富士通半导体
数据表
DS05-20882-2E
FL灰内存
CMOS
64M (4M
×
16 ）位
MBM29LV650UE/651UE
-90/12
s
描述
该MBM29LV650UE / 651UE是64M位， 3.0 V-仅限Flash组织为每个16位字4M内存。该
设备被设计为被编程在系统的标准系统3.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和
5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该器件还可以在标准的重新编程
EPROM编程器。
消除总线争用的装置已经单独的芯片使能（CE ），写使能（WE ）和输出使能
（ OE ）控制。
该MBM29LV650UE / 651UE完全指令集JEDEC单电源闪存标兼容
准。命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。注册
内容作为输入到一个内部状态机，它控制了擦除和编程电路。写
周期也在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。
典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。
（续）
s
产品阵容
产品型号
V
CC
= 3.3 V
订货型号
V
CC
= 3.0 V
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
+0.3 V
–0.3 V
+0.6 V
–0.3 V
MBM29LV650UE/651UE
90
—
90
90
35
—
12
120
120
50
s
套餐
48引脚塑料TSOP （ I）
侧面标
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
MBM29LV650UE/651UE-
90/12
（续）
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 （如果已完全预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从出厂时的MBM29LV650UE / 651UE被删除
工厂。
内部产生的并提供了用于在程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
探测器会自动抑制电源的损耗写操作。检测编程或擦除的结束
按DQ的数据轮询
7
通过对DQ的触发位功能
6
。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成时，设备内部复位到读模式。
该设备电扇区内同时通过福勒 - Nordhiem隧道清除所有位。话
被编程的一个词，在使用热电子注入的EPROM编程机构的时间。
s
特点
0.23
m
工艺技术
单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC -标准
采用与单电源闪存相同的软件命令
地址的命令序列中不关心
业界标准引脚
48引脚TSOP （ I） （包后缀： TN - 正常弯曲型， TR - 反弯型）
最低100,000编程/擦除周期
高性能
90 ns最大访问时间
灵活的部门架构
百28 32K字部门
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
隐藏ROM （高-ROM ）地区
的Hi- ROM 128字，通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
WP输入引脚
在V
IL
，使保护一个或最后一个32K字的部门，无论部门保护/解除保护状态
在V
IH
允许拆除保护
MBM29LV650UE ：
有保障的最后一个32K字扇区的功能（ SA 127 ）
MBM29LV651UE ：
要保护第一32K字扇区的功能（ SA 0 ）
ACC输入引脚
在V
加
，提高了程序的性能
嵌入式擦除
TM
*算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
*算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式
低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
部门组保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门团体的任何组合
（续）
2
MBM29LV650UE/651UE-
90/12
（续）
类别组保护设置功能，通过扩展行业保护命令
通过扩展指令快速编程功能
临时业集团解除保护
通过RESET引脚临时机构解除保护组
此功能允许在先前锁定行业代码变更
根据CFI （通用闪存接口）
*：嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
3
MBM29LV650UE/651UE-
90/12
s
引脚说明
表1 MBM29LV650UE / 651UE引脚配置
针
A
0
到A
21
DQ
0
到DQ
15
CE
OE
WE
WP
RESET
加
V
CC
q
V
SS
V
CC
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
硬件写保护
硬件复位引脚/临时机构
unprotection的组
程序加速
输出缓冲器电源
接地装置
器件电源
功能
5
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