MBM29LV800TE/BE
60/70/90
（续）
标准MBM29LV800TE / BE报价存取时间为60ns ， 70纳秒90纳秒，高速运转使
微处理器无需等待状态。为了消除总线争用，这些设备有独立的芯片使能（ CE ） ，
写使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29LV800TE / BE的引脚和指令集兼容JEDEC标准E
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PROM中。命令
被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。读出数据的装置的
类似于从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29LV800TE / BE是通过执行程序指令序列编程。这将调用
嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的电池余量。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时，设备会自动时间擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 （如果已完全预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。该MBM29LV800TE / BE是从出厂时被删除
工厂。
这些器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
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,
通过对DQ的触发位功能
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或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成时，设备内部复位到读模式。
该MBM29LV800TE / BE也有硬件复位引脚。当该引脚为低电平，任何执行
嵌入式程序算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机是那么
复位到读模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此，如果一个系统复位
发生嵌入式程序算法或嵌入式擦除算法期间，设备会自动为
复位到读模式并具有存储在所述地址位置的错误数据被编程或
删除。这些位置复位后，需要重新书写。复位装置使系统的
微处理器读取从Flash存储器的引导固件。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该MBM29LV800TE / BE内存电擦除所有的位
内通过福勒 - Nordhiem隧道同时扇区。该字节/字编程一个字节/字
在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
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