MBM29PL160TD
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/MBM29PL160BD
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s
概述
该MBM29PL160TD / BD是一个16M位， 3.0 V-仅限Flash组织为每个或1M 8位2M字节的内存
也就是说，每行16位。该MBM29PL160TD / BD是在一个48引脚TSOP （ I）所提供，和44引脚SOP封装。该
设备被设计成在系统编程与标准体系3.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0
V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该设备还可以在标准EPROM重新编程
程序员。
标准MBM29PL160TD / BD提供的75毫微秒和90毫微秒的访问时间，高速允许操作
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29PL160TD / BD是引脚和指令集兼容JEDEC标准E
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PROM中。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。读出数据的设备是
类似于从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29PL160TD / BD是由执行程序命令序列编程。这将调用
嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的单元格边距。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约2.0秒验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和
验证正确的单元格边距。
个别部门通常擦除和4.8秒验证。 （如果已预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从出厂时的MBM29PL160TD / BD被删除
工厂。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
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或者通过对DQ的触发位功能
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输出引脚。一旦编程或擦除周期结束时已comleted ，
该装置内部复位到读模式。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该MBM29PL160TD / BD存储电擦除所有的位
内通过福勒 - Nordhiem隧道同时扇区。该字节/字编程一个字节/字
在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
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