MBM29PDS322TE/BE
10/11
（续）
该器件可提供真正的高性能非易失性闪存解决方案。该器件提供快速页面
的45纳秒，100纳秒和115纳秒的随机访问时间的访问次数，高速允许操作
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。页大小是4个字。
该器件的引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令被写入到
采用标准的微处理器写时序命令寄存器。寄存器的内容作为输入到内部
状态机控制的擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址
和所需的编程数据和擦除操作。读出的数据的设备类似于阅读
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件。
该装置是由执行程序指令序列编程。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。擦除是
通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法
是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它尚未被执行之前编程
擦除操作。在擦除，设备会自动时间擦除脉冲宽度并确认电池
利润率。
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 （如果已完全预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时，该设备被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能，采用1.8 V单电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成后，设备内部复位到读模式。
该器件还具有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式计划
算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机，然后复位到读
模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此，如果在系统复位时
嵌入式程序算法或嵌入式擦除算法，该装置自动复位到读模式
并且将具有存储在该地址位置的错误数据被编程或擦除。这些位置
需要重写复位后。复位装置使系统的微处理器读取引导向上
固件从闪存中。
富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E
2
PROM经验，生产的最高水平
的质量，可靠性和成本效益。该设备的内存电擦除整个芯片或之内的所有位
通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个部门。该字节/字编程一个字节/字在
时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
2
QQ：2881677436 复制
