。
MBM29PL65LM
-90/10
s
特点
MirrorFlash记忆
TM
*
1
0.23
米制程技术
4 M
×
16位配置
单3.0V，读取，编程和擦除
标准的48引脚TSOP （ 1 ） （封装后缀
:
田纳西州）
最低100,000编程/擦除周期
高性能页模式
(4
字）
扇区擦除架构（扇区可以被分组在任何给定的组合）。
32K字扇区
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
HiddenROM区
写了WP引脚保护
嵌入式擦除
TM
*
2
算法
嵌入式程序
TM
*
2
算法
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
自动休眠模式
擦除挂起/恢复
低V
CC
写禁止
行业组保护
扩展类别组保护
快速的程序
临时业集团解除保护
根据CFI （通用闪存接口）
* 1： MirrorFlash
TM
是富士通株式会社的商标。
* 2 ：嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
2
MBM29PL65LM
-90/10
s
引脚分配
TSOP(1)
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
21
A
20
WE
RESET
加
WP
A
19
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
（标记侧）
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A
16
V
CCQ
V
SS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE
V
SS
CE
A
0
（ FPT - 48P - M19 ）
s
引脚说明
引脚名称
A
21
到A
0
DQ
15
到DQ
0
CE
OE
WE
WP
加
RESET
V
CC
V
CCQ
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
硬件写保护
硬件加速方案
硬件复位引脚/临时机构集团unprotection的
器件电源
输出电源
接地装置
功能
3
MBM29PL65LM
-90/10
s
设备总线操作
MBM29PL65LM用户总线操作表
手术
待机
自选制造码*
1
自动选择设备代码*
1
读
输出禁用
写（编程/擦除）
启用类别组保护*
2
临时机构集团
解除保护
复位（硬件）
扇区写保护*
3
CE OE WE一
0
H
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
X
X
X
H
H
H
H
L
L
X
X
X
X
L
H
A
0
X
A
0
L
X
X
X
A
1
X
L
L
A
1
X
A
1
H
X
X
X
A
2
X
L
L
A
2
X
A
2
L
X
X
X
A
3
X
L
L
A
3
X
A
3
L
X
X
X
A
6
X
L
L
A
6
X
A
6
L
X
X
X
A
9
DQ
15
到DQ
0
RESET WP
X
V
ID
V
ID
A
9
X
A
9
X
X
X
X
高阻
CODE
CODE
D
OUT
高阻
*4
*4
*4
高阻
X
H
H
H
H
H
H
V
ID
V
ID
L
H
X
X
X
X
X
*5
H
H
X
L
传说
：L = V
IL
，H = V
IH
，X = V
IL
或V
IH
。见DC特性的电压等级。
HI- Z =高阻，V
ID
= 11.5 V至12.5 V
* 1：生产商和设备的代码，也可以通过一个命令寄存器写入顺序访问。
请参阅“ MBM29PL65LM标准命令定义” 。
* 2 ：参考类别组保护。
* 3 ：保护第一32K字扇区（ SA0 ） 。
*4 : D
IN
或D
OUT
所要求的指令序列，数据拉动，或部门保护算法
* 5 ：如果WP / ACC = V
IL
，第一部门仍然受到保护。
如果WP / ACC = V
IH
中，第一扇区将被保护或未被保护的通过在规定的方法测定
“类别组保护”，在“S功能说明” 。
5
QQ：2881677436 复制
