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富士通半导体
数据表
DS05-20894-1E
FL灰内存
CMOS
32 M (4 M
×
8/2 M
×
16 )位
MBM29LV320TE
80/90/10
MBM29LV320BE
80
/
90
/
10
s
描述
该MBM29LV320TE / BE是32位, 3.0 V-仅限Flash组织成4兆字节为8位或每2M的内存的话
的每个16比特。该器件采用48引脚TSOP ( I)和63球FBGA封装。本设备被设计
要被编程在系统的标准系统3.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不要求
为写或擦除操作。该设备还可以重新编程,在标准EPROM编程器。
该标准的设备提供的访问时间80 ns的90纳秒和100纳秒,高速microproces-允许操作
感器无等待状态。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能( CE ) ,写使能( WE)
和输出使能(OE )控制。
(续)
s
产品阵容
产品型号
电源电压(V)的
最大地址访问时间(纳秒)
最大CE访问时间(纳秒)
最大OE访问时间(纳秒)
80
80
30
MBM29LV320TE/BE
80
V
CC
=
3.3 V
+0.3
V
0.3
V
90
90
35
90
100
V
CC
=
3.0 V
+0.6
V
0.3
V
100
100
35
s
套餐
48引脚塑料TSOP ( I)
侧面标
48引脚塑料TSOP ( I)
63球FBGA封装胶
(FPT-48P-M19)
侧面标
(FPT-48P-M20)
(BGA-63P-M01)
MBM29LV320TE/BE
80/90/10
(续)
该器件的引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令被写入到
采用标准的微处理器写时序命令寄存器。寄存器的内容作为输入到内部
状态机控制的擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址
和所需的编程数据和擦除操作。读出的数据的设备类似于阅读
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件。
该装置是由执行程序指令序列编程。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部算法,可以自动次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。典型地,每个扇区可以被编程,并在大约0.5秒验证。擦除是
通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法
是一个内部算法,可以自动preprograms数组,如果它尚未被执行之前编程
擦除操作。在擦除,设备会自动时间擦除脉冲宽度并确认电池
利润率。
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 (如果已完全预编程。 )
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程,而不会影响其他部门。从工厂发货时,该设备被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成后,设备内部复位到读模式。
该器件还具有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平,执行任何嵌入式计划
算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机,然后复位到读
模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此,如果在系统复位时
嵌入式程序算法或嵌入式擦除算法,该装置自动复位到读模式
并且将具有存储在该地址位置的错误数据被编程或擦除。这些位置
需要重写复位后。复位装置使系统的微处理器读取引导向上
固件从闪存中。
富士通的闪存技术,结合多年的EPROM和E
2
PROM经验,生产的最高水平
的质量,可靠性和成本效益。该设备的内存电擦除整个芯片或之内的所有位
通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个部门。该字节/字编程一个字节/字在
时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
2
MBM29LV320TE/BE
80/90/10
s
特点
0.23
米制程技术
单3.0V,读取,编程和擦除
最小化系统级电源要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP ( I) (包后缀: TN
正常的弯曲型, TR
扭转弯曲型)
63球FBGA (包后缀: PBT )
最低100,000编程/擦除周期
高性能
80 ns最大访问时间
扇区擦除架构
在字模式八4K的字和63是32K字扇区
在字节模式下八为8K字节和63的64K字节的扇区
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
引导代码部门架构
T
=
热门行业
B
=
底部部门
隐藏的ROM (高-ROM )地区
256字节的Hi- ROM中,通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护,以提供一个安全的电子序列号(ESN )
WP / ACC输入引脚
在V
IL
,使保护引导扇区,无论部门保护/解除保护状态
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在V
,提高了程序的性能
嵌入式擦除
TM
*算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
*算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪/忙输出( RY / BY )
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动休眠模式
当地址保持稳定,自动切换自己的低功耗模式。
低V
CC
写禁止
2.5 V
擦除挂起/恢复
暂停的擦除操作,以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
行业组保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门团体的任何组合
行业组保护设置功能,通过扩展行业组保护命令
通过扩展命令快速编程功能
临时业集团解除保护
通过RESET引脚临时机构集团解除保护。
根据CFI (通用闪存接口)
*
:嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices公司的商标。
,
公司
3
MBM29LV320TE/BE
80/90/10
s
引脚分配
TSOP (I)的
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
19
A
20
WE
RESET
北卡罗来纳州
WP / ACC
RY / BY
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
(标记侧)
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A
16
字节
V
SS
DQ
15
/A
-1
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE
V
SS
CE
A
0
MBM29LV320TE/BE
正常的弯曲
(FPT-48P-M19)
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
17
A
18
RY / BY
WP / ACC
北卡罗来纳州
RESET
WE
A
20
A
19
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
(标记侧)
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
MBM29LV320TE/BE
反向弯曲
A
0
CE
V
SS
OE
DQ
0
DQ
8
DQ
1
DQ
9
DQ
2
DQ
10
DQ
3
DQ
11
V
CC
DQ
4
DQ
12
DQ
5
DQ
13
DQ
6
DQ
14
DQ
7
DQ
15
/A
-1
V
SS
字节
A
16
(FPT-48P-M20)
(续)
4
MBM29LV320TE/BE
80/90/10
(续)
FBGA
( TOP VIEW )
侧面标
A8
北卡罗来纳州
A7
北卡罗来纳州
B8
北卡罗来纳州
B7
北卡罗来纳州
C7
A
13
C6
A
9
C5
D7
A
12
D6
A
8
D5
E7
A
14
E6
A
10
E5
F7
A
15
F6
A
11
F5
A
19
F4
A
20
F3
A
5
F2
A
1
G7
A
16
G6
H7
J7
K7
L8
北卡罗来纳州
L7
北卡罗来纳州
M8
北卡罗来纳州
M7
北卡罗来纳州
BYTE DQ
15
/ V
SS
A
-1
H6
J6
K6
DQ
7
DQ
14
DQ
13
DQ
6
G5
H5
J5
V
CC
J4
K5
DQ
4
K4
我们重置北卡罗来纳州
C4
D4
E4
A
18
E3
A
6
E2
A
2
DQ
5
DQ
12
G4
H4
RY / BY WP /
C3
A
7
A2
北卡罗来纳州
A1
北卡罗来纳州
B1
北卡罗来纳州
C2
A
3
D3
A
17
D2
A
4
DQ
2
DQ
10
DQ
11
DQ
3
G3
DQ
0
G2
A
0
H3
DQ
8
H2
CE
J3
DQ
9
J2
OE
K3
DQ
1
K2
V
SS
L2
北卡罗来纳州
L1
北卡罗来纳州
M2
北卡罗来纳州
M1
北卡罗来纳州
(BGA-63P-M01)
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    -
    -
    -
    -
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